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王伟

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 3篇衬底
  • 2篇束流
  • 2篇束流位置
  • 2篇四元合金
  • 2篇硅基
  • 2篇合金
  • 2篇阀门
  • 2篇阀门关闭
  • 2篇半导体
  • 2篇INP衬底
  • 2篇INGAAS
  • 1篇电场
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结晶体管
  • 1篇摄像
  • 1篇摄像机
  • 1篇生长介质
  • 1篇势垒
  • 1篇势垒层
  • 1篇图形衬底

机构

  • 6篇中国电子科技...

作者

  • 6篇王伟
  • 4篇高汉超
  • 1篇宋文
  • 1篇尹志军

传媒

  • 1篇光电子技术

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 2篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2011
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种提高磷化铟异质结晶体管频率性能的基区结构
本发明公开了一种提高磷化铟异质结晶体管频率性能的基区结构，所述基区位于集电区和发射区之间，采用P型掺杂的InGaAs外延层或P型掺杂的InGaAsSb外延层，且在由集电区向发射区的外延过程中，P型掺杂的浓度由低到高渐变，...
马奔于海龙王伟沈逸凡尹志军
一种在InP衬底上外延生长InGaAs的方法
本发明提供一种在InP衬底上外延生长InGaAs的方法，包括以下步骤：步骤1，测定InP衬底的氧化膜厚度；步骤2，测定Ga和In的生长速率；步骤3，对InP衬底进行预处理除气；步骤4，在步骤3的预处理完成后，对InP衬底...
于海龙高汉超王伟马奔
一种硅基图形衬底的制备方法
本发明提供一种硅基图形衬底的制备方法，包括以下步骤：S1.在Si衬底上生长第一延伸层；S2.刻蚀第一延伸层直至露出Si衬底；S3.在露出的Si衬底上生长介质层；S4.刻蚀第一条型沟槽宽度范围内的介质层直至露出Si衬底；S...
马奔高汉超于海龙王伟
文献传递
一种在InP衬底上外延生长InGaAs的方法
本发明提供一种在InP衬底上外延生长InGaAs的方法，包括以下步骤：步骤1，测定InP衬底的氧化膜厚度；步骤2，测定Ga和In的生长速率；步骤3，对InP衬底进行预处理除气；步骤4，在步骤3的预处理完成后，对InP衬底...
于海龙高汉超王伟马奔
文献传递
一种硅基异质集成的InAlAs基HEMT结构
本发明公开了一种硅基异质集成的InAlAs基HEMT结构，属于半导体制造领域。该结构包括Si衬底和在Si衬底上从下至上依次生长的缓冲层、In<Sub>X</Sub>Ga<Sub>1‑X</Sub>As沟道层、In<Sub...
马奔高汉超王伟
文献传递
安全网络摄像机研究
2011年
现有网络监控系统通常建立在IP网络或以太网之上,其安全性远已不能满足涉及到重大秘密的保密单位要求。因此提出并设计了一款具有安全保密特性的高清网络摄像机。在满足现有高清监控要求的同时,利用密码学芯片实现了信息加/解密、数据摘要、数字签名等安全机制和服务。并在此基础上论述了监控系统运行环境安全性设计及基本结构。
王伟宋文
关键词：网络摄像机高清安全性加密
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