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何奕骅

作品数：4 被引量：1H指数：1
供职机构：华东师范大学信息科学技术学院电子工程系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇原子
  • 2篇氢原子
  • 2篇NX
  • 2篇PECVD
  • 2篇A-SI
  • 2篇H
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇等离子体
  • 1篇选择性
  • 1篇掩蔽层
  • 1篇氧化硅
  • 1篇氧化硅薄膜
  • 1篇正硅酸乙酯
  • 1篇金刚石
  • 1篇金刚石薄膜
  • 1篇光谱
  • 1篇光谱分析
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇硅酸

机构

  • 4篇华东师范大学

作者

  • 4篇何奕骅
  • 4篇许春芳
  • 2篇杨光
  • 2篇范焕章
  • 2篇翁丽敏
  • 1篇邬学文
  • 1篇张健
  • 1篇郑志豪
  • 1篇孙卓
  • 1篇朱建中
  • 1篇王学军

传媒

  • 3篇华东师范大学...
  • 1篇波谱学杂志

年份

  • 2篇1998
  • 2篇1995
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
用TEOSPECVD氧化硅做掩蔽层选择性生长金刚石薄膜
1995年
本文研究了在ＨＦ—ＣＶＤ法中，衬底温度Ｔｓ对ＰＥＴＥＯＳ（等离子体增强正硅酸乙酯）氧化硅—硅衬底上选择性生长金刚石薄膜的影响。结果表明：Ｔｓ变化影响ＰＥＴＥＯＳ氧化硅掩蔽层区域和硅表面金刚石晶粒成核密度。Ｔｓ较低时（７５０—８２０℃），ＰＥＴＥＯＳ氧化硅区域成核密度远小于裸露硅表面；随Ｔｓ升高（＞８２０℃），氧化硅区域成核密度增加很快；当Ｔｓ＞８５０℃时，氧化硅区域成核密度超过硅表面。
何奕骅许春芳范焕章孙卓王学军郑志豪朱建中杨申仲
关键词：金刚石选择性掩蔽层
PECVD a-SiNx:H的~1H NMR研究
1998年
用质子核磁共振（1HNMR）方法对等离子体化学气相淀积非晶氢化氮化硅薄膜（PECVD－α－SiNx：H）进行测量，分析膜中H的含量和分布与淀积温度、射频功率等工艺条件的关系，以及退火的影响。
翁丽敏何奕骅范焕章许春芳杨光邬学文
关键词：氢原子核磁共振PECVD
PETEOS发射光谱分析
1995年
现场采集ＰＥＴＥＯＳ发射光谱，分析和研究用等离子体正硅酸乙酯淀积氧化硅反应的机理和产物，并初步探究如何达到工艺控制，应用于生产的问题。
张健何奕骅许春芳
关键词：正硅酸乙酯等离子体氧化硅薄膜光谱分析
PECVD a-SiNx∶H薄膜中的氢分布被引量：1
1998年
用红外光谱、质子核磁共振谱对以ＳｉＨ４／ＮＨ３／Ｎ２混合气体为源、用等离子体增强化学气相淀积法淀积的非晶氢化氮化硅（ａＳｉＮｘ∶Ｈ）薄膜进行了分析，结果表明膜中Ｈ以ＳｉＨ和ＮＨ形式存在，均呈集聚和疏散两种分布状态，衬底温度影响氢的总量和分布均匀性，射频功率显著影响［ＮＨ］／［ＳｉＨ］，退火后氢仍呈集聚和疏散两种分布．
何奕骅翁丽敏许春芳杨光邬学文
关键词：氮化硅氢原子
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