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孙大成

作品数：16 被引量：3H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 7篇期刊文章

领域

  • 8篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 5篇夹具
  • 5篇封装
  • 3篇电路
  • 3篇平行缝焊
  • 3篇P型
  • 2篇电流模
  • 2篇电流模式
  • 2篇镀层
  • 2篇信号
  • 2篇数据信号
  • 2篇锁存
  • 2篇锁存器
  • 2篇脉冲宽度调制
  • 2篇管壳
  • 2篇焊料
  • 2篇封装方法
  • 2篇峰值电流模式
  • 2篇版图
  • 2篇版图设计
  • 2篇保护带

机构

  • 10篇中国电子科技...
  • 6篇中国电子科技...
  • 1篇吉林大学

作者

  • 16篇孙大成
  • 6篇陈智
  • 5篇姜硕
  • 3篇王爽
  • 3篇刘笛
  • 2篇王增智
  • 1篇王鹏
  • 1篇唐宁
  • 1篇刘皓
  • 1篇周博
  • 1篇林洪春
  • 1篇陆虹
  • 1篇刘旸
  • 1篇于东阳
  • 1篇李慧

传媒

  • 6篇微处理机
  • 1篇电子与封装

年份

  • 2篇2017
  • 3篇2016
  • 3篇2015
  • 4篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2010
  • 2篇2009
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
FP型陶瓷管壳平行缝焊封装夹具
本实用新型公开了FP型陶瓷管壳平行缝焊封装夹具。该FP型陶瓷管壳平行缝焊封装夹具包括底座及侧板，底座上设有容置槽及第一容置通道，两个第一容置通道分别位于容置槽底部两侧并与容置槽连通，侧板位于容置槽内并与底座连接。本实用新...
刘笛孙大成姜硕
文献传递
管壳封装夹具及利用该夹具的封装方法
本发明涉及一种用于集成电路的管壳的封装夹具及封装方法，所述管壳(22)具有长边和短边，所述封装夹具包括：定位台(20)，所述定位台具有用于对所述管壳(22)进行长边定位的容置槽；和用于将所述管壳、与所述管壳配套使用的盖板...
王增智孙大成
文献传递
基于晶体管级参数提取的后仿真
2010年
介绍了时钟电路芯片的功能,给出了Star-RCXT(RC参数提取工具)的晶体管级参数提取及后仿真流程,详细描述了一些基于晶体管级参数提取的版图后仿真设计经验,给出了设计的前、后仿真的输出对比结果。
孙大成王爽刘皓
关键词：时钟电路
开关DC_DC变换器双斜坡补偿技术设计
2014年
讨论了一种采用双斜坡补偿技术的峰值电流模式控制PWM升压型DC_DC变换器结构,利用双斜坡信号差模输入方法有效消除了单斜坡补偿技术中存在的电路干扰对斜坡信号斜率造成的误差。利用一个求和比较器电路同时实现了电压和电流的双环反馈以及双斜坡补偿,提高了变换器的瞬态响应速度。
孙大成陈智
关键词：峰值电流模式脉冲宽度调制
一种带置位端的D触发器
一种带置位端的D触发器，包括时钟模块、延时滤波模块、主从级DICE锁存器模块、输出模块；其中主从级DICE锁存器模块根据从时钟模块输出的时钟信号，和通过所述延时滤波模块接收的外部数据信号，向数据输出模块输出相应的数据信号...
孙大成陈智王爽
文献传递
低压气相淀积Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>薄膜的制备方法
本发明公开了提供了一种低压气相淀积Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>薄膜的制备方法，该方法包括：a.向反应室内预通入一定量的NH<Sub>3</Sub>；b.向反应室内通入流量比为3:1的NH<Sub...
林洪春孙大成周博姜硕于东阳
文献传递
FP型陶瓷管壳平行缝焊封装夹具
本发明公开了FP型陶瓷管壳平行缝焊封装夹具。该FP型陶瓷管壳平行缝焊封装夹具包括底座及侧板，底座上设有容置槽及第一容置通道，两个第一容置通道分别位于容置槽底部两侧并与容置槽连通，侧板位于容置槽内并与底座连接。本发明的第一...
刘笛孙大成姜硕
文献传递
应用于开关电源芯片的频率抖动技术被引量：1
2016年
为了减小开关电源中的电磁干扰(EMI),研究了单片开关电源中的频率抖动技术,并简要介绍了频率抖动技术及其原理。设计一个具有频率抖动功能的弛张振荡器,分析了以弛张振荡器原理为基础具有频率抖动功能的振荡器结构设计和原理。通过HSPICE仿真分析电路频谱,结果表明频率抖动技术能有效削减方波的各次谐波幅值,从而达到抑制电磁干扰的效果。重点从抖动范围、抖动周期两方面讨论频率抖动模型,频谱对比分析结果表明抖动范围±7%、抖动周期为128T的抖动模型,其谐波至少下降6 d B以上,高次谐波的峰值下降更为明显,满足6 d B工程裕量的要求,能有效抑制电磁干扰。
孙大成
关键词：开关电源脉冲宽度调制频率抖动电磁干扰振荡器频谱分析
0.8μm CMOS/SOI模型参数提取
2009年
0.8μm CMOS/SOI的模型参数提取是基于0.8μm CMOS/SOI工艺,选用HSPICE中的level 57模型。介绍了测试图形的设计经验,分析了SOI器件与体硅器件之间模型的差异,最后给出测试数据及参数测试结果的拟合情况。
孙大成陈智
关键词：模型参数提取
一种带置位端的D触发器
一种带置位端的D触发器，包括时钟模块、延时滤波模块、主从级DICE锁存器模块、输出模块；其中主从级DICE锁存器模块根据从时钟模块输出的时钟信号，和通过所述延时滤波模块接收的外部数据信号，向数据输出模块输出相应的数据信号...
孙大成陈智王爽
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