胡利方
- 作品数：40 被引量：43H指数：4
- 供职机构：太原理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山西省青年科技研究基金山西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺一般工业技术化学工程文化科学更多>>
- Al/TiO2异质结对TiO2薄膜阻变行为的影响
- 2019年
- 采用溶胶凝胶法和旋涂工艺在FTO导电玻璃表面制备了Ti O2薄膜,通过在Ti O2薄膜表面蒸镀Al电极构建了Al/Ti O2/FTO结构的阻变器件。通过AFM、XRD和拉曼光谱分别研究了Ti O2薄膜的表面形貌、晶相组成和晶体结构。结果表明,Ti O2薄膜表面平整,晶相结构为锐钛矿结构,I-V测试表明Al/Ti O2/FTO阻变器件表现出无初始化过程的双极性阻变特性。通过与无Al电极的W(探针)/Ti O2/FTO阻变器件进行对比,得到了基于Al/Ti O2界面效应控制的阻变过程和电流传输机制。研究结果表明Al/Ti O2/FTO器件在低阻态下正偏压区间为Pool-Frenkel传导机制,负偏压区间为欧姆导电机制和肖特基发射;在高阻态下则满足陷阱控制的空间电荷限制电流传导机制。W/Ti O2/FTO阻变器件分别是高阻态为缺陷控制的空间电荷限制电流导电机制,低阻态为欧姆导电机制。
- 王浩胡利方薛永志韩伟韬庞子明
- 关键词：TIO2
- Cr_2N沉淀相对2101双相不锈钢焊接接头综合性能的影响被引量：5
- 2013年
- 对经济型2101双相不锈钢焊接接头1 050℃固溶后在700℃进行不同保温时间的时效处理.采用光学显微镜、SEM和TEM观察接头各区域的组织演变,对接头进行低温冲击试验和动电位极化腐蚀试验.结果表明,1 050℃固溶处理改善了接头的组织和性能;700℃时效处理后焊缝和HAZ析出Cr2N沉淀相,随着时效时间延长,沉淀相长大,数量变多并向铁素体内部生长,使接头冲击韧性降低,断口由塑性断裂的韧窝状转变为脆性断裂的解理状;固溶处理试样点蚀发生在铁素体内部,时效处理后点蚀发生在Cr2N周围的二次奥氏体区,时效时间越长,接头的抗点蚀能力越差.Cr2N的析出对接头焊缝区的影响最为显著.
- 孟庆森王皓胡利方
- 关键词：焊接接头冲击韧性
- 基于阳极键合的玻璃与Kovar合金连接被引量：1
- 2023年
- 利用阳极键合成功实现了Borofloat33(BF33)玻璃与Kovar合金的连接。键合电流变化表明,键合过程中,电流先快速增大到峰值,之后呈指数式下降,且键合电流峰值随着键合温度与电压的升高而增大。利用扫描电子显微镜(SEM)对Glass-Kovar界面进行微观形貌观察,键合界面良好,在500℃/1000 V的条件下,Glass-Kovar界面处Na+耗尽层的厚度约为100 nm。室温拉伸试验表明,样品的剪切强度随着键合温度与电压的升高而增大,且断裂总是发生在玻璃基体上。
- 庞子明胡利方贾旭韩伟韬李子昊
- 关键词：阳极键合
- 焊后热处理对2101双相不锈钢接头组织和性能的影响被引量：4
- 2014年
- 采用等离子弧焊+手工电弧焊工艺焊接经济型双相不锈钢2101,焊接接头分别在1050、1150℃固溶处理,利用金相显微镜、SEM、EDS和低温冲击试验等方法分析了接头组织、成分和性能。结果表明:2101双相不锈钢焊接时焊缝和HAZ易生成沉淀相Cr2N,使接头冲击韧性下降;1050℃固溶处理可以消除沉淀相,均衡两相比例,保证接头性能;固溶温度进一步升高,接头组织中铁素体含量增多,晶粒粗化,性能恶化。
- 王皓鲍亮亮胡利方孟庆森
- 关键词：相比例沉淀相冲击韧性
- Pyrex玻璃与金属阳极键合机理及界面结构和力学性能的分析
- 阳极键合技术/(anodic bonding/)也称之为静电场连接是一种连接金属、半导体与陶瓷材料的很重要的方法，也是MEMS封装中常用的一种方法，随着MEMS器件的发展，它在MEMS制造领域的地位越来越重要。本文运用阳...
