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翁丽敏

作品数：4 被引量：1H指数：1
供职机构：华东师范大学信息科学技术学院电子工程系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 2篇原子
  • 2篇氢原子
  • 2篇介质膜
  • 2篇NX
  • 2篇PECVD
  • 2篇VLSI
  • 2篇A-SI
  • 2篇H
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇电荷特性
  • 1篇电压
  • 1篇淀积
  • 1篇脉冲电压
  • 1篇化学汽相淀积
  • 1篇核磁
  • 1篇核磁共振
  • 1篇磁共振

机构

  • 4篇华东师范大学

作者

  • 4篇翁丽敏
  • 3篇范焕章
  • 3篇许春芳
  • 2篇杨光
  • 2篇何奕骅
  • 2篇王刚宁
  • 1篇邬学文
  • 1篇黎想
  • 1篇汪静

传媒

  • 3篇华东师范大学...
  • 1篇波谱学杂志

年份

  • 1篇1999
  • 2篇1998
  • 1篇1996
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
脉冲电压下介质膜的击穿寿命
1999年
该文测量了电应力作用下栅介质膜中陷阱电荷积累、以及在撤除应力后陷阱电荷减少的规律，在此基础上提出了解释脉冲应力下栅介质膜击穿寿命的模型。并对样品在直流电压与脉冲电压下的击穿寿命进行测量比较，发现随着脉冲频率的增加，栅介质膜击穿寿命增加。
范焕章王刚宁翁丽敏汪静黎想
关键词：介质膜脉冲电压VLSI
PECVD a-SiNx:H的~1H NMR研究
1998年
用质子核磁共振（1HNMR）方法对等离子体化学气相淀积非晶氢化氮化硅薄膜（PECVD－α－SiNx：H）进行测量，分析膜中H的含量和分布与淀积温度、射频功率等工艺条件的关系，以及退火的影响。
翁丽敏何奕骅范焕章许春芳杨光邬学文
关键词：氢原子核磁共振PECVD
PETEOS氧化硅膜的成分与电荷特性
1996年
本文分析了以正硅酸乙酯溶液为源，用等离子体增强化学汽相淀积法淀积的氧化硅膜的成分与电荷等特性，以及淀积和退火工艺条件对这些特性的影响。
许春芳范焕章何弈骅王刚宁翁丽敏
关键词：介质膜VLSI化学汽相淀积
PECVD a-SiNx∶H薄膜中的氢分布被引量：1
1998年
用红外光谱、质子核磁共振谱对以ＳｉＨ４／ＮＨ３／Ｎ２混合气体为源、用等离子体增强化学气相淀积法淀积的非晶氢化氮化硅（ａＳｉＮｘ∶Ｈ）薄膜进行了分析，结果表明膜中Ｈ以ＳｉＨ和ＮＨ形式存在，均呈集聚和疏散两种分布状态，衬底温度影响氢的总量和分布均匀性，射频功率显著影响［ＮＨ］／［ＳｉＨ］，退火后氢仍呈集聚和疏散两种分布．
何奕骅翁丽敏许春芳杨光邬学文
关键词：氮化硅氢原子
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共1页<1>
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