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殷景志

作品数：62 被引量：72H指数：4
供职机构：吉林大学电子科学与工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 45篇期刊文章
  • 12篇专利
  • 4篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 48篇电子电信
  • 5篇自动化与计算...
  • 4篇机械工程
  • 3篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 9篇电路
  • 7篇发光
  • 6篇激光
  • 6篇激光器
  • 6篇光放大
  • 6篇光放大器
  • 6篇放大器
  • 5篇读出电路
  • 5篇信号
  • 5篇探测器
  • 5篇量子
  • 5篇光纤
  • 5篇发光管
  • 5篇感器
  • 5篇传感
  • 5篇传感器
  • 4篇振荡器
  • 4篇芯片
  • 4篇芯片面积
  • 4篇光参量

机构

  • 48篇吉林大学
  • 13篇吉林工业大学
  • 7篇中国科学院长...
  • 3篇长春理工大学
  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇长春大学
  • 1篇大连理工大学
  • 1篇通化师范学院
  • 1篇中国科学院
  • 1篇吉林广播电视...
  • 1篇香港城市大学
  • 1篇天津师范大学
  • 1篇美国西北大学

作者

  • 62篇殷景志
  • 26篇杜国同
  • 11篇常玉春
  • 9篇杨树人
  • 8篇王新强
  • 7篇马艳
  • 7篇高福斌
  • 5篇宋俊峰
  • 5篇刘杨
  • 4篇申铉国
  • 4篇康博南
  • 4篇王一丁
  • 4篇刘阳
  • 4篇张铁强
  • 3篇张源涛
  • 3篇张宝林
  • 3篇姜秀英
  • 3篇李万程
  • 2篇许武
  • 2篇金亿鑫

传媒

  • 12篇半导体光电
  • 5篇光电子．激光
  • 4篇中国激光
  • 3篇仪表技术与传...
  • 3篇吉林大学学报...
  • 2篇Journa...
  • 2篇激光杂志
  • 2篇液晶与显示
  • 2篇广西工学院学...
  • 2篇激光与红外
  • 1篇高等学校化学...
  • 1篇物理学报
  • 1篇光子学报
  • 1篇激光技术
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇试验技术与试...
  • 1篇吉林大学学报...
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇中国有色金属...

