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冯大宇

作品数：6 被引量：1H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇旋涂
  • 4篇电介质
  • 4篇电介质材料
  • 4篇介电
  • 4篇介质
  • 4篇介质材料
  • 4篇SUB
  • 3篇电损耗
  • 3篇介电损耗
  • 2篇低介电损耗
  • 2篇旋涂法
  • 2篇合成技术
  • 2篇高纯
  • 2篇高纯氧
  • 2篇锆
  • 1篇电性能
  • 1篇性能研究
  • 1篇三氧化二钒
  • 1篇水溶性聚合物
  • 1篇酸盐

机构

  • 6篇电子科技大学

作者

  • 6篇冯大宇
  • 5篇林媛
  • 3篇吉彦达
  • 3篇张胤
  • 2篇高敏
  • 1篇黄江

年份

  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2012
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种三氧化二钒薄膜的制备方法
一种三氧化二钒薄膜的制备方法，属于材料技术领域。本发明利用无机物偏钒酸盐作为钒源，通过添加水溶性聚合物和络合稳定剂形成均一长期稳定的钒前驱体溶液；利用所述钒前驱体溶液经旋涂、在密闭的高温高压管式炉里进行高温热处理获得三氧...
张胤吉彦达黄江冯大宇林媛
文献传递
一种掺锆的CaCu<Sub>3</Sub>Ti<Sub>4</Sub>O<Sub>12</Sub>薄膜的制备方法
一种掺锆的CaCu<Sub>3</Sub>Ti<Sub>4</Sub>O<Sub>12</Sub>薄膜的制备方法，属于电介质材料合成技术领域。包括以下步骤：1）按照钙、铜、钛摩尔比为1:3:4的比例，配制含钙铜钛的混合液...
林媛冯大宇高敏张胤
文献传递
一种低介电损耗CaCu<Sub>3</Sub>Ti<Sub>4</Sub>O<Sub>12</Sub>薄膜的制备方法
一种低介电损耗CaCu<Sub>3</Sub>Ti<Sub>4</Sub>O<Sub>12</Sub>薄膜的制备方法，属于电介质材料合成技术领域。包括以下步骤：1）按照钙、铜、钛摩尔比为1:3:4的比例，配制含钙铜钛的前...
林媛冯大宇吉彦达靳立彬
文献传递
一种掺锆的CaCu<Sub>3</Sub>Ti<Sub>4</Sub>O<Sub>12</Sub>薄膜的制备方法
一种掺锆的CaCu<Sub>3</Sub>Ti<Sub>4</Sub>O<Sub>12</Sub>薄膜的制备方法，属于电介质材料合成技术领域。包括以下步骤：1）按照钙、铜、钛摩尔比为1:3:4的比例，配制含钙铜钛的混合液...
林媛冯大宇高敏张胤
文献传递
一种低介电损耗CaCu<Sub>3</Sub>Ti<Sub>4</Sub>O<Sub>12</Sub>薄膜的制备方法
一种低介电损耗CaCu<Sub>3</Sub>Ti<Sub>4</Sub>O<Sub>12</Sub>薄膜的制备方法，属于电介质材料合成技术领域。包括以下步骤：1）按照钙、铜、钛摩尔比为1:3:4的比例，配制含钙铜钛的前...
林媛冯大宇吉彦达靳立彬
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CCTO高介电薄膜的制备及其介电性能研究
本文通过高分子辅助沉积法，在铜、金和铂等金属基底以及铝酸镧单晶基底上尝试制备CaCu3Ti4O12(CCTO)薄膜，通过对制备工艺的不断调整与优化，分别制备出了成膜均匀、质量较高的多晶和外延CCTO薄膜，对薄膜进行介电性...
冯大宇
关键词：微观结构介电性能
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