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班大雁

作品数：7 被引量：12H指数：2
供职机构：中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 7篇电子电信
  • 6篇理学

主题

  • 5篇半导体
  • 4篇ZNS
  • 3篇电子结构
  • 3篇电子能
  • 3篇电子能谱
  • 3篇子结构
  • 3篇硫化
  • 3篇硫化锌
  • 3篇光电子能谱
  • 3篇光电子能谱研...
  • 2篇异质结
  • 2篇ZNSE
  • 2篇表面电子
  • 1篇导体
  • 1篇碲化镉
  • 1篇微观结构
  • 1篇光谱
  • 1篇发光
  • 1篇发光光谱
  • 1篇高频

机构

  • 7篇中国科学技术...
  • 2篇钢铁研究总院
  • 2篇合肥国家同步...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院长...

作者

  • 7篇班大雁
  • 7篇方容川
  • 3篇张海峰
  • 3篇李永平
  • 2篇徐彭寿
  • 2篇徐世宏
  • 1篇袁诗鑫
  • 1篇余庆选
  • 1篇薛剑耿
  • 1篇陆尔东
  • 1篇徐彭涛

传媒

  • 5篇物理学报
  • 1篇中国科学（A...
  • 1篇发光学报

年份

  • 3篇1997
  • 4篇1996
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
CdTe（111）表面碱金属吸附的电子结构特性研究被引量：1
1996年
从理论和实验两个方面对ＣｄＴｅ（１１１）表面碱金属吸附的电子结构特性进行了研究．实验结果表明碱金属Ｋ在ＣｄＴｅ（１１１）表面吸附是Ｃｄ替位吸附，它影响了ＣｄＴｅ（１１１）表面的表面态分布，产生了费密钉扎现象．在理论方面，首先采用线性糕模轨函数（ＬＭＴＯ）方法对ＣｄＴｅ（１１１）表面的Ｋ吸附电子结构特性作了研究，得出了与实验符合的结果．对碱金属在ＣｄＴｅ（１１１）表面的吸附电子结构特性系统对比研究表明ＣｄＴｅ（１１１）表面的碱金属吸附特性不仅受碱金属原子序数的影响。
张海峰李永平方容川班大雁
关键词：碲化镉半导体电子结构
Ge/ZnSe(100)异质结能带偏移的同步辐射光电子能谱研究被引量：2
1997年
利用同步辐射光电子能谱研究了Ｇｅ／ＺｎＳｅ（１００）极性界面的能带连接问题．表面灵敏的芯能级谱显示出Ｇｅ原子与Ｓｅ原子在界面处存在较弱的化学反应．利用芯能级技术，测量了该异质结的价带偏移，为１７６±０１ｅＶ．用界面键极性模型对ＺｎＳｅ（１００）极性表面对价带偏移的影响进行了讨论。
班大雁方容川杨风源袁诗鑫徐世宏徐彭涛
关键词：半导体异质结光电子能谱锗
高频溅射生长ZnS∶Tb，F薄膜的结构与发光被引量：4
1996年
本文采用Ｘ射线衍射和阴极射线发光技术对溅射法生长的ＺｎＳ∶Ｔｂ，Ｆ薄膜的发光光谱和薄膜的微观结构进行了研究，得出了激晶薄膜的晶粒尺寸与发光强度的关系．讨论了稀土离子的价态对掺杂稀土微晶薄膜的发光性质与晶粒尺寸的关系的影响．
余庆选班大雁张纪发方容川
关键词：微观结构发光光谱硫化锌
ZnSe(100)极性表面电子结构研究被引量：1
1997年
从实验和理论方面研究了闪锌矿结构ＺｎＳｅ（１００）表面电子结构，讨论了ＺｎＳｅ（１００）无再构无弛豫理想表面及其ｃ（２×２）非二聚和二聚再构表面的结构稳定性，从中得到ＺｎＳｅ（１００）非二聚再构表面较理想表面和二聚再构表面稳定，支持了Ｆａｒｅｌ等的实验结果，分析了ＺｎＳｅ（１００）理想表面与非二聚再构表面表面电子态差别，并与同步辐射光电子能谱作了对比。
班大雁方容川李永平张海峰
关键词：半导体表面电子结构
Si/ZnS极性界面能带偏移的同步辐射光电子能谱研究
1997年
用同步辐射光电子能谱测量了Ｓｉ／ＺｎＳ（１１１）及（１００）异质结的价带偏移ΔＥｖ．对于Ｓｉ／ＺｎＳ（１１１）及（１００）两界面，ΔＥｖ的实验结果均为（１９±０１）ｅＶ，与已有理论预期值相当符合，但与Ｍａｉｅｒｈｏｆｅｒ所报告的ＺｎＳ／Ｓｉ（１１１）异质结测量结果之间则存在明显差别．该实验结果表明对于Ｓｉ／ＺｎＳ极性界面，互逆性规则（ｃｏｍｍｕｔａｔｉｖｉｔｙｒｕｌｅ）可能不成立，就此进行了讨论．
班大雁方容川薛剑耿陆尔东徐世宏徐彭寿
关键词：光电子能谱硫化锌硅
ZnS（111）表面电子结构研究被引量：4
1996年
利用ＭｕｆｉｎＴｉｎ轨道线性组合（ＬＭＴＯ）法，采用ｓｌａｂ模型计算了半导体ＺｎＳ（１１１）表面的电子结构，给出了总体、局域及分波态密度，分析了两种ｓｌａｂ模型的表面稳定性和表面态．
班大雁张海峰李永平方容川
关键词：硫化锌半导体结构电子结构
Ge/ZnS(111)异质结能带偏移的同步辐射光电子能谱研究被引量：1
1996年
利用同步辐射光电子能谱研究了Ge/ZnS(111)异质结界面的能带连接问题.芯能级谱显示出Ge原子与S原子在界面处存在反应.利用芯能级谱及价带谱技术,测量了该异质结的价带偏移.对于衬底温度为200℃条件下生长的异质结,其价带偏移为l.94士 0.leV;而室温条件下生长的异质结,则为2.23土 0.leV该实验结果与一些理论计算值进行比较,符合得较好.
班大雁杨风源方容川徐世红徐彭寿孟宪信
关键词：异质结光电子能谱半导体
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