吴德馨
- 作品数：128 被引量：186H指数：8
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金中国科学院重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信经济管理自动化与计算机技术自然科学总论更多>>
- 一种适用于芯片内光互连系统的硅基光电异质集成方法
- 本发明公开了一种适用于芯片内光互连系统的硅基光电异质集成方法，包括：在硅基CMOS芯片内集成光互连系统中有源部件的驱动电路；在硅基CMOS芯片上生长光子材料层，在光子材料层中制作出光互连系统无源部件，并在硅基CMOS集成...
- 刘新宇周静涛刘洪刚杨成樾刘焕明申华军吴德馨
- 文献传递
- 高迁移率Ⅲ-Ⅴ族半导体MOS界面结构
- 本发明公开了一种高迁移率III-V族半导体MOS界面结构，该结构自下而上依次包括：一单晶衬底(101)；一在该单晶衬底(101)上表面形成的缓冲层(102)；一在该缓冲层(102)上形成的量子阱底部势垒层(103)；一在...
- 刘洪刚常虎东刘新宇吴德馨
- 文献传递
- 2.5GHz RF功率放大器和低噪声放大器模块的设计与实现被引量：6
- 2005年
- 功率放大器(PA)和低噪声放大器(LNA)模块是射频(RF)混合集成电路的重要组成部 分。文章介绍了2.5 GHz功率放大器和低噪声放大器的设计及其实现过程;阐述了模块中微带线的 设计,以及倒扣封装的实现。该模块具有良好的线性度、较大的线性空间、稳定的增益,符合设计要 求。
- 李树翀韩振宇吴德馨
- 关键词：功率放大器低噪声放大器微带线S参数
- 一种硅基光电异质集成中的多量子阱混杂能带方法
- 本发明公开了一种硅基光电异质集成中的多量子阱混杂能带方法。该方法采用P离子注入诱导实现多量子阱能带混杂，包括以下过程：在进行III-V族外延时增加一层扩散缓冲层；生长一层氧化硅并进行标准光刻，刻蚀出注入窗口；进行P离子注...
- 刘新宇周静涛杨成樾刘焕明刘洪刚申华军吴德馨
- 文献传递
- 一种新的AlGaN/GaN HEMT半经验直流特性模型被引量：2
- 2006年
- 在EEHEMT1模型的基础上给出一种新的AlGaN/GaN HEMT半经验直流特性模型,考虑了栅源电压对膝点电压的影响,得到描述AlGaN/GaN HEMT器件I-V特性的方程.此模型可以应用于蓝宝石和SiC两种不同衬底AlGaN/GaN HEMT器件的I-V特性模拟.仿真结果和实验测量结果拟合误差小于3%.
- 刘丹陈晓娟刘果果和致经刘新宇吴德馨
- 关键词：ALGAN/GANHEMT衬底
- 适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/钛/金欧姆接触系统
- 本发明涉及AlGaN/GaN HEMT器件的欧姆接触技术领域，特别是一种适用于AlGaN/GaN HEMT器件的新型欧姆接触Al/Ti/Al/Ti/Au的合金系统。欧姆接触金属蒸发时采用五层结构的AlTiAlTiAu结构...
- 魏珂和致经刘新宇刘健吴德馨
- 文献传递
- 电子束和接触式曝光机的混合曝光技术
- 2002年
- I线光致抗蚀剂可以同时实用电子束和光学系统曝光 ,在 50kV加速电压下 ,其曝光剂量为 50～ 1 0 0 μC/cm2 ,曝光后在 0 7%NaOH溶液内显影 1分钟。其灵敏度比PMMA快 5倍 ,分辨率为 0 5μm。采用两种方法制备CaAsPHEMT :一种用I线光致抗蚀剂 ,对源、漏及栅全部都采用电子束曝光 ,制备了 0 5μm栅长的GaAsPHEMT ;另一种将源、漏及栅分割成两部分 ,其中精细部分由电子束曝光 ,其余部分由光学系统曝光 ,用这种方法制备了 0 2 5μm栅长的GaAsPHEMT。
- 刘明陈宝钦刘小伟尉林鹏吴德馨
- 关键词：电子束曝光
- 高频大功率GaN器件
- 吴德馨钱鹤刘新宇刘键郑英奎魏珂刘洪民王素琴王润梅王文泉汪宁陈晓娟武锦梁晓新杨成樾赵知夷
- 在国内率先建立了拥有自主知识产权和核心技术的2英寸GaN功率器件研制基地，在国产材料上实现的GaN功率器件处于国内领先水平，实现了GaN基高温高频大功率微电子材料和功率器件小批量供应，通过与中国科学院半导体研究所、中国科...
- 关键词：
- 关键词：GAN高频大功率
- 一维非接触式位置敏感探测器
- 吴德馨董文甫葛华平
- 该成果设计并制作出高性能一维非接触位置灵敏探测器。基于对位置灵敏探测器原理的深入研究，巧妙地设计了位置灵敏探测器的结构，获得的位置灵敏探测器具有分辨率高（最小可探测位移0.3微米）、响应速度（延迟时间τ1=10μs）、探...
- 关键词：
- 关键词：位置敏感探测器光检测技术电子器件
- 复合胶电镀制作空气桥的方法
- 一种复合胶电镀制作空气桥的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)在基片上涂复合胶，光刻桥墩；2)高温烘烤，使复合胶边角圆滑；3)在复合胶上溅射起镀层；4)在起镀层上涂二次光刻胶，光刻桥面；5)光刻桥面后在起镀层上电镀金属；...
- 邵刚刘新宇和致经刘键吴德馨
- 文献传递
