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方澍

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：北方通用电子集团有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇圆片
  • 2篇圆片级
  • 2篇真空封装
  • 2篇封装
  • 2篇MEMS器件
  • 1篇导带
  • 1篇电极
  • 1篇互连
  • 1篇基板
  • 1篇键合
  • 1篇SOI
  • 1篇铜
  • 1篇LTCC基板
  • 1篇MEMS

机构

  • 3篇北方通用电子...

作者

  • 3篇王晓漫
  • 3篇方澍
  • 2篇刘善喜
  • 1篇余飞

传媒

  • 3篇集成电路通讯

年份

  • 1篇2013
  • 2篇2012
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种SOI MEMS器件电极互连和圆片级真空封装技术
2013年
在SOIMEMS工艺中，采用介质填充，平坦化等工艺手段，实现器件间电极互连和从器件表面引出金属压焊点，工艺技术难度大、工艺复杂、成品率低。一种基于SOI的MEMS器件电极互连结构的设计与工艺可以解决此问题。在MEMS器件圆片级真空封装的硅盖板上，设计一些电隔槽、真空封装环等结构，并在硅盖板上制作金导线，通过金硅共晶键合，把MEMS器件结构中的各电极按设计要求互连起来，并把各电极引出到相应的高掺杂硅的压焊块上，再与对应的金属压焊点相连接在一起，实现了SOIMEMS器件电极互连和圆片级的真空封装。
方澍王晓漫刘善喜
关键词：SOI真空封装
一种MEMS器件圆片级真空封装技术
2012年
介绍了一种MEMS器件圆片级真空封装结构设计与制造过程。通过硅柱、密封环及硅帽的结构设计，结合圆片键合等工艺制造手段，解决了MEMS器件圆片级真空封装中电极从玻璃衬底上引出到器件结构表层或硅帽盖板上的难题，实现了电极的再分布、电气连接、电气隔离和MEMS器件圆片级高真空封装。为了保证MEMS器件的圆片级的高真空封装，进行了两种结构的设计：一是真空密封环的设计，包括真空外密封环和压焊点密封环；二是金属电极的引出，即通过硅柱的设计，起到电气隔离和高真空密封的作用。为MEMS真空封装提供了一条有效的技术途径。
方澍王晓漫刘善喜
关键词：MEMS键合圆片级真空封装
LTCC基板上薄膜铜导带工艺制作技术被引量：2
2012年
在LTCC基板上制作主导体层金属导带是MCM—C／D上实现薄膜多层布线关键技术之一。由于铜具有最高的导电率和高的导热率，且价格便宜、易于加工、抗电迁移性好，所以是最常用的主导体层材料。通过对LTCC基板上制作薄膜铜导带的主要工艺技术研究，摸索出了基板抛磨、附着层和种子层溅射、厚胶光刻、电镀等工序较佳的工艺条件，提出了加工过程中常见问题的解决措施，并对试制样品的Cu导带的线宽精度、厚度、附着力、芯片剪切力进行了测试分析和评价。从测试结果来看，铜膜厚度的均匀性在±10％内，线宽的精度可控制在±10％。
方澍王晓漫余飞
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共1页<1>
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