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崔军朋
作品数:
17
被引量:3
H指数:2
供职机构:
中国科学院半导体研究所
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相关领域:
电子电信
理学
一般工业技术
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合作作者
曾一平
中国科学院半导体研究所
段垚
中国科学院半导体研究所
王晓峰
中国科学院半导体研究所
何金孝
中国科学院半导体研究所
李晋闽
中国科学院半导体研究所
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采用金属源化学气相沉积技术制备极性可控氧化锌的方法
本发明公开了一种采用金属源化学气相沉积技术制备极性可控氧化锌的方法,包括:在c-面蓝宝石衬底上生长一层氧化锌膜;对生长有氧化锌膜的蓝宝石衬底进行降温;去掉蓝宝石衬底上生长的氧化锌膜;以及在c-面蓝宝石衬底上进行第二次生长...
王晓峰
段垚
崔军朋
曾一平
文献传递
高纯氧化锌的化学气相沉积装置及其制备方法
本发明一种高纯氧化锌的化学气相沉积装置,其特征在于,包括:一气相沉积反应室,该气相沉积反应室的上部有一尾气出口;一锌舟,该锌舟由支架固定在气相沉积反应室内,该锌舟的上部为氧化锌的沉积区域;一恒温槽,该恒温槽内装有去离子水...
王晓峰
段垚
崔军朋
曾一平
文献传递
ZnAl_2O_4缓冲层对ZnO外延层晶体质量的影响
被引量:2
2008年
首次报道了通过引入ZnAl2O4缓冲层,以金属源化学气相外延法(MVPE)生长的ZnO晶体质量明显提高.ZnAl2O4缓冲层是通过对溶胶-凝胶法制备的ZnO薄膜进行高温退火而得到的.用双晶X射线衍射仪(DCXRD)对样品进行了θ-2θ和摇摆曲线测量,在ZnAl2O4缓冲层上生长的ZnO厚膜具有高度的择优取向性和良好的晶体质量(摇摆曲线半高宽为342″).用电子扫描显微镜(SEM)观察样品横截面,并测得样品厚度约为10μm.
何金孝
段垚
王晓峰
崔军朋
曾一平
李晋闽
关键词:
溶胶-凝胶法
在金属衬底上生长ZnO薄膜的方法
一种在金属衬底上生长ZnO薄膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:取一金属衬底;步骤2:对金属衬底进行抛光,以获得较光滑的表面;步骤3:将抛光后的金属衬底表面清洗干净;步骤4:将清洗干净的金属衬底放入生长设备中,在...
崔军朋
段垚
王晓峰
曾一平
文献传递
金属源化学气相外延法在c面蓝宝石上生长的ZnO膜及其表征
本文利用Zn蒸气和H2O蒸气在高温下反应成功地在(0002)面蓝宝石衬底上沉积了厚达7-11 μm的高质量ZnO外延层,并发现利用预先由MOCVD低温生长的ZnO模板有助于改善外延层的结晶质量和形貌.XRD分析表明在Zn...
段垚
王晓峰
崔军朋
曾一平
关键词:
ZNO
气相外延
X射线衍射
扫描电镜
文献传递
生长温度对ZnO膜结构性质和表面形貌的影响
本文利用金属蒸气作为气源的气相外延技术(MVPE)直接在c-面兰宝石衬底上外延生长ZnO膜.研究了生长温度对ZnO膜结构性质和表面形貌的影响.实验结果表明,在低的生长温度(610℃)下,ZnO膜以(114)晶向择优生长;...
王晓峰
段垚
崔军朋
曾一平
关键词:
ZNO
生长温度
表面形貌
文献传递
金属气相沉积法生长氧化锌的电学性质研究
通过金属气相沉积法在(0001)蓝宝石衬底上生长了10 μm厚的ZnO膜。利用变温Hall,SIMS和PL谱对退火前后ZnO样品的电学性质进行了研究。通过变温Hall测试结果发现ZnO 中存在浅施主能级,退火前样品的热激...
王晓峰
段垚
崔军朋
曾一平
关键词:
氧化锌
薄膜生长
电学性质
位错结构
文献传递
在Si衬底上生长ZnO薄膜的方法
一种在Si衬底上生长ZnO薄膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:利用化学清洗方法将Si衬底表面清洗干净,并利用氢氟酸刻蚀法去除其表面的氧化层;步骤2:将处理干净的Si衬底放入沉积设备中,蒸发一层金属缓冲层;步骤3...
崔军朋
段垚
王晓峰
曾一平
文献传递
氧化物的化学气相沉积制备装置及制备方法
一种氧化物的化学气相沉积制备装置,包括:一反应管,反应管内部有一金属舟组件和一衬底托,该衬底托的一个表面上可以安置一个或多个衬底;一进气口,用于输送第二气体到该反应管内并能到达衬底处;一加热装置,该加热装置安置在反应管的...
段垚
王晓峰
崔军朋
曾一平
文献传递
MVPE ZnO薄膜材料的制备及性能研究
崔军朋
关键词:
ZNO
蓝宝石
SI
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