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吉彦达

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇旋涂
  • 3篇金属
  • 2篇低介电损耗
  • 2篇电介质
  • 2篇电介质材料
  • 2篇电损耗
  • 2篇氧化镍
  • 2篇氧化物
  • 2篇酸盐
  • 2篇铁电
  • 2篇铁电薄膜
  • 2篇介电
  • 2篇介电损耗
  • 2篇介质
  • 2篇介质材料
  • 2篇金属镍
  • 2篇过渡层
  • 2篇钒酸
  • 2篇钒酸盐
  • 2篇高纯

机构

  • 7篇电子科技大学

作者

  • 7篇吉彦达
  • 6篇林媛
  • 3篇黄江
  • 3篇冯大宇
  • 3篇梁伟正
  • 2篇曾慧中
  • 2篇黄文
  • 2篇张胤
  • 2篇刘升华
  • 1篇潘泰松
  • 1篇曾波

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
氧化钒功能薄膜集成生长与器件基础研究
近年来，具有特殊金属-绝缘转变特性的氧化钒功能材料，特别是能够在室温附近触发该转变的二氧化钒(VO2)材料，受到了广泛的关注，并在微电子、光电子及传感器方面展现出了巨大的应用前景。由于钒元素具有+2、+3、+4、+5多个...
吉彦达
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一种在金属镍基片上生长氧化物铁电薄膜的方法
本发明涉及一种在金属镍基片上生长氧化物铁电薄膜的方法，包括如下步骤：步骤1：将抛光后的镍基片放入强氧化剂溶液中浸泡一定时间后形成一层致密的氧化镍过渡层，然后将镍基片取出清洗并风干；步骤2：将预先配置好的相应的氧化物高分子...
林媛梁伟正曾慧中黄文吉彦达刘升华黄江
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一种三氧化二钒薄膜的制备方法
一种三氧化二钒薄膜的制备方法，属于材料技术领域。本发明利用无机物偏钒酸盐作为钒源，通过添加水溶性聚合物和络合稳定剂形成均一长期稳定的钒前驱体溶液；利用所述钒前驱体溶液经旋涂、在密闭的高温高压管式炉里进行高温热处理获得三氧...
张胤吉彦达黄江冯大宇林媛
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一种低介电损耗CaCu<Sub>3</Sub>Ti<Sub>4</Sub>O<Sub>12</Sub>薄膜的制备方法
一种低介电损耗CaCu<Sub>3</Sub>Ti<Sub>4</Sub>O<Sub>12</Sub>薄膜的制备方法，属于电介质材料合成技术领域。包括以下步骤：1）按照钙、铜、钛摩尔比为1:3:4的比例，配制含钙铜钛的前...
林媛冯大宇吉彦达靳立彬
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一种二氧化钒薄膜的制备方法
一种二氧化钒薄膜的制备方法，属于材料技术领域。本发明利用无机物偏钒酸盐作为钒源，通过添加水溶性聚合物和络合稳定剂形成均一长期稳定的钒前驱体溶液；利用所述钒前驱体溶液经旋涂、高温热处理获得二氧化钒薄膜。本发明能够获得结构、...
林媛吉彦达潘泰松曾波梁伟正张胤
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一种低介电损耗CaCu<Sub>3</Sub>Ti<Sub>4</Sub>O<Sub>12</Sub>薄膜的制备方法
一种低介电损耗CaCu<Sub>3</Sub>Ti<Sub>4</Sub>O<Sub>12</Sub>薄膜的制备方法，属于电介质材料合成技术领域。包括以下步骤：1）按照钙、铜、钛摩尔比为1:3:4的比例，配制含钙铜钛的前...
林媛冯大宇吉彦达靳立彬
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一种在金属镍基片上生长氧化物铁电薄膜的方法
本发明涉及一种在金属镍基片上生长氧化物铁电薄膜的方法，包括如下步骤：步骤1：将抛光后的镍基片放入强氧化剂溶液中浸泡一定时间后形成一层致密的氧化镍过渡层，然后将镍基片取出清洗并风干；步骤2：将预先配置好的相应的氧化物高分子...
林媛梁伟正曾慧中黄文吉彦达刘升华黄江
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