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许春芳

作品数:23 被引量:9H指数:2
供职机构:华东师范大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金上海市科学技术委员会资助项目更多>>
相关领域:电子电信理学医药卫生一般工业技术更多>>

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 7篇专利
  • 2篇会议论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 7篇电子电信
  • 5篇理学
  • 1篇经济管理
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇医药卫生
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇电池
  • 4篇
  • 4篇H
  • 3篇等离子体
  • 3篇淀积
  • 3篇核磁
  • 3篇核磁共振
  • 3篇
  • 3篇A-SI
  • 3篇磁共振
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化硅
  • 2篇等离子体淀积
  • 2篇电池结构
  • 2篇阳离子交换膜
  • 2篇氧化硅
  • 2篇原子
  • 2篇正硅酸乙酯
  • 2篇质子
  • 2篇氢原子

机构

  • 23篇华东师范大学
  • 2篇中国科学院上...
  • 1篇复旦大学

作者

  • 23篇许春芳
  • 5篇熊大元
  • 5篇徐少辉
  • 5篇范焕章
  • 5篇王连卫
  • 4篇陈少强
  • 4篇何奕骅
  • 4篇朱一平
  • 3篇翁丽敏
  • 2篇杨光
  • 2篇孙学超
  • 2篇杨金洪
  • 2篇王济身
  • 2篇褚君浩
  • 1篇卢学坤
  • 1篇汤世豪
  • 1篇邬学文
  • 1篇沈国雄
  • 1篇张健
  • 1篇陈永兴

传媒

  • 4篇华东师范大学...
  • 3篇微电子学与计...
  • 1篇分析化学
  • 1篇辽宁中医学院...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇波谱学杂志
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇首届中国功能...
  • 1篇中国物理学会...

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2019
  • 3篇2018
  • 1篇2002
  • 2篇2001
  • 1篇1999
  • 2篇1998
  • 1篇1996
  • 3篇1995
  • 3篇1992
  • 1篇1991
  • 3篇1989
  • 1篇1900
23 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
硫化物钝化GaAs表面的研究进展
1991年
叙述用硫钝化GaAs表面的研究动态,包括表面处理工艺,已取得的效果及表面钝化的机理,并指出今后的研究内容。
许春芳卢学坤
关键词:GAAS硫化物钝化半导体材料
高效导热管
一种高效导热管,由母管1和子管2组成,母管1和子管2均为金属管,母管1套在子管2外,母管1两端封闭,母管1内封有低压空间10和无毒液体11,管口20和21分别从母管1的两端伸出,母管1水平放置时无毒液体11浸没子管2,低...
许春芳单正林韦凤萍杨金洪陈越民丁钦学
文献传递
顾乃强乳腺增生病电脑诊疗专家系统的医理设计——附130例临床验证
1999年
此专家系统在修善顾博士行医经验和治疗原则的基础上 ,利用多媒体技术 ,结合声频、视频、图片和文本以治疗乳腺增生病。在医疗设计中 ,着重于顾博士的类型识别要点和乳腺增生病的自然规律。尤其 ,此医疗设计阐明了顾博士所总结的有价值的治疗经验 ,以突出此专家系统的科学性、实用性和可操作性。笔者曾将此专家系统应用于临床 1 30份病例的治疗中。其结果表明此专家系统的临床治疗正确率与顾博士临床治疗相对照达 98%。
陈文浩唐新顾乃强刘新福许春芳
关键词:乳腺增生病医理行医专家系统电脑相片
KF-1带锈涂料
许春芳杨金洪于振炎谭锡圆丁钦学孙学超王天行
根据国内外的科技动态和市场需求,该成果由华东师大研究开发,并将由上海事华涂料有限公司组织生产。KF-1带锈涂料又称除锈防锈底漆,即在有锈蚀的钢铁表面,涂复这种涂料,可将锈蚀转化为防锈保护层,并且可做底漆使用。KF-1带锈...
关键词:
关键词:带锈涂料
等离子体淀积氮化硅的研究进展被引量:1
1992年
介绍了等离子体淀积氮化硅薄膜的最新研究进展,包括薄膜的生长工艺、淀积机理、应用及膜中氢的分析。
许春芳
关键词:氮化硅等离子体淀积
一种双极板制作工艺
本发明公开了一种双极板制作工艺,其步骤如下:(1)选用足量的聚乙烯石蜡,置于容器中加热直至全部熔化;(2)将石墨板浸入熔融的聚乙烯石蜡中,等到没有气泡冒出为止再拿出;(3)将经过渗蜡处理的石墨板包边并确保内部不漏液,然后...
施方尧申南熙许春芳王连卫徐少辉朱一平熊大元陈少强
文献传递
碘化锌电池中石墨毡电极材料的处理方法
本发明公开了碘化锌电池中石墨毡电极材料的处理方法,其步骤如下:(1)将石墨毡切割成所需形状大小;(2)采用RCA标准清洗法清洗切割好的石墨毡,以排除表面和通道内的各种杂质;(3)将其放入快速热退火炉中进行高温热处理,加速...
王连卫钱瑞金振宇徐少辉熊大元施方尧申南熙许春芳
文献传递
用TEOSPECVD氧化硅做掩蔽层选择性生长金刚石薄膜
1995年
本文研究了在HF—CVD法中,衬底温度Ts对PETEOS(等离子体增强正硅酸乙酯)氧化硅—硅衬底上选择性生长金刚石薄膜的影响。结果表明:Ts变化影响PETEOS氧化硅掩蔽层区域和硅表面金刚石晶粒成核密度。Ts较低时(750—820℃),PETEOS氧化硅区域成核密度远小于裸露硅表面;随Ts升高(>820℃),氧化硅区域成核密度增加很快;当Ts>850℃时,氧化硅区域成核密度超过硅表面。
何奕骅许春芳范焕章孙卓王学军郑志豪朱建中杨申仲
关键词:金刚石选择性掩蔽层
等离子体淀积二氧化硅的抗电特性被引量:2
1992年
文章报道了等离子体二氧化硅的抗电特性研究,并指出生长温度和退火条件对抗电特性有直接影响。
许春芳范焕章邵家瑜
关键词:等离子体淀积二氧化硅
一种锌碘电池结构
本发明公开了一种锌碘电池结构,包括外壳,所述的外壳内形成腔体,腔体的中间设置有将腔体分割成两部分的阳离子交换膜;其负极输出端设置有保护阳离子交换膜的玻璃纤维件;在玻璃纤维件的外侧设置有浸润有ZnI<Sub>2</Sub>...
王连卫施方尧申南熙许春芳徐少辉朱一平熊大元陈少强褚君浩
共3页<123>
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