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张靖: 作品数：38 被引量：8H指数：2; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信更多>>

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单片集成波长可调谐激光器的自动化测试: 单片集成波长可调谐激光器是下一代波分复用光通讯系统中的关键器件，它可以应用在传输端实现波长备份功能，也可以应用在波长路由节点辅助实现波长转换功能。单片集成波长可调谐激光器通常需要两个或者更多的电流控制段来实现波长调谐功能...; 王鲁峰张靖阚强赵玲娟王圩; 关键词：自动化测试; 文献传递

一种面发射激光器及其制备方法: 本公开提供了一种面发射激光器，其特征在于，包括：衬底；多层结构，设置在衬底上，其包括多个低折射率材料层、多个高折射率材料层及有源层，多个低折射率材料层及多个高折射率材料层交替生长形成周期性或准周期性的布拉格反射镜结构，有...; 刘安金张靖; 文献传递

基于SAG和QWI结合技术的电吸收调制器与可调谐DBR激光器的单片集成(英文): 2005年; 报道了基于选择区域生长和量子阱混杂结合技术的电吸收调制器与可调谐DBR激光器的单片集成.集成器件显示出了良好的静态特性:阈值电流为37 mA;100 mA激光器增益区偏置电流下,直流输出功率为3·5 mW;当使用单模光纤耦合(耦合效率15 %) ,调制器偏压在0 ^-2V之间时,静态消光比大于20dB;波长调谐范围为4·4nm,覆盖了6个100GHz间隔的WDM信道.; 张靖李宝霞赵玲娟王保军周帆朱洪亮边静王圩; 关键词：可调谐激光器电吸收调制器量子阱混杂

超低压选择区域生长法制备产生10GHz重复率超短光脉冲的级联电吸收调制器与分布反馈激光器单片集成光源被引量：6: 2006年; 采用超低压(22×102Pa)选择区域生长(selective area growth,SAG)金属有机化学气相沉积(metal_organic chemical vapor deposition,MOCVD)技术成功制备了InGaAsP/InGaAsP级联电吸收调制器(electro absorption modulator,EAM)与分布反馈激光器(distributed feed backlaser,DFB)单片集成光源的新型光电器件.实验结果表明,采用该技术制备的器件具有良好的性能:激射阈值为19mA,出光功率为4·5mW,在5V的驱动电压下达到了20dB的消光比,器件3dB响应带宽达到了10GHz以上.应用这种新型器件,利用级联EAM的光开关效应,获得了重复率为10GHz、半高宽(full_width_at_half_maximum,FWHM)为13·7ps的超短光脉冲.; 赵谦潘教青张靖周光涛伍剑周帆王宝军王鲁峰王圩; 关键词：超低压集成光电子器件超短光脉冲

宽光谱大功率的半导体超辐射发光二极管及其制作方法: 本发明公开了一种宽光谱大功率的半导体超辐射发光二极管，包括：衬底，以及位于所述衬底上的增益介质，该增益介质采用能带结构空间变化的半导体材料形成。本发明同时公开了一种制作宽光谱大功率的半导体超辐射发光二极管的方法。利用本发...; 赵玲娟张靖王圩; 文献传递

用选择混合InGaAsP-InGaAsP量子阱技术研制的两段波长可调谐分布布拉格反射激光器(英文): 2003年; 采用选择混合InGaAsP InGaAsP量子阱技术 ,研制出单脊波导结构的两段可调谐分布布拉格反射 (DBR)激光器 .激光器的阈值电流为 51mA ,可调谐范围为 4 6nm ,边模抑制比 (SMSR)为 40dB .; 陆羽张靖王圩朱洪亮周帆王保军张静媛赵玲娟; 关键词：可调谐激光器 DBR激光器半导体激光器

宽光谱大功率的半导体超辐射发光二极管的制作方法: 本发明公开了一种宽光谱大功率的半导体超辐射发光二极管，包括：衬底，以及位于所述衬底上的增益介质，该增益介质采用能带结构空间变化的半导体材料形成。本发明同时公开了一种制作宽光谱大功率的半导体超辐射发光二极管的方法。利用本发...; 赵玲娟张靖王圩; 文献传递

光纤陀螺用单片集成波导型光收发芯片及其制作方法: 一种光纤陀螺用单片集成波导型光收发芯片，其特征在于，该芯片是把超辐射发光二极管7、波导型探测器和3dB耦合器集成制作在同一InP基片上；其中超辐射发光二极管和波导型探测器通过3dB耦合器连接在一起并通过3dB耦合器的第三...; 赵玲娟张靖朱洪亮王圩周帆王宝军边静王鲁峰; 文献传递

使用SiO_2介质膜实现InGaAsP量子阱混杂(英文): 2003年; 报道了使用SiO2 介质膜导致的无杂质空位扩散实现InGaAsP多量子阱混杂的实验 ,得到 2 0 0nm的最大带隙波长蓝移 .另外 ,采用量子阱混杂制作了蓝移的FP腔激光器。; 张靖陆羽王圩; 关键词：量子阱混杂

垂直腔的光场调控及其应用(特邀): 2021年; 垂直腔是激光器、探测器、滤波器、传感器等器件的核心结构,垂直腔的光场分布对激光器、滤波器、传感器等的性能具有重要的影响。垂直腔的结构影响垂直腔的光场分布,从而影响基于垂直腔的器件设计、制作以及其性能。近年来,人们围绕垂直腔的构建及其光场调控做了大量的研究,在理论基础以及器件应用等方面取得了显著进展。首先,介绍了传统上/下分布布拉格反射镜垂直腔的色散特性,和其光场调控的方法以及它们在激光器和滤波器等领域的应用;其次,介绍了基于一维和二维高折射率差亚波长光栅基复合腔的色散特性,和它们在新型激光器和单片集成多波长滤波器阵列等领域的应用;最后,对文章进行总结并展望了垂直腔的新应用。; 刘安金张靖张靖; 关键词：垂直腔色散激光器滤波器