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胡云中

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 3篇电学测量
  • 3篇引线
  • 3篇芯片
  • 2篇电路
  • 2篇电路版图
  • 2篇图结构
  • 2篇版图
  • 1篇电阻阵列
  • 1篇首尾端
  • 1篇层间介质

机构

  • 3篇中国科学院微...

作者

  • 3篇赵超荣
  • 3篇杜寰
  • 3篇胡云中
  • 3篇雒建斌
  • 3篇范雪梅

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2009
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
用于测试层间介质是否产生侵蚀的铜引线电路版图结构
本发明公开了一种用于测试层间介质是否产生侵蚀的铜引线电路版图结构，所述铜引线电路版图包括一个由多根宽度相等的、等间隔排列的铜引线构成的铜电阻阵列，铜引线的根数大于3，所述铜电阻阵列中铜引线首尾相串联，所述铜电阻阵列首尾端...
范雪梅赵超荣杜寰胡云中雒建斌
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用于测量铜引线是否产生凹型坑的电路版图结构
本发明公开了一种用于测量铜引线是否产生凹型坑的电路版图结构，所述电路版图结构包括一组独立的铜引线十字单元阵列，所述独立十字单元阵列由至少2个相互独立的十字单元构成，每个独立十字单元由等臂十字结构的铜引线构成。本发明可以用...
范雪梅赵超荣杜寰胡云中雒建斌
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用于测量铜引线是否产生凹型坑的电路版图结构
本发明公开了一种用于测量铜引线是否产生凹型坑的电路版图结构，所述电路版图结构包括一组独立的铜引线十字单元阵列，所述独立十字单元阵列由至少2个相互独立的十字单元构成，每个独立十字单元由等臂十字结构的铜引线构成。本发明可以用...
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