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8-羟基喹啉铝在多孔铝中的发光研究被引量：2: 2003年; 利用多孔铝非常高的孔隙率,将8-羟基喹啉铝(Alq3)镶嵌到多孔铝中,得到Alq3/多孔铝镶嵌膜,研究了不同条件下制备的多孔铝镶嵌膜的荧光光谱。实验表明,Alq3在多孔铝中的发光峰位在490 nm左右,比其在固态粉末状态蓝移了许多。Alq3/多孔铝镶嵌膜的发光特性与多孔铝中嵌入Alq3分子的数量及聚集程度有关。当分子数量较多、聚集程度较大时,发光增强,光谱峰位红移,但聚集程度太大时,易发生荧光猝灭现象。数量较多时,由于Alq3分子大多以范德瓦尔斯力结合,聚体较少,所以峰位移动幅度不大。实验中还发现,Alq3因为处在小孔中,光学性质稳定,荧光光谱带宽超过100 nm,比一般染料大得多,这使Alq3/多孔铝镶嵌膜有可能在固体可调谐激光器方面得到新的应用;同时也为探究Alq3/多孔铝镶嵌膜在电致发光器件中的发光特性奠定了基础,为将其进一步推向实用提供了实验依据。; 董艳锋李清山王菲菲; 关键词：8-羟基喹啉铝多孔铝发光光致发光光谱孔隙率

多孔氧化铝镶嵌有机染料的发光研究: 近年来,纳米的概念已渗入到力学、药物学、生物学、物理学、化学、电子学、机械学、材料科学等领域.多孔氧化铝具有典型的自组织结构,孔径大小一致,尺寸可控,排列规则.该文主要利用多孔氧化铝非常高的孔隙率和在可见光范围内几乎是光...; 王菲菲; 关键词：多孔氧化铝光致发光谱给体受体; 文献传递

C102∶RH6G多孔铝镶嵌膜的发光研究被引量：4: 2003年; 将香豆素102(C102)和若丹明6G(RH6G)按一定的比例混合在乙醇溶液中,结果发现其荧光光谱出现了双峰结构,并研究了浓度对荧光光谱的影响。再将C102和RH6G镶嵌在一定条件下制备的多孔铝中,研究了不同浓度对多孔铝发光光谱的影响。实验表明C102∶RH6G多孔铝复合体系有可能是展宽固体可调谐激光器调谐范围的一种新途径。; 王菲菲李清山王桂珍王晓静; 关键词：香豆素荧光光谱发光性质

多孔硅的制备条件对其光致发光特性的影响: 本文研究了多孔硅的制备条件,对其制备方法、表面形态、发生特性以及发光机理等方面的性能进行深入研究,对其影响因素进行了重点分析.; 王晓静李清山董艳锋王菲菲王桂珍; 关键词：多孔硅光致发光特性电阻率; 文献传递

多孔铝膜的偏振特性研究被引量：4: 2002年; 用阳极氧化方法制备了多孔Al,并向其孔中镀入Cu,观察到了其表现出的偏振性质。实验结果表明,镀Cu多孔Al膜确实和线栅偏振器一样表现出偏振性质。未电镀的多孔Al,在650.0nm显示出较好的偏振特性;对于电镀的样品,在1500.0nm显示出较好的偏振特性。电镀后的多孔Al膜的透射率相对降低,但偏振度明显提高。; 董艳锋李清山吴福全张冬青王菲菲王晓静王桂珍; 关键词：偏振特性电镀光电器件

教育生态学视野下中小学教师教育技术能力探究——以日照市东港区中小学教师为例: 随着教育信息化进程的不断推进,教育界正在发生天翻地覆的变革,教师的发展也正处在一个关键时期,如何不断提高教师的教育技术能力更是一个巨大的挑战。国内外学者对教师教育技术能力的发展进行了深入的研究,对影响教师教育技术能力的因...; 王菲菲; 关键词：中小学教师教育技术能力教育生态学; 文献传递

Rh6G/多孔氧化铝复合体系发光的研究被引量：2: 2003年; 研究了Rh6G/多孔氧化铝复合体系冲洗前后的荧光光谱 ,结果发现冲洗后的荧光光谱相对于冲洗前的荧光光谱有一定的蓝移 ,并研究了RH6G在三种不同状态下的荧光光谱 .实验发现 ,染料的确以某种方式存在于多孔氧化铝中 ,在多孔氧化铝中的荧光光谱相对于在溶液中的荧光光谱有一定程度的展宽 .预测多孔氧化铝有可能是一种比较好的载体 ,在发展固体染料激光器方面有较大的作用 .; 王菲菲李清山; 关键词：荧光光谱固体染料激光器蓝移发光性质

含纳米金属阵列阳极氧化铝膜的偏振特性被引量：5: 2004年; 利用阳极氧化铝的纳米多孔阵列结构特性 ,将金属Cu电镀到氧化铝的孔中 ,得到含有金属纳米阵列的氧化铝膜。实验发现 ,这种氧化铝膜确实象金属线栅偏振器一样表现出偏振特性 ,是一种新型微偏振器件。它在波长大于 5 0 0nm时吸收很小 ,在波长为 1.5 μm时有高达 6 7.1%的透射率和 2 5 .6dB的消光比。该氧化铝膜的偏振特性与阳极氧化和电镀条件有关。随着电流密度的增大 ,金属柱增多 ,光学损失增大 ,透射率降低 ,而偏振度增大。但是当电流密度增加到某一数值时 ,偏振度降低。通过优化制备条件 ,可得到高效率的氧化铝微偏振器。这种微偏振器制作简单 ,体积小 ,在光电通信领域有着非常广泛的应用前景。; 董艳锋李清山吴福全张冬青王菲菲; 关键词：薄膜光学阳极氧化铝膜透射率消光比光通信

多孔硅的制备条件对其光致发光特性的影响被引量：7: 2004年; 不同的实验条件下制备的多孔硅的光致发光 (PL)特性是不同的 ,这是许多研究产生分歧的主要原因。对比分析了阳极氧化电流密度、阳极氧化时间、溶液浓度以及自然氧化时间对多孔硅光致发光光谱的影响。认为在一定的范围内 ,多孔硅的发光峰位会随电流密度的增大而蓝移 ,要获得较强的发光 ,需要选择合适的电流密度 ;随着腐蚀时间的延长 ,多孔硅的发光峰位也发生蓝移。当HF酸的浓度较小时 ,峰位随浓度的增大表现为向低能移动 ;而当HF酸的浓度较大时 ,峰位随浓度的增大则表现为移向高能。多孔硅在空气中自然氧化 ,其发光峰位发生蓝移 ,而发射强度随放置时间的延长而降低。; 王晓静王佐臣李清山王菲菲王桂珍; 关键词：多孔硅

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