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 3篇2021
  • 3篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 3篇2004
  • 2篇2003
共 62 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种快速锁定延时锁相环
本发明提供了一种快锁定的延时锁相环电路，属于集成电路技术领域，包括鉴频鉴相器、电荷泵、低通滤波器、压控延时线以及倍频电路。参考时钟和反馈时钟进入PFD中，PFD将参考时钟和反馈时钟之间的相位差转化为时钟周期为常数的脉冲信...
殷景志刘强常玉春蒋佳奇
文献传递
Ⅱ型超晶格InAs／GaInSb红外探测材料被引量：1
2008年
综述了近年来对InAs／GaInSb Ⅱ型超晶格材料的研究结果，给出了禁带宽度与各层厚度和组分的关系。InAs／GaInSb Ⅱ型超晶格材料对应的工作波长范围在3—25μm，有望在LWIR和VLWIR方面替代HgCdTe。
殷景志高福斌马艳纪永成赵强王一丁汤艳娜索辉杜国同
关键词：红外探测器
一种具有微孔结构的NiO‑AlGaN紫外发光管及其制备方法
本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，涉及一类具有微孔结构的NiO‑AlGaN紫外发光管及其制备方法。器件由衬底、衬底上外延生长的AlN缓冲层和下限制层、下限制层上制备的相互分立的AlGaN材料系多量子阱发光层和下电...
董鑫杜国同殷景志张源涛张宝林
文献传递
材料参数对InGaAs红外探测器ROA影响的研究
1～3μm短波红外(SWIR)探测器在空间遥感、成像和光谱分析等方面有着广泛的应用,目前主要集中研制的非制冷红外焦平面阵列 InGaAs 探测器具有可室温工作、暗电流小和探测率高等优点被广泛关注。表征红外探测器性能的重要...
时宝殷景志李龙海高福斌纪永成杜国同金亿鑫
文献传递
一种基于CMS的CMOS图像传感器的读出电路
本发明公开了一种基于CMS技术的低噪声图像传感器读出电路架构，属于半导体图像传感技术领域，整体读出电路包括前端有源相素，增益可编程放大器，带有相关多次采样功能的采样保持电路，带有相关多次采样功能低功耗斜坡ADC。将CMS...
殷景志刘芳园常玉春
文献传递
长波长超辐射集成光源
2000年
为适应光谱分割技术的需求 ,我们采用 In Ga As P/ In P单量子阱外延片 ,用直接耦合的方法将超辐射发光管与半导体光放大器单片集成 ,制得了 1.3μm长波长超辐射集成光源 ,取得了初步的实验结果 ,验证了这种长波长集成器件的可行性。脉冲输出功率与传统长波长超辐射发光管相比有很大的提高。半导体光放大器的增益达到 19d B。
刘杨刘琨宋俊峰殷景志康博南杜国同
关键词：超辐射发光管半导体光放大器光源
等离子体增强MOCVD法生长ZnO薄膜被引量：8
2002年
利用等离子体增强MOCVD法生长出 ZnO薄膜，用X射线衍射谱观察到位于 2θ34．56°处（0002）的衍射峰，表明ZnO沿c方向呈柱状生长．通过荧光光谱，观察到来自于激子的高强度的近带边紫外光发射（375um）．紫外发射光强度与深能级复合发射光强度比高达 193，显示出材料的高质量，并通过原子力显微镜加以验证．为了实现高阻ZnO薄膜，利用高温富氧分段退火和用N2 气进行掺氮两种方法生长高阻ZnO薄膜．结果表明，电阻率由0．65 Ω·cm分别升高到1100 Ω·cm（分段退火）和5×104Ω·cm（掺氮）．进一步比较发现，掺氮的样品不仅电阻率高，而且光荧光特性好，显示出更高的薄膜质量．
王新强杨树人王金忠李献杰殷景志姜秀英杜国同杨如森高春晓Ong H.C.
关键词：等离子体增强MOCVD法ZNO薄膜原子力显微镜半导体薄膜
异质结光电晶体管增益特性分析
1995年
从理论上分析了用宽带隙材料作发射区的ｎ－ｐ－ｎ光电晶体管可提高其发射区注入效率。就ｎ－ｐ－ｎ型光电三极管的增益特性进行了研究。给出了光增益与电增益的关系。
殷景志王志杰石家纬
关键词：光电晶体管异质结增益特性
一种高动态范围MCP探测器前端读出电路及其读出方法
本发明公开了一种高动态范围MCP探测器前端读出电路及其读出方法，属于半导体图像感测技术领域，包括信号输入模块、动态范围扩展模块、缓冲器模块、高速比较器模块、时间数字转换模块及逻辑电路模块；其中，来自探测器的光电流信号，经...
常玉春王若溪李亮郭玉萍刘芳圆李婕菲慕雨松殷景志
文献传递
高精度低功耗噪声整形SAR ADC设计
2024年
针对传统无源有损积分环路滤波器相较于有源无损积分环路滤波器,具有功耗低、电路设计简单等特点,但其噪声传输函数(NTF:Noise Transfer Function)平滑,噪声整形效果较弱的问题,提出了一种无源无损的二阶积分环路滤波器,保留了无源有损积分优点的同时具有良好噪声整形效果。设计了一款分辨率为16 bit、采样率为2 Ms/s的混合架构噪声整形SAR ADC。仿真结果表明,在125 kHz带宽、过采样比为8时,实现了高信号与噪声失真比(SNDR(Signal to Noise and Distortion Ratio)为91.1 dB)、高精度(14.84 bit)和低功耗(285μW)的性能。
赵壮付云浩谷艳雪常玉春殷景志
关键词：逐次逼近型模数转换器低功耗
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