- 胡利方
- 关键词：阳极键合硅铝可伐合金
- 文献传递
- 电场激活Ti/Ni扩散偶连接界面相变规律与力学性能的研究被引量：2
- 2015年
- 本试验采用电场激活扩散连接技术（FADB）实现了Ti/Ni的扩散连接。研究了Ti/Ni两种材料发生界面扩散反应时新相的生成规律及其对连接强度的影响。利用扫描电子显微镜及能谱仪观察和分析了扩散层的显微组织、相组成和界面元素分布。采用万能试验机对扩散层的抗剪切性能进行了测试。研究结果表明,在电场作用下,Ti与Ni通过固相扩散形成了良好的冶金结合界面,界面处金属间化合物的生成次序依次为Ni3Ti、Ni Ti2、Ni Ti。当扩散温度≥750℃时,Ti表现出超塑性和良好的扩散性,促使扩散层中的Ni3Ti转变成富钛层,该富钛层的形成有利于接头强度的提高。界面的剪切强度随着电流的增大而增大,当电流为930~1200 A时,界面的剪切强度可达90.54 MPa。
- 董凤陈少平樊文浩胡利方孟庆森
- 关键词：电场激活相变剪切强度
- 电场激活辅助AlMgB_(14)-TiB_2与金属的反应扩散连接及界面结构分析
- 2015年
- 采用FAPAS烧结工艺原位合成了Al Mg B14-Ti B2复合材料,并分别同步实现了与金属Nb和Mo的扩散连接。利用XRD、SEM和EDS等手段对连接界面扩散层的相组成、微观形貌和元素分布特征进行了分析;探讨了在电场、温度场、压力场多物理场耦合条件下的扩散层形成机制及扩散连接过程。结果表明,Al Mg B14-30%（质量分数）Ti B2复合材料与金属Nb和Mo可以实现同步合成和扩散连接,形成宽170～180μm的均匀致密的扩散连接层;Ti B2在烧结过程中富集于连接界面,并与金属反应生成金属间化合物;硼元素在浓度梯度作用下的连续扩散和金属间化合物的形成是扩散连接的主要机制。
- 程慧玲孟庆森胡利方陈少平雷煜
- 关键词：金属
- 固体电解质(玻璃)与硅的阳极连接机理及界面分析被引量：1
- 2006年
- 固体电解质(玻璃)与硅片通过阳极连接可以实现良好键合。采用SEM和EDS对界面结构进行了分析。连接的过程与由耗尽层产生的静电场力有紧密关系,通过建立的模型分析了电场力产生的原因。实验表明:温度、压力、连接时间、表面光洁度、电压是影响连接质量的重要因素,优化连接参数是形成良好连接界面的前提。
- 胡利方秦会峰宋永刚孟庆森
- 关键词：硅
- 电场对AZ31B/Cu连接界面扩散反应和扩散溶解层结构的影响
- 本试验采用电场激活扩散连接技术(FADB),实现了A231B/Cu的扩散连接。研究了电场对Az31B/cu扩散溶解层生长过程的影响。利用SEM、EDS、xRD和TEM等手段对扩散溶解层的显微组织、相组成和界面元素分布进行...
- 董凤王福明胡利方陈少平孟庆森
- 关键词：电场激活扩散溶解层显微硬度
- DC-V型通用电桥电路技术在机械量测试中的应用
- 2006年
- 介绍了一种新型的DC-V型通用电桥电路的构成及基本原理。对比分析电阻应变式电桥的各自工作状态性能。所提出的DC-V型通用电桥电路可显著提高测量精度,保证测量精度的稳定性,同时实现了测量电桥的互换。
- 李育德秦会峰胡利方
- 关键词：测量电路
