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文献类型

  • 6篇标准
  • 3篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 3篇电路
  • 3篇外延片
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  • 2篇集成电路
  • 2篇功率器件
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  • 1篇电力电子器件
  • 1篇电子器件
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机构

  • 9篇中国电子科技...
  • 3篇中国电子技术...
  • 2篇中国电子科技...
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作者

  • 9篇吴维丽
  • 4篇李忠辉
  • 4篇高汉超
  • 3篇张东国
  • 3篇李赟
  • 2篇赵志飞
  • 2篇周俊
  • 1篇张秋
  • 1篇王瑞曾
  • 1篇韩东
  • 1篇尹志军
  • 1篇金毓铨
  • 1篇彭大青
  • 1篇李虹
  • 1篇霍玉柱
  • 1篇杨乾坤

传媒

  • 3篇信息技术与标...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2020
  • 5篇2018
  • 1篇2016
  • 1篇2012
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
微波电路型号命名方法
本标准规定了微波电路的型号命名方法。本标准适用于微波组件、微波混合集成电路、微波半导体集成电路/芯片以及微波无源电路等的型号命名,100GHz以上太赫兹微波电路的型号命名方法可参照执行。
周俊韩东吴维丽孟娟罗炜
关键词:煤矿阻燃输送带阻燃输送带
塑封半导体分立器件标准研究
2016年
针对塑封半导体分立器件无适用总规范的问题,通过对塑封的封装方式、封装性质和封装材料进行分析研究,提出依据塑封和金属陶瓷封两种封装的差异调整的检验项目,有效解决塑封半导体分立器件详细规范制定难的问题。
李虹吴维丽
关键词:塑封半导体分立器件
碳化硅外延片表面缺陷测试方法
本标准规定了碳化硅外延片表面缺陷密度的光学测试方法。本标准适用于在4H晶型碳化硅衬底上生长了同质外延层的外延片的表面缺陷密度测试,样品表面法线方向为[0001]方向,且其偏离角度不应大于8°。
李赟王翼吴维丽赵志飞高汉超张东国李忠辉
微波半导体集成电路 放大器
本文件规定了放大器的分类、技术要求、测试方法和检验规则等。本文件适用于采用半导体集成电路工艺设计制造放大器的设计、制造、采购和验收。
周俊霍玉柱黄建新邢浩吴维丽尹丽仪杨晓瑜朱镇忠李德鹏刘芳汪邦金赵岩
电力电子器件用碳化硅外延片规范
本规范规定了电力电子器件用碳化硅外延片(以下简称碳化硅外延片)的技术要求、质量保证、交货准备以及说明事项等内容。本规范适用于电力电子器件用在n型4H碳化硅衬底上生长了n型(或P型)碳化硅同质外延层的外延片。
主要 李赟 王翼吴维丽赵志飞李忠辉高汉超张东国
微波功率器件及集成电路用砷化镓外延片规范
本规范规定了微波功率器件及集成电路用砷化镓外延片(以下简称砷化镓外延片)的技术要求、质量保证规定、交货准备等内容。本规范适用于砷化镓微波功率器件和砷化镓微波单片集成电路(MMIC)用砷化镓外延片,其他砷化镓外延片可参照使...
高汉超吴维丽张东国李赟李忠辉尹志军王翼
国外新能源汽车用功率模块最新标准研究
2020年
对国外新能源汽车用功率模块现有标准的适用性进行分析,对最新发布的适用于新能源汽车用功率模块的标准主要技术内容,特别是温度冲击、功率循环等关键考核要求进行研究,提出我国相关标准制修订建议。
张秋吴维丽闫美存
关键词:新能源汽车功率模块
PIND试验的特殊属性和适用范围研究被引量:3
2012年
研究了PIND试验的特殊属性——试验结果的不确定性,PIND试验的目的是检测极小颗粒的多余物,设备必须具备很高的灵敏度,因而也就极易受到外界的干扰产生误判,由此分析认为该试验适用于筛选,并具有不可替代的作用,但不适用于质量一致性检验。
吴维丽王瑞曾金毓铨
关键词:多余物
微波功率器件用氮化镓外延片规范
本规范规定了微波功率器件用氮化镓外延片(以下简称氮化镓外延片)的技术要求、质量保证规定、交货准备等内容。本规范适用于微波功率器件用氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)外延片,也适用于微波单片集成电路用GaN HE...
主要 张东国吴维丽杨乾坤彭大青李忠辉高汉超李赟 王翼
共1页<1>
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