李红菊
- 作品数：12 被引量：28H指数：3
- 供职机构：郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程更多>>
- 在多孔硅上外延硅膜的研究
- 固相晶化(SPC)技术制备太阳电池是值得研究的方向.我们用电化学电解的方法在硅片上制备了多孔硅,在多孔硅上用PECVD设备沉积了非晶硅薄膜,对非晶硅薄膜在550℃进行了固相晶化.用拉曼光谱仪、XRD和扫描电镜等手段对硅薄...
- 郭敏张宇翔李红菊王海燕陈永生杨仕娥郜晓勇李维强卢景霄
- 关键词：多孔硅硅薄膜拉曼光谱仪太阳电池
- 文献传递
- 不同衬底上沉积硅薄膜的固相晶化研究被引量：2
- 2008年
- 本文用电化学腐蚀方法制备了多孔硅,并在多孔硅、石英、单晶硅片上用PECVD沉积了本征和P型硅膜,然后将硅膜分别用不同的温度和时间做固相晶化,借助Raman、SEM和XRD等手段对退火前后的硅薄膜微结构进行了分析研究。结果表明:单晶硅和多孔硅衬底上的非晶硅薄膜比石英衬底上的更容易晶化;具有硅晶格的衬底可以明显地起到种晶的作用,在一定条件下可以生长出晶格取向一致的硅膜。
- 陈庆东张宇翔郭敏李红菊高哲王俊平
- 关键词：非晶硅退火PECVD多孔硅
- 用改进的RTP低温制备柱状硅薄膜
- 2007年
- 用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)系统在普通玻璃衬底上制备了氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H),用改进的快速光热退火炉(RTP)对薄膜进行了低温下的退火处理。借助于扫描电子显微镜(SEM)对薄膜表面形貌的分析得知:本实验在600℃下成功制备了柱状结构多晶硅薄膜;相对来说,550℃退火60 s的柱晶效果最好;最大柱晶宽度达到了240 nm;结晶次序为从表面到内部。对实验结果进行了解释。
- 张丽伟李红菊李瑞卢景霄张宇翔王新昌
- 关键词：硅薄膜快速热退火扫描电子显微镜
- 电子束蒸发制备ZnO∶Al透明导电膜及其性能研究被引量：1
- 2006年
- 在本实验中我们利用电子束蒸发方法在玻璃衬底上制备了ZnO:A l透明导电膜,并对所得样品在400℃下进行了退火处理。利用扫描电子显微镜观察了样品的表面形貌,利用分光光度计分析了样品的光学性质,结果表明所得样品在可见光范围具有较好的透光性。利用四探针对其进行了电学性质的测量,表明衬底温度为200℃时制备的样品电阻率可达6×10-3Ω.cm。
- 王子健王海燕郜小勇吴芳李红菊杨根刘绪伟卢景霄
- 关键词：电子束蒸发ZNO衬底温度
- 多孔硅上固相晶化制备晶硅薄膜的初步研究
- 在石油和天然气价格不断上扬的今天,可再生能源(尤其是太阳能)的研究己成为各国各大研究小组研究的重点.随着第三代太阳能电池-薄膜太阳能电池的深入研究,要提高多晶硅薄膜太阳能电池的光伏转换效率,制备高质量的多晶硅薄膜是从本质...
- 李红菊
- 关键词：多晶硅薄膜电化学腐蚀多孔硅PECVD
- 文献传递
- 多孔硅层的剥离及反射率研究被引量：1
- 2007年
- 通过改变电化学腐蚀电流密度的大小成功剥离了多孔硅层,并分析了多孔硅层的剥离机理,测量了多孔硅层的反射率曲线。结果表明:影响多孔硅层剥离的主要因素是多孔硅的形成临界电流密度,当电化学腐蚀的电流密度增大到100mA/cm2时,已经大于多孔硅的临界形成电流,从而发生了硅片表面的电化学抛光,并且多孔硅层对从近紫外到近红外的整个波段反射率都较低。
- 陈庆东张宇翔郭敏王俊平高哲李红菊
- 关键词：多孔硅电化学腐蚀反射率
- 低温沉积硅薄膜微结构的Raman分析被引量：2
- 2007年
- 用Raman散射谱研究了以SiH4/H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,低温制备的一系列硅薄膜的微结构特征。结果表明:在常规气压和常规功率下,衬底温度在200～500℃之间,存在结晶最佳点,400℃结晶效果相对最好;在高压高功率下沉积和常压常功率下沉积相比,高压高功率更有利于薄膜晶化;低温短时的高气压高功率沉积,玻璃衬底与铝覆盖的玻璃衬底相比,玻璃上的硅薄膜晶粒尺寸更大,而铝覆盖的玻璃衬底上的硅薄膜的晶化率更高。
- 张丽伟赵剑涛杨根李红菊郭学军卢景霄
- 关键词：RAMAN硅薄膜微结构
- 硅薄膜晶化机制的光学分析
- 2007年
- 采用拉曼光谱和分光光度计等测试手段,对快速光热过程(RTP)和常规炉过程(CFP)退火后的硅薄膜结构性能和光学性能进行了研究。用Avrami-Mehl-Johnson和Monte Carlo晶体生长模型和黑体辐射理论分析得出,RTP法退火温度低、速度快的原因,是RTP中不仅存在“光量子效应”,而且还存在“光热相长效应”。由光学带隙的计算得知,RTP退火法可使带隙约为1.7eV的非晶硅薄膜变为带隙约为1.28eV的微晶硅薄膜,说明RTP退火达到了较好的结晶效果。
- 张丽伟周伶俐李瑞卢景霄李红菊王红娟谷锦华杨仕娥
- 关键词：RTPCFP拉曼光谱硅薄膜
- 石英衬底上柱状多晶硅薄膜的制备被引量：7
- 2008年
- 利用射频等离子体增强化学气相沉积法(RF-PECVD)在已经预沉积有非晶硅薄膜的石英衬底上低温沉积了N/I非晶硅薄膜,对样品进行了两步快速光热(RTP)退火.采用Raman、X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等测试仪器对样品退火前后的结晶状况和微观形貌进行了分析.结果表明,该N/I非晶硅薄膜退火后的晶化率达到了94%左右,断面形貌为柱状结构,样品中的平均晶粒尺寸约30nm,晶粒团簇的尺寸最大约1.5μm.
- 张丽伟周伶俐李瑞李红菊卢景霄
- 关键词：多晶硅薄膜多晶硅薄膜太阳电池
- 不同衬底制备硅薄膜的微结构研究被引量：5
- 2006年
- 本文用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在普通玻璃衬底、未织构的氧化锌掺铝(AZO)覆盖的普通玻璃衬底和石英衬底上室温下制备了微晶硅薄膜。然后用快速光热退火炉(RTP)在600℃下对样品进行了7m in的退火处理,借助Ram an和SEM对退火前后硅薄膜微结构进行了研究,并用声子限域理论和纳晶表面效应对实验现象进行了分析。结果表明:(1)薄膜沉积过程中,衬底结构对薄膜微结构有重要影响,相对来说石英衬底上沉积的硅薄膜最容易晶化,其次是玻璃衬底,再其次是未织构的AZO覆盖的玻璃衬底。初步分析认为,主要是因为衬底的无序结构与硅的晶体结构的失配程度不同造成的影响;(2)退火后,薄膜晶粒尺寸均增大。进一步推测,AZO薄膜微结构随退火的变化将导致硅薄膜微结构受到牵连影响。
- 李红菊张丽伟杨根赵剑涛张宇翔
- 关键词：拉曼SEM衬底
