孙彦卿
- 作品数：9 被引量：3H指数：1
- 供职机构：辽宁大学更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学更多>>
- 短沟道器件阈电压模型
- 1988年
- 本文从yau的模型出发,推导出短沟道MOSFET阈电压表达式:得到了与实验一致的结果;并发现,短沟道器件更适合于低温下工作。
- 孙彦卿石广源唐仁兴李蓬
- 关键词：阈电压表面势电压模型短沟效应硅栅
- 微机械电子学系统被引量：1
- 1993年
- 本文简要地评述了微机构、微传感器、微执行器的发展,提出了微机械电子学系统的概念,指出了微机械电子学系统的发展前景。
- 孙彦卿石广元
- 关键词：微机械微传感器微执行器微机构
- V形槽的腐蚀及其应用被引量：2
- 1981年
- 本文简要地回顾了腐蚀V形槽的几种方法。并以联氨(N_2H_4)腐蚀V形槽工艺为主,结合半导体硅的结构报告了腐蚀方法,及达到最佳化的条件。并指出了此工艺的应用。
- 孙彦卿石广元
- 关键词：窗孔各向异性腐蚀联氨氮化合物晶形掩模版
- 短沟道MOS器件阈电压和跨导的温度关系
- 1992年
- 本文从yau的模型出发,推导出了短沟道硅栅MOSFET的阈电压表达式及阈电压与温度的关系:并考虑短沟道MOSFET的扩散电流。推导出简单的电流—电压关系表达式,求出了跨导;得到了与试验一致的结果。发现,随温度的降低,MOSFET的阈电压的大小上升,阈电压的温度梯度的大小减小,跨导的大小急剧上升。结果表明,MOSFET更适合低温下工作。
- 孙彦卿石广元孙立红
- 关键词：MOS器件阈电压跨导
- 全文增补中
- 一种新的双栅MOSFET物理模型
- 1989年
- 本文以单栅MOSFET的物理模型为基础,导出了双栅MOSFET的物理模型,该模型中,不仅考虑了漏压对沟道长度的调制效应,而且也考虑了栅压对沟道中载流子迁移率的影响,由该模型导出的双栅MOSFET的V—I特性与实验结果做了比较,二者符合得很好,并对器件的V—I特性从物理机制上进行了详细讨论。
- 孙彦卿唐仁兴石广源
- 关键词：双栅MOSFET物理模型
- MOS场效应四极管
- 1989年
- 一 MOS场效应四极管的特性图1是一个在P型Si衬底上制造的Al栅n沟道MOS场效应四极管的截面图。两个n+扩散区分别作为源、漏接触电极。中间n-扩散区用来连接两个沟道,相当于一沟道的漏极,二沟道的源极。在一般电路中,源极接地,漏极接电源,信号由一栅输入,二栅作为自动增益控制电极。这样,随漏压V和两个栅压VG1、VG2的不同,MOS场效应管有四种不同的工作状态。如果用“S”和“L”分别表示沟道工作在饱和区及线性区,用“1”和“2”分别表示一沟和二沟道,那么。
- 孙彦卿唐仁兴石广源
- 关键词：四极管场效应MOS
- 他举电路的分析与设计
- 1987年
- 本文分析他举电路的工作原理,给出该电路的n沟硅栅工艺设计方案,实验结果证明,该电路在驱动能力、工作速度等方面都是极好的。因此,可做为LSI和VLSI中的驱动电路。
- 孙彦卿
- 关键词：硅栅反相器充电时间静态功耗器件尺寸
- 传感器和执行器的未来
- 1993年
- 本文评述微传感器和微执行器的发展.
- 孙彦卿石广元
- 关键词：微传感器微执行器传感器执行器
- MOSFET在很低温度下的特性
- 1992年
- 经研究发现在很低温度下,随着温度的降低,MOSFET的阈电压上升;阈电压的温度梯度减小;跨导急剧上升。这表明,MOSFET在很低温度下的特性更好。
- 孙彦卿石广元孙立红
- 关键词：场效应晶体管MOSFET
