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高汉超

作品数：15 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇专利
  • 4篇标准

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 5篇半导体
  • 5篇衬底
  • 4篇晶格
  • 4篇基极
  • 4篇发射极
  • 4篇半导体材料
  • 4篇超晶格
  • 3篇外延片
  • 3篇化合物半导体
  • 2篇单晶
  • 2篇应变弛豫
  • 2篇势垒
  • 2篇束流
  • 2篇束流位置
  • 2篇四元合金
  • 2篇碳化硅
  • 2篇微波功率器件
  • 2篇金属
  • 2篇金属化
  • 2篇晶格结构

机构

  • 15篇中国电子科技...

作者

  • 15篇高汉超
  • 6篇李忠辉
  • 5篇尹志军
  • 4篇程伟
  • 4篇吴维丽
  • 4篇王伟
  • 3篇张东国
  • 3篇李赟
  • 2篇赵志飞
  • 2篇王元
  • 2篇朱志明
  • 1篇彭大青
  • 1篇杨乾坤

年份

  • 1篇2024
  • 3篇2022
  • 1篇2021
  • 4篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
GaAs衬底上生长赝配高电子迁移晶体管材料及方法
本发明是GaAs衬底上生长赝配高电子迁移晶体管半导体材料的外延结构及方法，其结构是半绝缘GaAs衬底上是GaAs缓冲层（2）；缓冲层上是第一势垒层（3）；第一势垒层上是第一平面掺杂层（4）；第一平面掺杂层上是第一隔离层（...
高汉超尹志军
文献传递
一种在InP衬底上外延生长InGaAs的方法
本发明提供一种在InP衬底上外延生长InGaAs的方法，包括以下步骤：步骤1，测定InP衬底的氧化膜厚度；步骤2，测定Ga和In的生长速率；步骤3，对InP衬底进行预处理除气；步骤4，在步骤3的预处理完成后，对InP衬底...
于海龙高汉超王伟马奔
文献传递
一种在InP衬底上外延生长InGaAs的方法
本发明提供一种在InP衬底上外延生长InGaAs的方法，包括以下步骤：步骤1，测定InP衬底的氧化膜厚度；步骤2，测定Ga和In的生长速率；步骤3，对InP衬底进行预处理除气；步骤4，在步骤3的预处理完成后，对InP衬底...
于海龙高汉超王伟马奔
一种实现镓砷锑双异质结双极型晶体管基极金属化的方法
本发明是一种实现镓砷锑双异质结双极型晶体管基极金属化的方法，其主要步骤如下：光刻发射极图形，蒸发金属并剥离形成发射极金属；以发射极金属为掩膜，利用湿法腐蚀工艺腐蚀掉发射区；淀积介质薄膜以保护住基区材料；光刻基极图形，以基...
程伟王元高汉超
文献传递
碳化硅外延片表面缺陷测试方法
本标准规定了碳化硅外延片表面缺陷密度的光学测试方法。本标准适用于在4H晶型碳化硅衬底上生长了同质外延层的外延片的表面缺陷密度测试，样品表面法线方向为[0001]方向，且其偏离角度不应大于8°。
李赟王翼吴维丽赵志飞高汉超张东国李忠辉
一种提高碳掺杂砷化镓铟空穴浓度的生长方法
本发明提供一种提高碳掺杂砷化镓铟空穴浓度的生长方法，步骤包括：S1.准备基体；S2.向上生长第一外延层，所述第一外延层是C掺杂GaAs外延层或非掺杂InAs外延层；S3.向上生长第二外延层，其中，当所述第一外延层是C掺杂...
高汉超
单晶InP基化合物半导体材料薄膜的外延结构
本发明是单晶InP基化合物半导体材料薄膜的外延结构，单晶InP衬底上生长InP基化合物半导体材料薄膜的外延结构，在半绝缘单晶InP衬底生长InP缓冲层；在InP缓冲层上生长重n型掺杂InP次集电极层；在重n型掺杂InP次...
高汉超尹志军程伟李忠辉朱志明
一种实现镓砷锑双异质结双极型晶体管基极金属化的方法
本发明是一种实现镓砷锑双异质结双极型晶体管基极金属化的方法，其主要步骤如下：光刻发射极图形，蒸发金属并剥离形成发射极金属；以发射极金属为掩膜，利用湿法腐蚀工艺腐蚀掉发射区；淀积介质薄膜以保护住基区材料；光刻基极图形，以基...
程伟王元高汉超
文献传递
一种硅基图形衬底的制备方法
本发明提供一种硅基图形衬底的制备方法，包括以下步骤：S1.在Si衬底上生长第一延伸层；S2.刻蚀第一延伸层直至露出Si衬底；S3.在露出的Si衬底上生长介质层；S4.刻蚀第一条型沟槽宽度范围内的介质层直至露出Si衬底；S...
马奔高汉超于海龙王伟
文献传递
电力电子器件用碳化硅外延片规范
本规范规定了电力电子器件用碳化硅外延片(以下简称碳化硅外延片)的技术要求、质量保证、交货准备以及说明事项等内容。本规范适用于电力电子器件用在n型4H碳化硅衬底上生长了n型(或P型)碳化硅同质外延层的外延片。
主要 李赟 王翼吴维丽赵志飞李忠辉高汉超张东国
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共2页<12>
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