崔占东
- 作品数：24 被引量：27H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国防科技技术预先研究基金国家部委资助项目国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>
- 新型亚纳秒高功率半导体开关器件被引量：2
- 2009年
- 介绍了一种基于半导体内部的等离子体波理论而设计制造的全固态高功率半导体开关器件——快速离化器件(FID),阐述了FID器件的工作机理。采用传统的电力电子器件的制造工艺技术,研制出了新型亚纳秒快速离化器件。FID器件采用无感裸芯片封装技术,寄生参数小。单个FID器件工作电压>2kV,导通时间<1ns,工作电流高达10kA,抖动<20ps,di/dt超过100kA/μs,重复频率400kHz。具有极易串并联、导通触发脉冲可同步产生、工作特性高度稳定、体积小、重量轻等优点,FID可与DSRD组合应用,当采用MARX电路连接时,可以获得几十千伏以上的高压快速脉冲。FID器件脉冲发生器具有广阔的应用前景。
- 刘忠山杨勇马红梅刘英坤崔占东
- 关键词：等离子体波亚纳秒
- 半导体切断开关器件
- 简要论述了一种半导体切断开关器件SOS(Silicon Opening Switch).概述了该器件的工作原理、应用领域和目前研究的结果.该器件可以通过简单的串、并联构成组件,满足脉冲功率技术领域电感储能系统开关工作的需...
- 赵彤杨勇刘忠山崔占东
- 关键词：半导体脉冲功率泵浦方式
- 文献传递
- 超快速高压雪崩三极管器件研制被引量：7
- 2009年
- 采用雪崩三极管MARX电路易产生亚纳秒导通前沿的高功率微波脉冲,可应用于激光LED驱动、超快脉冲前沿发生器和高速脉冲发生器等。介绍了雪崩三极管器件的工作原理及设计方法,采用针对雪崩模式工作的npn晶体管的特殊工艺设计,研制出了耐压400V,脉冲电流达80A的雪崩三极管器件并已投入批量生产。给出了雪崩三极管MARX使用电路及测试结果,重复频率可达400kHz。器件采用金属管壳片式封装,具有可靠性高、易于级联使用等优点。
- 刘忠山杨勇马红梅刘英坤崔占东
- 关键词：雪崩三极管二次击穿负阻MARX电路超宽带
- 掺氮4H-SiC电子输运特性的多粒子蒙特卡罗研究
- 2005年
- 在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型对掺氮4H-SiC电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗(EnsembleMonteCarlo)研究.研究表明,低场下,掺杂浓度较低时,氮杂质不完全电离导致的中性杂质散射对4H-SiC横向电子迁移率影响较小.随着掺杂浓度的增加,中性杂质散射作用增强.掺杂浓度较高时,随着温度的增加,中性杂质散射的影响逐步减弱.4H-SiC电子迁移率较高且各向异性较小,温度为296K时得到的横向电子饱和漂移速度为2.18×107cm/s;阶跃电场强度为1000KV/cm时,横向瞬态速度峰值接近3.3×107cm/s,反应时间仅为百分之几皮秒量级.模拟结果同已有的测试结果较为一致.
- 王平杨燕杨银堂屈汉章崔占东付俊兴
- 关键词：4H-SIC蒙特卡罗研究
- 功率VDMOSFET单粒子效应研究被引量：4
- 2008年
- 阐述了空间辐射环境下n沟功率VDMOSFET发生单粒子栅穿(SEGR)和单粒子烧毁(SEB)的物理机理。研究了多层缓冲局部屏蔽抗单粒子辐射的功率VDMOSFET新结构及相应硅栅制作新工艺。通过对所研制的漏源击穿电压分别为65V和112V两种n沟功率VDMOS-FET器件样品进行锎源252Cf单粒子模拟辐射实验,研究了新技术VDMOSFET的单粒子辐射敏感性。实验结果表明,两种器件样品在锎源单粒子模拟辐射实验中的漏源安全电压分别达到61V和110V,验证了新结构和新工艺在提高功率VDMOSFET抗单粒子效应方面的有效性。
- 段雪郎秀兰刘英坤董四华崔占东刘忠山孙艳玲胡顺欣冯彬
- 关键词：单粒子烧毁
- 脱硫脱硝和工业除尘的高压电源
- 现代社会离不开电，燃煤火力发电是电力主要来源之一，燃煤产生的硫化物、氮氧化物和烟尘对人类生存环境，为此研究了各种脱硫脱销和除尘的技术，脉冲电晕法结合氨法脱硫脱销技术是一种新型高效的环保技术，脉冲电晕法的技术核心之一是快速...
- 崔占东许洋杨勇
- 关键词：脱硫脱硝高压电源脉冲开关
- 硅双极器件及电路电离总剂量辐照损伤研究被引量：3
- 2016年
- 针对硅双极器件及其构成的双极集成电路有着如低剂量率辐照损伤增强效应等不同于其他类型电路的特殊的辐照响应问题,分析了空间辐射电离总剂量环境及铝屏蔽作用,双极晶体管及电路总剂量辐照损伤机理,低剂量率辐照损伤增强效应、规律和电参数变化。通过选取几种典型的双极晶体管和电路进行地面辐照模拟试验和测试,证明了双极器件及电路的关键参数受辐照影响较大,特别是对低剂量率辐照损伤增强效应敏感,低剂量率辐照损伤增强因子基本都大于1.5,不同双极器件和电路的低剂量率辐照损伤增强效应有着明显的不同,与器件类型、加工工艺(如氧化层厚度)等密切相关。
- 王鹏崔占东邹学锋杨筱莉
- 关键词：双极器件总剂量辐照低剂量率
- 2H-SiC体材料电子输运特性的EMC研究
- 2004年
- 目的 对2H SiC体材料的电子输运特性进行研究。方法 在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型和多粒子蒙特卡罗(EnsembleMonteCarlo,EMC)方法。结果 计算表明:低场下,温度一定时,2H SiC纵向电子迁移率比4H SiC和6H SiC都高,横向迁移率则较为接近。296K时,由EMC方法得到的纵向电子饱和漂移速度为2.2×107cm/s,横向电子饱和漂移速度为2.0×107cm/s。当电场条件相同时,2H SiC同4H SiC以及6H SiC中的纵向电子平均能量相差较大。在阶跃电场强度为1000kV/cm时,其横向瞬态速度峰值可达到3.2×107cm/s,反应时间仅为百分之几皮秒量级。结论 可以被用来设计SiC器件和电路。
- 王平杨银堂崔占东杨燕付俊兴
- 关键词：迁移率漂移速度
- 新型快速高功率半导体开关器件及其应用技术
- 简要介绍了常用脉冲开关在现代脉冲功率技术中的局限性,重点介绍了几种新型Si等离子体波半导体开关器件(RSD,DBD,FID,DSRD,SOS)的工作原理和应用技术。给出了目前达到的器件水平,并介绍了国内外基于这些器件的脉...
- 刘忠山杨勇崔占东刘英坤
- 关键词：等离子体波脉冲源
- 文献传递
- 表面栅BSIT的栅源低击穿问题研究
- 2003年
- 通过对DX0231型BSIT栅源低击穿问题的分析,讨论了设计、材料、环境、设备等因素对表面栅BSIT栅源击穿的影响,指出了提高栅源击穿的努力方向。
- 崔占东杨银堂
- 关键词：BSIT双极模式静电感应晶体管
