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文献类型

  • 9篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 3篇淀积
  • 3篇平行缝焊
  • 3篇最小安全距离
  • 3篇闩锁
  • 3篇芯片
  • 3篇芯片产品
  • 3篇夹具
  • 3篇封装
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体芯片
  • 3篇P型
  • 2篇镀层
  • 2篇势垒
  • 2篇肖特基
  • 2篇肖特基势垒
  • 2篇金属
  • 2篇可靠性
  • 2篇硅片
  • 2篇布置方法
  • 2篇F

机构

  • 9篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 10篇姜硕
  • 5篇孙大成
  • 3篇刘笛
  • 2篇唐冬
  • 1篇周博
  • 1篇林洪春
  • 1篇于东阳
  • 1篇李慧

传媒

  • 1篇微处理机

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 5篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
FP型陶瓷管壳平行缝焊封装夹具
本实用新型公开了FP型陶瓷管壳平行缝焊封装夹具。该FP型陶瓷管壳平行缝焊封装夹具包括底座及侧板,底座上设有容置槽及第一容置通道,两个第一容置通道分别位于容置槽底部两侧并与容置槽连通,侧板位于容置槽内并与底座连接。本实用新...
刘笛孙大成姜硕
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阱连接单元的布置方法及包括该阱连接单元的半导体芯片
本发明公开了一种阱连接单元的布置方法,所述方法包括:在多个阱单元行中隔行布置阱连接单元,形成多个阱连接单元行;将所述多个阱连接单元行中的每一行的相邻阱连接单元之间的距离布置成:使得每个阱连接单元行中的阱连接单元以防闩锁效...
姜硕
文献传递
低压气相淀积Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>薄膜的制备方法
本发明公开了提供了一种低压气相淀积Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>薄膜的制备方法,该方法包括:a.向反应室内预通入一定量的NH<Sub>3</Sub>;b.向反应室内通入流量比为3:1的NH<Sub...
林洪春孙大成周博姜硕于东阳
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肖特基势垒
本实用新型公开了一种肖特基势垒,包括硅片、低势垒金属层及电极金属层,所述低势垒金属层蒸镀在所述硅片上,所述电极金属层蒸镀在所述低势垒金属层上并包覆所述低势垒金属层。根据本实用新型的肖特基势垒利用外部的电极金属层对内部的低...
姜硕唐冬
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肖特基势垒制作方法及肖特基势垒
本发明公开了一种肖特基势垒制作方法,该方法包括如下步骤a.在硅片上形成低势垒金属层;b.在低势垒金属层上形成包覆所述低势垒金属层的电极金属层,形成硅片-低势垒金属-电极金属层结构;c.对所述硅片-低势垒金属-电极金属层结...
姜硕唐冬
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FP型陶瓷管壳平行缝焊封装夹具
本发明公开了FP型陶瓷管壳平行缝焊封装夹具。该FP型陶瓷管壳平行缝焊封装夹具包括底座及侧板,底座上设有容置槽及第一容置通道,两个第一容置通道分别位于容置槽底部两侧并与容置槽连通,侧板位于容置槽内并与底座连接。本发明的第一...
刘笛孙大成姜硕
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阱连接单元的布置方法及包括该阱连接单元的半导体芯片
本发明公开了一种阱连接单元的布置方法,所述方法包括:在多个阱单元行中隔行布置阱连接单元,形成多个阱连接单元行;将所述多个阱连接单元行中的每一行的相邻阱连接单元之间的距离布置成:使得每个阱连接单元行中的阱连接单元以防闩锁效...
姜硕
具有阱单元行和阱连接单元行的半导体芯片
本实用新型公开了一种具有阱单元行和阱连接单元行的半导体芯片,包括:多个阱单元行;隔行布置在所述多个阱单元行中的多个阱连接单元行;其中,所述多个阱连接单元行中的每一行的相邻阱连接单元之间的距离布置成:使得每个阱连接单元行中...
姜硕
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一种程控标准电流源设计被引量:1
2013年
设计一款应用于指针表的图像采集系统的程控标准电流源,从功能要求、硬件结构设计及电路设计等几个方面进行了论述。设计的程控标准电流源遵循与计算机匹配的串口通讯规约,可对计算机命令做出正确的执行和回答,可在程序控制下,输出标准电源,电源的精度要求比被检定仪表精度高,符合图像采集系统要求。
姜硕李慧孙大成
关键词:图像采集串口通讯
FP型陶瓷管壳平行缝焊封装夹具
本发明公开了FP型陶瓷管壳平行缝焊封装夹具。该FP型陶瓷管壳平行缝焊封装夹具包括底座及侧板,底座上设有容置槽及第一容置通道,两个第一容置通道分别位于容置槽底部两侧并与容置槽连通,侧板位于容置槽内并与底座连接。本发明的第一...
刘笛孙大成姜硕
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