徐会武
- 作品数：49 被引量：67H指数：5
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种大功率激光器条形芯片烧结夹具
- 本发明公开了一种大功率激光器条形芯片烧结夹具，涉及半导体光电技术领域。包括夹具底座、定位板、探针定位装置和弹簧探针，所述夹具底座一端设有限位热沉的挡块，另一端设有定位热沉的定位机构，所述定位板通过紧固件垂直安装在固定有热...
- 房玉锁徐会武沈牧任永学王伟
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- 808nm半导体激光器材料参数的数值模拟研究
- 本文使用自洽二维数字模拟软件优化半导体激光器的外延结构,对GaAsP/AlGaAs分别限制单量子阱结构进行了模拟,研究了波导层的掺杂对工作电压的影响。根据模拟结果,采用金属有机化学淀积(MOCVD)技术,外延生长了单量子...
- 车相辉陈宏泰林琳王晶张世祖徐会武刘会民王晓燕杨红伟安振峰
- 关键词：工作电压
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- 940nm～1000nm波段半导体激光器量子阱外延结构
- 本发明公开了一种半导体激光器量子阱外延结构，尤其是一种940nm～1000nm波段的高效率半导体激光器的量子阱外延结构，结构中包括衬底、依次沉积在衬底上的缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、上限制层、电极接触...
- 陈宏泰林琳车相辉王晶徐会武杨红伟安振峰
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- 多芯片无应力半导体激光器封装夹具
- 本实用新型公开了一种多芯片无应力半导体激光器封装夹具，属于半导体激光器芯片封装技术领域，包括底座，所述底座上对称设置有两个可以左右滑动的滑块，两个滑块之间放置顶部压块，所述顶部压块的上表面与固定的施压弹片接触。该结构采用...
- 闫立华王媛媛王伟常会增房玉锁徐会武安振峰
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- 941nm 2%占空比大功率半导体激光器线阵列被引量：4
- 2004年
- 计算了半导体激光器的激射波长与量子阱宽度以及有源层中In组分的关系 ,确定了94 1nm波长的量子阱宽度和In组分 并利用金属有机化合物气相淀积 (MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料 利用该材料制成半导体激光器线阵列的峰值波长为 94 0 .5nm ,光谱的FWHM为 2 .6nm ,在 4 0 0 μs ,5 0Hz的输入电流下 ,输出峰值功率达到1 1 4 .7W(1 6 5A) ,斜率效率高达 0 .81W/A ,阈值电流密度为 1 0 3.7A/cm2 ,串联电阻 5mΩ ,最高转换效率可达 36 .9%
- 辛国锋花吉珍陈国鹰康志龙杨鹏徐会武安振峰
- 关键词：金属有机化合物气相淀积半导体激光器阵列分别限制结构单量子阱
- 一种连续半导体激光器泵浦的固体激光模块
- 本实用新型公开了一种连续半导体激光器泵浦的固体激光模块，涉及激光打标装置技术领域。包括外壳、核心组件、通水管道和水嘴，所述核心组件位于所述外壳内，所述通水管道部分位于所述外壳内，所述通水管道的一端与外壳内的核心组件连接，...
- 闫立华任浩王伟王媛媛徐会武安振峰
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- 高效率976nm激光器材料被引量：5
- 2010年
- 使用自洽二维数字模拟软件优化半导体激光器的外延结构,对GaInAs/AlGaAs分别限制压应变单量子阱结构进行了模拟,研究了包层和波导层的Al组分对工作电压的影响。根据模拟结果,采用金属有机化学淀积(MOCVD)技术,外延生长了单量子阱976nm激光器材料。利用该材料制作成2mm腔长的连续(CW)单管器件,采用C-mount载体标准封装,并进行了测试。测试结果表明,模拟与实验的结论一致,降低优化包层和波导层的Al组分可以减小工作电压,从而提高了976nm半导体激光器的转换效率。室温下,当工作电流为500A/cm2时,包层和波导层Al组分分别为0.35和0.15时,激光器的工作电压降低为1.63V,使得电光转换效率达到67%。
- 田秀伟陈宏泰车相辉林琳王晶张世祖徐会武刘会民王晓燕杨红伟安振峰
- 关键词：压应变工作电压AL组分
- 实现大角度均匀照射的半导体激光器及光场拼接方法
- 本发明公开了一种实现大角度均匀照射的半导体激光器及其光场拼接的方法。所述半导体激光器包括上表面为弧面的底座和至少一组激光器阵列单元组；所述激光器阵列单元组至少包括一个激光器阵列单元。所述激光器阵列单元包括三角楔形管座、位...
- 王晓燕闫立华赵润常会增徐会武陈宏泰安振峰
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- 基于腔面非注入技术的大功率半导体激光器被引量：3
- 2009年
- 采用腔面电流非注入技术,提高了808nm半导体激光器灾变性光学损伤(COD)阈值。通过腐蚀GaAs高掺杂层的方法,在半导体激光器腔面附近形成电流非注入区,以此来减少腔面处的载流子注入。载流子注入水平的降低,减少了腔面处非辐射复合的发生,因而提高了激光器的灾变性光学损伤阈值。应用电流非注入技术制作的器件的最大输出功率达到3.7W;而应用常规工艺制作的器件的最大输出功率为3.1W。同常规工艺相比,采用该技术使器件的最大输出功率提高了近20%。
- 张世祖杨红伟花吉珍陈宏泰陈玉娟家秀云徐会武沈牧
- 半导体侧泵模块激光晶体内吸收光场分析被引量：4
- 2014年
- 建立了半导体侧面泵浦模块中激光晶体的吸收光场分布模型,利用Matlab软件计算了吸收光场的归一化分布形貌,提出了两个重要参数：阵列切向位移量与径向角度偏离度。结果表明：当阵列切向位移量为0~0.5 mm时,晶体相对吸收强度、光场均匀性等参数基本不变;当该数值大于0.5 mm时,吸收强度急剧下降、光场不均匀性急剧增加;相比而言,径向角度偏移对晶体吸收光场分布的影响较小,总体上呈现随着该数值的增加,吸收强度减小、光场不均匀性增加。以上研究结论为目前半导体侧泵模块的研制生产提供了理论指导。
- 闫立华任浩刘小文袁春生王媛媛房玉锁任永学王英顺徐会武安振峰
- 关键词：侧面泵浦
