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王刚宁

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：华东师范大学信息科学技术学院电子工程系更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇介质膜
  • 2篇VLSI
  • 1篇电荷特性
  • 1篇电路
  • 1篇电压
  • 1篇淀积
  • 1篇脉冲电压
  • 1篇可靠性
  • 1篇化学汽相淀积
  • 1篇击穿
  • 1篇击穿特性
  • 1篇集成电路

机构

  • 3篇华东师范大学

作者

  • 3篇范焕章
  • 3篇王刚宁
  • 2篇翁丽敏
  • 1篇桂力敏
  • 1篇贺德洪
  • 1篇许春芳
  • 1篇黎想
  • 1篇汪静
  • 1篇张蓓榕

传媒

  • 3篇华东师范大学...

年份

  • 1篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1996
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
脉冲和直流应力下栅氧化膜击穿特性的差别
1998年
本文讨论了在直流电压应力和脉冲电压应力作用下栅氧化膜击穿寿命的差别，脉冲应力下栅氧化膜击穿寿命大于直流电压下的击穿。而且频率越高，两者的差别越大。差别起因于脉冲低电平期间栅氧化膜损伤的自行减少。
范焕章王刚宁张蓓榕贺德洪桂力敏
关键词：集成电路可靠性击穿
脉冲电压下介质膜的击穿寿命
1999年
该文测量了电应力作用下栅介质膜中陷阱电荷积累、以及在撤除应力后陷阱电荷减少的规律，在此基础上提出了解释脉冲应力下栅介质膜击穿寿命的模型。并对样品在直流电压与脉冲电压下的击穿寿命进行测量比较，发现随着脉冲频率的增加，栅介质膜击穿寿命增加。
范焕章王刚宁翁丽敏汪静黎想
关键词：介质膜脉冲电压VLSI
PETEOS氧化硅膜的成分与电荷特性
1996年
本文分析了以正硅酸乙酯溶液为源，用等离子体增强化学汽相淀积法淀积的氧化硅膜的成分与电荷等特性，以及淀积和退火工艺条件对这些特性的影响。
许春芳范焕章何弈骅王刚宁翁丽敏
关键词：介质膜VLSI化学汽相淀积
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共1页<1>
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