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李宝霞

作品数:14 被引量:12H指数:2
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 7篇专利
  • 6篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 7篇电子电信

主题

  • 12篇电吸收
  • 12篇电吸收调制
  • 12篇激光
  • 12篇激光器
  • 11篇调制
  • 6篇调制器
  • 5篇多量子阱
  • 5篇反馈激光器
  • 5篇分布反馈激光...
  • 5篇半导体
  • 4篇单片
  • 4篇单片集成
  • 4篇电吸收调制器
  • 3篇叠层
  • 3篇光电
  • 3篇半导体激光
  • 3篇半导体激光器
  • 2篇电极
  • 2篇电阻
  • 2篇氧化硅

机构

  • 14篇中国科学院

作者

  • 14篇李宝霞
  • 14篇王圩
  • 9篇朱洪亮
  • 8篇张靖
  • 8篇赵玲娟
  • 6篇边静
  • 5篇王宝军
  • 4篇胡小华
  • 3篇王鲁峰
  • 3篇周帆
  • 2篇王保军
  • 2篇梁松
  • 2篇朱小宁
  • 2篇杨华
  • 1篇舒惠云
  • 1篇潘教青
  • 1篇赵谦
  • 1篇许晓冬
  • 1篇田惠良

传媒

  • 4篇Journa...
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇物理学报
  • 1篇全国第14次...

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2007
  • 3篇2006
  • 3篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2003
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
多量子阱电吸收调制DFB激光器的一种新型LP-MOCVD对接生长方法被引量:2
2003年
提出了一种提高多量子阱电吸收调制DFB LD集成器件 (EML)耦合效率的对接生长方法 .采用LP MOCVD外延方法 ,制作了对接方法不同的三种样片 ,通过扫描电镜研究它们的表面及对接界面形貌 ,发现新对接结构的样片具有更好的对接界面 .制作出相应的三种EML管芯 ,从测量所得到的出光功率特性曲线 ,计算出不同对接方法下EML管芯的耦合效率和外量子效率 .实验结果表明 ,这种对接生长方案 ,可以获得光滑的对接界面 ,显著提高了激光器和调制器之间的耦合效率 (从常规的 17%提高到 78% )及EML器件的外量子效率 (从 0 0 3mW /mA提高到 0 15mW /mA) .
胡小华王圩朱洪亮王宝军李宝霞周帆田惠良舒惠云边静王鲁峰
关键词:电吸收调制DFB激光器
基于SAG和QWI结合技术的电吸收调制器与可调谐DBR激光器的单片集成(英文)
2005年
报道了基于选择区域生长和量子阱混杂结合技术的电吸收调制器与可调谐DBR激光器的单片集成.集成器件显示出了良好的静态特性:阈值电流为37 mA;100 mA激光器增益区偏置电流下,直流输出功率为3·5 mW;当使用单模光纤耦合(耦合效率15 %) ,调制器偏压在0 ^-2V之间时,静态消光比大于20dB;波长调谐范围为4·4nm,覆盖了6个100GHz间隔的WDM信道.
张靖李宝霞赵玲娟王保军周帆朱洪亮边静王圩
关键词:可调谐激光器电吸收调制器量子阱混杂
用于电吸收调制半导体激光器高频封装的热沉
一种用于电吸收调制半导体激光器高频封装的热沉,其中包括:一电介质热沉基片;一微波传输线,该微波传输线制作在电介质热沉基片的上表面的一侧,该微波传输线在电介质热沉基片的上表面形成三个端点;一薄膜电阻,该薄膜电阻制作在电介质...
李宝霞张靖杨华王圩
文献传递
宽光谱、大功率的半导体超辐射发光二极管及制作方法
一种宽光谱、大功率的半导体超辐射发光二极管,包括:一衬底片;一二氧化硅层,该二氧化硅层制作在衬底片上,在二氧化硅层上刻蚀出平行的宽度渐变的两个三角形二氧化硅图形;一缓冲层,该缓冲层制作在两个三角形二氧化硅图形之间;一下限...
李宝霞张靖赵玲娟王圩
文献传递
选择区域外延生长叠层电吸收调制激光器结构的制作方法
一种选择区域外延生长叠层电吸收调制激光器结构的制作方法,包括如下步骤:步骤1:在衬底上制作调制器段的选择生长图形;步骤2:一次外延同时生长出调制器多量子阱和激光器多量子阱两叠层有源区结构;步骤3:刻制光栅并选择腐蚀去调制...
朱洪亮李宝霞张靖王圩
文献传递
用于电吸收调制半导体激光器高频封装的热沉
一种用于电吸收调制半导体激光器高频封装的热沉,其中包括:一电介质热沉基片;一微波传输线,该微波传输线制作在电介质热沉基片的上表面的一侧,该微波传输线在电介质热沉基片的上表面形成三个端点;一薄膜电阻,该薄膜电阻制作在电介质...
李宝霞张靖杨华王圩
文献传递
选择区域外延生长叠层电吸收调制激光器结构的制作方法
一种选择区域外延生长叠层电吸收调制激光器结构的制作方法,包括如下步骤:步骤1:在衬底上制作调制器段的选择生长图形;步骤2:一次外延同时生长出调制器多量子阱和激光器多量子阱两叠层有源区结构;步骤3:刻制光栅并选择腐蚀去调制...
朱洪亮李宝霞张靖王圩
文献传递
单片集成电吸收调制分布反馈激光器
简化工艺、降低制作成本和提高整体特性是光电子功能集成器件的追求目标和发展方向。本文介绍了一种选择区域外延双有源区叠层结构(SAG-DSAL)新技术,以此技术设计研制了单片集成电吸收调制分布反馈激光器(EML),SAG-D...
朱洪亮梁松李宝霞赵玲娟王宝军边静许晓冬朱小宁王圩
关键词:光电集成器件反馈激光器电吸收调制
文献传递
电吸收调制器和DFB激光器一种改进的双有源层堆积集成方法(英文)被引量:2
2004年
提出了一种改进型的双有源层堆积方法制作单片集成电吸收调制的 DFB激光器 ,报道了器件的制作过程和主要性能 ,初步结果为 :阈值电流 38m A ,激光器在 10 0 m A下出光功率 4 .5 m W左右 ,调制器消光比约 9d B(从+0 .5 V到 - 3.0 V) .对比此前国外报道的具有常规双量子阱堆层结构的器件结果 (出光功率仅 1.5 m W) ,我们制作的器件的出光功率有了明显的提高 .
胡小华李宝霞朱洪亮王宝军赵玲娟王鲁峰王圩
关键词:多量子阱电吸收调制器分布反馈激光器单片集成
用于10Gbit/s传输的对接集成DFB-LD/EA-MD光源(英文)
2005年
报道了用于10Gbit/s传输的DFB激光器和EA调制器对接集成器件的设计、制作和器件特性.工作主要集中于两个方面:提高激光器和调制器间的光学耦合;通过减小调制器电容提高调制带宽.集成器件显示出了良好的静态和高频特性:阈值电流典型值为15mA,最小值为8mA;100mA激光器偏置电流下,输出功率大于10mW;对消光比、电学回波损耗和调制带宽进行了测试,3dB带宽的测量值超过10GHz.
李宝霞胡小华朱洪亮王保军边静赵玲娟王圩
关键词:集成光电器件电吸收调制器分布反馈激光器3DB带宽
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