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段垚

作品数:23 被引量:6H指数:2
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域:电子电信理学文化科学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 11篇专利
  • 6篇期刊文章
  • 5篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 11篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 10篇衬底
  • 9篇氧化锌
  • 9篇金属
  • 7篇缓冲层
  • 6篇气相沉积
  • 5篇蓝宝
  • 5篇蓝宝石
  • 5篇化学气相
  • 5篇化学气相沉积
  • 5篇ZNO薄膜
  • 4篇气相外延
  • 4篇去离子
  • 4篇去离子水
  • 4篇ZNO
  • 3篇SI衬底
  • 2篇射线衍射
  • 2篇竖直
  • 2篇退火
  • 2篇退火处理
  • 2篇抛光

机构

  • 23篇中国科学院

作者

  • 23篇段垚
  • 22篇曾一平
  • 15篇崔军朋
  • 3篇李晋闽
  • 3篇刘祯
  • 3篇王晓峰
  • 2篇沈文娟
  • 2篇段瑞飞
  • 2篇王启元
  • 2篇王军喜
  • 2篇马平
  • 2篇魏同波
  • 2篇王俊
  • 1篇何金孝

传媒

  • 4篇Journa...
  • 4篇第十四届全国...
  • 1篇发光学报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 2篇2013
  • 1篇2011
  • 3篇2010
  • 5篇2009
  • 4篇2008
  • 2篇2007
  • 5篇2006
  • 1篇2005
23 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
采用金属源化学气相沉积技术制备极性可控氧化锌的方法
本发明公开了一种采用金属源化学气相沉积技术制备极性可控氧化锌的方法,包括:在c-面蓝宝石衬底上生长一层氧化锌膜;对生长有氧化锌膜的蓝宝石衬底进行降温;去掉蓝宝石衬底上生长的氧化锌膜;以及在c-面蓝宝石衬底上进行第二次生长...
王晓峰段垚崔军朋曾一平
文献传递
竖直式HVPE反应系统的理论模拟与GaN厚膜生长被引量:1
2007年
根据流体动力学模型,研究了反应气体在反应室内的浓度分布,以及反应室的温场分布.NH3浓度在衬底附近分布均匀,而GaCl浓度在衬底中心区域较大,周边较小.实验结果表明,外延层在中心区生长速率为260μm/h,周边为140/μm/h.X射线摇摆曲线半高宽为141".O杂质的引入,使得样品具有较强的黄光发射.
马平段垚魏同波段瑞飞王军喜曾一平李晋闽
关键词:氢化物气相外延GAN
利用氧化锌提高LED光提取效率的方法
一种利用氧化锌提高LED光提取效率的方法,包括以下步骤:步骤1:取一GaN基发光二极管外延片;步骤2:在GaN基发光二极管外延片的出光面上生长一层ZnO单晶薄膜;步骤3:利用湿法化学腐蚀的方法,腐蚀ZnO单晶薄膜的表面,...
刘祯段垚王晓峰曾一平
文献传递
高纯氧化锌的化学气相沉积装置及其制备方法
本发明一种高纯氧化锌的化学气相沉积装置,其特征在于,包括:一气相沉积反应室,该气相沉积反应室的上部有一尾气出口;一锌舟,该锌舟由支架固定在气相沉积反应室内,该锌舟的上部为氧化锌的沉积区域;一恒温槽,该恒温槽内装有去离子水...
王晓峰段垚崔军朋曾一平
文献传递
竖直式HVPE反应系统的理论模拟与GaN厚膜生长
根据流体动力学模型,研究了反应气体在反应室内的浓度分布,以及反应室的温场分布.NH3浓度在衬底附近分布均匀,而GaCl浓度在衬底中心区域分布较大,周边较小.实验结果表明,外延层在中心区生长速率为260 μm/h,周边为1...
马平段垚魏同波段瑞飞王军喜曾一平李晋闽
关键词:氢化物气相外延流体动力学
文献传递
生长温度对ZnO膜结构性质和表面形貌的影响
本文利用金属蒸气作为气源的气相外延技术(MVPE)直接在c-面兰宝石衬底上外延生长ZnO膜.研究了生长温度对ZnO膜结构性质和表面形貌的影响.实验结果表明,在低的生长温度(610℃)下,ZnO膜以(114)晶向择优生长;...
王晓峰段垚崔军朋曾一平
关键词:ZNO生长温度表面形貌
文献传递
金属气相沉积法生长氧化锌的电学性质研究
通过金属气相沉积法在(0001)蓝宝石衬底上生长了10 μm厚的ZnO膜。利用变温Hall,SIMS和PL谱对退火前后ZnO样品的电学性质进行了研究。通过变温Hall测试结果发现ZnO 中存在浅施主能级,退火前样品的热激...
王晓峰段垚崔军朋曾一平
关键词:氧化锌薄膜生长电学性质位错结构
文献传递
Effects of Thickness on Properties of ZnO Films Grown on Si by MOCVD
2005年
High quality ZnO films are successfully grown on Si(100) substrates by metal-organic chemical vapor deposition at 300℃. The effects of the thickness of the ZnO films on crystal structure, surface morphology,and optical properties are investigated using X-ray diffraction, scanning probe microscopy,and photoluminescence spectra, respectively. It is shown that the ZnO films grown on Si substrates have a highly-preferential C-axis orientation,but it is difficult to obtain the better structural and optical properties of the ZnO films with the increasing of thickness. It is maybe due to that the grain size and the growth model are changed in the growth process.
沈文娟王俊段垚王启元曾一平
在金属衬底上生长ZnO薄膜的方法
一种在金属衬底上生长ZnO薄膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:取一金属衬底;步骤2:对金属衬底进行抛光,以获得较光滑的表面;步骤3:将抛光后的金属衬底表面清洗干净;步骤4:将清洗干净的金属衬底放入生长设备中,在...
崔军朋段垚王晓峰曾一平
文献传递
采用金属源化学气相沉积技术制备极性可控氧化锌的方法
本发明公开了一种采用金属源化学气相沉积技术制备极性可控氧化锌的方法,包括:在c-面蓝宝石衬底上生长一层氧化锌膜;对生长有氧化锌膜的蓝宝石衬底进行降温;去掉蓝宝石衬底上生长的氧化锌膜;以及在c-面蓝宝石衬底上进行第二次生长...
王晓峰段垚崔军朋曾一平
共3页<123>
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