张洪强
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- HfTiO氮化退火对MOS器件电特性的影响被引量：1
- 2008年
- 采用磁控溅射方法,在Si衬底上淀积HfTiO高k介质,研究了NO、N2O、NH3和N2不同气体退火对MOS电特性的影响。结果表明,由于NO氮化退火能形成类SiO2/Si界面特性的HfTiSiON层,所制备的MOS器件表现出优良的电特性,即低的界面态密度、低的栅极漏电和高的可靠性。根据MOS器件栅介质(HfTiON/HfTiSiON)物理厚度变化(ΔTox)和电容等效厚度变化(ΔCET)与介质(HfTiON)介电常数的关系,求出在NO气氛中进行淀积后退火处理的HfTiON的介电常数达到28。
- 季峰徐静平张洪强黎沛涛李春霞官建国
- 关键词：高K栅介质氮化
- 不同界面层对HfTaON栅介质MOS特性的影响
- 2009年
- 采用磁控溅射方法,在Si衬底上制备HfTaON高k栅介质,研究了AlON、HfON、TaON不同界面层对MOS器件电特性的影响。结果表明,HfTaON/AlON叠层栅介质结构由于在AlON界面层附近形成一种Hf-Al-O"熵稳定"的亚稳态结构,且AlON具有较高的结晶温度、与Si接触有好的界面特性等,使制备的MOS器件表现出优良的电性能:低的界面态密度、低的栅极漏电、高的可靠性以及高的等效k值(21.2)。此外,N元素的加入可以抑制Hf和Ta的扩散,有效抑制界面态的产生,并使器件具有优良的抵抗高场应力的能力。
- 徐静平张洪强陈娟娟张雪锋
- 关键词：金属-氧化物-半导体高K栅介质氮氧化铝
- 高k栅介质硅MOS器件栅极漏电流模型及制备工艺研究
- 随着MOSFET特征尺寸的不断减小,Si基MOS器件的发展不断逼近其物理极限,栅极漏电的增加直接导致器件不能正常工作,为减小栅极漏电,选用合适的高k材料替代SiO2作为栅介质是一种可行的方法。然而,当高k栅介质的物理厚度...
- 张洪强
- 关键词：高K栅介质
- 文献传递
