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以单质粉末为脱氧剂的掺铊碘化铯晶体生长技术: 本发明以高纯碳、硅或锗单质粉末为脱氧剂，和CsI多晶粉末或CsI(Tl)碎晶块作为生长原料，烘干和充分混合均匀后，密封在铂金或石英坩埚中。采用Bridgman方法进行晶体生长。在特殊设计的下降驱动系统中，坩埚的下降速度控...; 任国浩陈晓峰李中波丁栋舟薛炫萍齐玲君; 文献传递

非真空坩埚下降法生长CsI(Tl)晶体的闪烁性能被引量：1: 2006年; 研究了用非真空铂坩埚下降法生长的CsI(Tl)晶体的在紫外和γ射线激发下的光致发光和光衰减特征,探索了CsI(Tl)晶体的发光强度和发光不均匀性与Tl离子含量和分布之间的关系以及改善晶体发光均匀性的措施。并对CsI(Tl)晶体在γ射线辐照下光输出随积分时间和辐照剂量的变化做了分析和讨论。实验表明,用这种方法所生长的CsI(Tl)晶体的发射波长、衰减时间和辐照硬度与其他方法生长的同类晶体相同。; 任国浩陈晓峰薛炫萍李中波沈勇陆晟; 关键词：CSI(TL)晶体光输出非均匀性

变价元素铋掺杂钨酸铅晶体辐照损伤的研究被引量：1: 2003年; 采用剂量为 4Mrad的γ射线辐照Bridgman法生长的未掺杂和掺铋钨酸铅晶体 ,研究了辐照前后晶体的透射光谱、X射线激发发射光谱 (XSL)的变化 .利用正电子湮没寿命谱 (PAT)和X光电子能谱 (XPS)的实验手段 ,对钨酸铅晶体辐照前后的微观缺陷进行了研究 ,并对其抗辐照损伤性能及微观机理进行了初步探讨 .研究表明 ,铋掺杂使得晶体中的正电子捕获中心和低价氧浓度下降 ;辐照后 ,未掺杂晶体中正电子捕获中心浓度下降 ,低价氧浓度上升 ,掺铋晶体则出现了与之完全相反的情况 ,正电子捕获中心浓度上升 ,低价氧浓度下降 .提出掺铋钨酸铅晶体中铋的掺杂辐照前主要以Bi3+占据VPb的形式存在 ,辐照使变价元素铋发生Bi3+→Bi5+的变价行为 ,Bi5+可以替代W6+格位并使得晶体内部分 (WO4 ) 2 -根团形成 (BiO3+Vo) -.; 梁玲顾牡段勇马晓辉刘峰松吴湘惠邱隆清陈铭南廖晶莹沈定中张昕宫波薛炫萍徐炜新王景成; 关键词：钨酸铅晶体辐照损伤透射光谱正电子湮没寿命谱 X光电子能谱强子对撞机

PbF2：Tb，Sm晶体x射线激发的发射光谱: 本文以在非真空环境下的 Stockbarger 坩埚引下法,使用化学反应除氧法生长的纯的和掺铽(Tb)、钐(Sm)浓度范围在0．05—0．5wt%的 PbF：β为样品,研究了它们在室温下的 x 射线激发(钨辐射)的光谱发...; 沈定中刘建成薛炫萍; 文献传递

+3价离子掺杂钨酸铅晶体发光性能和微观缺陷的研究被引量：7: 2004年; 通过透射光谱、x射线激发发射光谱 (XSL)的测试 ,研究了Bridgman法生长的几种不同 +3价离子掺杂钨酸铅晶体的发光性能 ,并利用正电子湮没寿命谱 (PAT)和x光电子能谱 (XPS)的实验手段 ,对不同钨酸铅晶体的微观缺陷进行研究 .实验表明 ,不同的 +3价离子掺杂 ,对钨酸铅晶体发光性能的改善不同 ,并使得晶体中正电子俘获中心和低价氧的浓度发生不同变化 .其中掺镧晶体的正电子俘获中心和低价氧浓度均上升 ,而掺钇和掺铋晶体的正电子俘获中心和低价氧浓度均下降 ,掺锑晶体则出现了正电子俘获中心浓度上升、低价氧浓度下降的情况 .提出 +3价离子在钨酸铅晶体中的掺杂作用机理并不相同 ,晶体中La3+ 将替代Pb2 + 的格位 ,Y3+ 和Bi3+ 将占据铅空位 ,而锑可以以Sb3+ 替代Pb2 + 格位和Sb5+ 替代W6 +; 梁玲顾牡段勇马晓辉刘峰松吴湘惠邱隆清陈铭南廖晶莹沈定中张昕宫波薛炫萍徐炜新王景成; 关键词：钨酸铅晶体正电子湮没寿命谱 X光电子能谱发光性能

Nb_2O_5掺杂对提高钨酸铅晶体发光性能的微观研究被引量：1: 2003年; 通过透射谱、X射线激发发射谱 (XSL)的测试 ,研究了布里奇曼 (Bridgman)法生长的掺铌钨酸铅晶体的发光性能 ,并利用正电子湮没寿命谱 (PAT)和X射线光电子能谱 (XPS)的实验手段 ,对其微观缺陷进行了深入研究。结果表明 ,铌掺杂能够有效地改善钨酸铅晶体的 35 0nm吸收带 ,提高钨酸铅晶体的发光快成分比例 ,并使得晶体中的正电子捕获中心浓度上升 ,低价氧浓度上升。提出掺铌钨酸铅晶体中Nb5+ 将占据W6+ 格位并使得晶体内部分(WO4) 2 -根团成为 (NbO3 +VO) -,由此可改善钨酸铅的发光性能。; 梁玲顾牡段勇马晓辉刘峰松吴湘惠陈铭南廖晶莹沈定中张昕宫波薛炫萍徐炜新王景成; 关键词：钨酸铅晶体正电子湮没寿命谱掺杂 X光电子能谱透射光谱

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薛炫萍