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吴文刚

作品数：6 被引量：10H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：中国科学院院长基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇探测器
  • 4篇红外
  • 4篇红外探测
  • 4篇红外探测器
  • 3篇X
  • 2篇应变层
  • 2篇锗硅
  • 2篇锗硅合金
  • 2篇重掺杂
  • 2篇量子阱红外探...
  • 2篇禁带
  • 2篇光电
  • 2篇半导体
  • 1篇电性质
  • 1篇砷化镓
  • 1篇偏压
  • 1篇微米
  • 1篇物理问题
  • 1篇光电响应
  • 1篇光电性

机构

  • 6篇中国科学院
  • 1篇北京师范大学
  • 1篇西安交通大学

作者

  • 6篇吴文刚
  • 5篇江德生
  • 2篇崔丽秋
  • 2篇李月霞
  • 2篇罗晋生
  • 2篇张耀辉
  • 2篇刘伟
  • 1篇常凯
  • 1篇王若桢
  • 1篇郑厚植
  • 1篇宋春英
  • 1篇孙宝权
  • 1篇张万荣

传媒

  • 3篇Journa...
  • 1篇电子学报
  • 1篇电子科学学刊

年份

  • 1篇1998
  • 3篇1997
  • 2篇1996
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
量子阱红外探测器及其相关物理问题的研究
该报告由两部分组成.第一部分包括五篇独立的研究论文,它们围绕着量子阱红外探测器及其相关物理问题这一主题,分别就GaAs/GaAlAs材料系量子阱双色(3~~5μm和8~12μm)红外及中红外(3~5.3μm)探测器、In...
吴文刚
关键词：红外探测器光电响应光耦
p型Si_(1-x)Ge_x应变层中重掺杂禁带窄变的计算被引量：1
1996年
针对应变Si_(1-x)Ge_x的应变致价带分裂和重掺杂对裂值的影响,提出了该合金价带结构的等价有效简并度模型。模型中考虑了非抛物线价带结构。应用这个模型,计算了赝晶生长在<100>Si衬底上的p型Si_(1-x)Ge_x应变层的重掺杂禁带窄变,发现当杂质浓度超过约2～3×10^(19)cm^(-3)后,它在某一Ge组分下得到极大值,而当掺杂低于此浓度时,它则随Ge组分的增加单调下降。与实验报道的对比证实了本模型的有效性。
吴文刚张万荣江德生罗晋生
关键词：锗硅合金重掺杂半导体
P型Si_（1－x）Ge_x应变层中重掺杂禁带窄变的计算
1997年
本文提出了应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ价带结构的等价有效简并度模型．借助这个模型，计算了赝晶生长在（１００）Ｓｉ衬底上的Ｐ型Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变层的重掺杂禁带窄变，发现当杂质浓度超过约２～３×１０１９ｃｍ－３后，它在某一Ｇｅ组分下得到极大值，而当掺杂低于此浓度时，它则随Ｇｅ组分的增加单调下降．与实验报道的对比证实了本模型的有效性．
吴文刚江德生罗晋生
关键词：锗硅合金重掺杂半导体
3～5.3μmIn_xGa_(1-x)As/Al_yGa_(1-y)As/Al_zGa_(1-z)As非对称台阶量子阱红外探测器被引量：2
1998年
本文报道我们率先研制出的３～５．３μｍＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＡｌｙＧａ１－ｙＡｓ／ＡｌｚＧａ１－ｚＡｓ非对称台阶量子阱红外探测器的制备和性能．该探测器具有光伏特征，７７Ｋ温度、±７Ｖ外偏压下的５００Ｋ黑体探测率达到约１．０×１０１０ｃｍ·Ｈｚ１／２／Ｗ，并且，与１→２子带间跃迁相对应的光电流峰值响应波长可随外偏压在中红外（３～５．３μｍ）波段作适当调谐．运用平面波展开法，依据样品的阱、垒结构参数，计算了ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＡｌｙＧａ１－ｙＡｓ／ＡｌｚＧａ１－ｚＡｓ非对称台阶量子阱１→２子带间跃迁的Ｓｔａｒｋ效应。
吴文刚常凯江德生李月霞郑厚植
关键词：红外探测器
3～5微米双势垒量子阱红外探测器结构在不同偏压下的光伏响应被引量：5
1996年
首次采用不同偏压下的光伏谱方法无损测量到双势垒量子阱红外探测器结构的量子阱带间跃迁光伏谱响应．分析结果支持探测器有源区存在内建电场的说法：量子阱区存在由生长不对称引起的指向衬底的内建电场，同时势垒区存在相反的内建电场．
崔丽秋江德生张耀辉刘伟吴文刚王若帧
关键词：红外探测器
GaAs/GaAlAs量子阱双色红外探测器的光电性质的研究被引量：3
1997年
本文综述了有关新型的GaAs／AlGaAs体系双色量子阱红外探测器的结构特性和光电特性的研究工作．双色探测器工作在3～5μm及8～12μm大气窗口波段范围，是光伏响应模式和光导响应模式相结合的偏压控制型两端器件．研究内容包括探测器的器件结构特性、红外光吸收特性、红外光电流响应、暗电流、噪声特性和探测率测试分析等等．首次从理论和实验两方面探讨有关量子阱束缚子能带到扩展态中不同虚能组之间的光跃迁问题及光电子输运问题．
崔丽秋江德生张耀辉吴文刚刘伟宋春英李月霞孙宝权王若桢
关键词：红外探测器光电性质砷化镓
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