李永章
- 作品数：5 被引量：4H指数：2
- 供职机构：中国原子能科学研究院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河北省自然科学基金天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 快速热处理辐照掺氮直拉单晶硅中氧沉淀的红外吸收谱研究
- 研究了快速热处理（RTP）对快中子辐照掺氮直拉硅中氧沉淀的作用,对不同辐照剂量的样品先进行的不同温度和降温速率的RTP,再将其与没有经历RTP的样品放入单管扩散炉中进行1 100℃高温20 h 一步退火,保护气氛为氩气。...
- 陈贵锋刘丽丽李养贤李兴华蔡莉莉宋守丽李永章陈东风
- 关键词：红外吸收中子辐照氧沉淀
- 文献传递
- FTIR研究快中子辐照直拉硅中的VO_2被引量：2
- 2005年
- 快中子辐照直拉硅 (CZ Si)经 4 0 0— 4 5 0℃热处理后 ,空位_双氧复合体 (VO2 )是其主要的缺陷 .在 30 0— 5 0 0℃热处理快中子辐照的CZ_Si后 ,IR光谱中有 919.6cm- 1 和 10 0 6cm- 1 两个吸收峰伴随VO2 (889cm- 1 )出现 ,这两个IR吸收峰是VO2 的一种亚稳态缺陷 (O V O)引起的 ,此缺陷态是由一个VO(A中心 )与次临近的一个间隙氧原子 (Oi)相互作用所形成的 .在 30 0℃延长退火时间或升高退火温度 ,都会使 (O V O)转变为稳态VO2 .辐照剂量在 10 1 9数量级 ,经 4 0 0— 4 5 0℃热处理所形成的缺陷主要为多空位型 ,而VO2 被抑制 .
- 杨帅李养贤马巧云徐学文牛萍娟李永章牛胜利李洪涛
- 关键词：快中子辐照直拉硅二氧化钒
- 直拉硅的快中子辐照
- 李养贤刘何燕郝秋艳徐学文陈贵锋李永章李洪涛刘彩池杨帅马巧云
- 该研究通过快中子辐照，在直拉硅片中引入亚稳态缺陷与杂质的相互作用，在硅片表面获得足够深度、可用于器件制造的清洁区；确定了不同的快子辐照剂量对直拉硅性能、内部杂质和缺陷的影响；确定了热处理工艺参数对直拉硅的性能，以及杂质与...
- 关键词：
- 关键词：直拉硅快中子辐照
- 中子辐照对纳米金刚石颗粒的影响——Raman光谱分析被引量：2
- 2004年
- 利用Raman光谱对经中子辐照处理的纳米金刚石微粉进行了分析 ,中子能量为 0 5～ 1 0MeV ,辐照剂量 1 0 1 6～ 1 0 1 7n·cm-2 。中子辐照引起缺陷及应力使Raman峰发生宽化和红移。同时 ,在中子引入的能量的作用下 ,纳米金刚石中部分sp2 杂化的石墨相转变为sp3
- 郭延军郑辙冯有利李永章
- 关键词：中子辐照纳米金刚石RAMAN光谱
- 快中子辐照CZ-Si的FTIR分析
- 2004年
- 应用FTIR技术研究了不同剂量(1×1017～1.17×1019n/cm2)快中子辐照直拉硅(CZ-Si)的辐照缺陷和间隙氧在不同温度热处理时的行为.发现随辐照剂量的增加未退火的样品的间隙氧含量迅速下降,并且间隙氧的下降明显分为3个阶段.FTIR谱表明快中子辐照后主要的辐照缺陷为VO(829 cm-1)复合体.在低温条件下热处理300℃829cm-1(VO)开始消失并出现了825 cm-1(V2O2)、833cm-1(V3O2)、和840cm-1(V2O)和919cm-1(I2O2)四个红外吸收峰,退火温度升高到500℃后只剩下了825cm-1和919cm-1两个缺陷-杂质复合体的红外吸收峰.高温1100℃0.5h辐照引入的缺陷-杂质复合体很快的被消除.延长退火时间辐照样品和未辐照样品的间隙氧沉淀速度有很大的不同.
- 杨帅马巧云刘铁驹李养贤李永章牛胜利李洪涛牛萍娟
- 关键词：快中子辐照辐照缺陷VOFTIR
