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左磊召
作品数:
3
被引量:1
H指数:1
供职机构:
南京邮电大学电子科学与工程学院
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发文基金:
国家自然科学基金
江苏省高校自然科学研究项目
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相关领域:
电子电信
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合作作者
花婷婷
南京邮电大学电子科学与工程学院
张锐
南京邮电大学电子科学与工程学院
程玮
南京邮电大学电子科学与工程学院
郭宇锋
南京邮电大学电子科学与工程学院
王厚大
南京邮电大学电子科学与工程学院
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建模与仿真研...
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SOI
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表面势
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部分耗尽SO...
机构
3篇
南京邮电大学
作者
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左磊召
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郭宇锋
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程玮
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张锐
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花婷婷
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王厚大
传媒
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微电子学
年份
2篇
2011
1篇
2010
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3
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小尺寸MOS器件阈值电压的三维建模与仿真研究
近年来,MOS 器件小尺寸效应的建模与仿真技术日趋得到了学者们的广泛重视。其中,短沟道效应、窄沟道/反向窄沟道效应成为研究的重点,但现有的一维和二维模型难以准确表述它们之间相互耦合的关系,有必要进行三维建模。 本文...
左磊召
关键词:
阈值电压
短沟道效应
SOI和体硅MOSFET大信号非准静态效应比较研究
2011年
研究了全耗尽SOI、部分耗尽SOI和体硅NMOS器件中源、漏、栅和衬底电流的非准静态现象。研究表明,在相同的结构参数下,体硅器件的非准静态效应最强,PDSOI次之,FDSOI最弱。指出了沟道源、漏端反型时间和反型程度的不同是造成非准静态效应的内在原因。最后提出临界升压时间的概念,以此对非准静态效应进行定量表征,深入研究器件结构参数对非准静态效应的影响规律。结果显示,通过缩短沟道长度、降低沟道掺杂浓度、减小硅膜厚度和栅氧厚度、提高埋氧层厚度等手段,可以弱化SOI射频MOS器件中的非准静态效应。
程玮
郭宇锋
张锐
左磊召
花婷婷
关键词:
全耗尽SOI
部分耗尽SOI
射频
MOSFET
一个MOS器件小尺寸效应的三维表面势和阈值电压模型
本文基于三维泊松方程的求解,建立了一个小尺寸MOS器件的表面势的三维解析模型和新的阈值电压模型。和以往的一维或二维模型相比,本模型不但能够表述小尺寸MOS器件的短沟道效应和反向窄沟道效应,而且能够准确地反映二者相互耦合的...
左磊召
郭宇锋
王厚大
程玮
张锐
花婷婷
关键词:
表面势
阈值电压
短沟道效应
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