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陈艾

作品数:40 被引量:329H指数:12
供职机构:电子科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域:电气工程电子电信一般工业技术理学更多>>

文献类型

  • 32篇期刊文章
  • 7篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 11篇电子电信
  • 11篇电气工程
  • 9篇一般工业技术
  • 7篇理学
  • 5篇化学工程
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 12篇电容
  • 12篇电容器
  • 8篇纳米
  • 7篇超大容量离子...
  • 5篇电极
  • 5篇氧化镍
  • 5篇碳纳米管
  • 5篇纳米管
  • 4篇PTSI
  • 4篇掺杂
  • 3篇导体
  • 3篇电极材料
  • 3篇电流变
  • 3篇水热
  • 3篇探测器
  • 3篇赝电容
  • 3篇赝电容器
  • 3篇红外
  • 3篇红外探测
  • 3篇红外探测器

机构

  • 40篇电子科技大学
  • 8篇四川工业学院
  • 8篇重庆光电技术...
  • 3篇西南电子设备...
  • 2篇成都信息工程...
  • 2篇四川大学
  • 1篇东南大学
  • 1篇华北光电技术...
  • 1篇西华大学
  • 1篇北京真空电子...

作者

  • 40篇陈艾
  • 14篇吴孟强
  • 11篇梁逵
  • 8篇杨家德
  • 8篇宁永功
  • 8篇刘爽
  • 6篇周旺
  • 5篇李悦
  • 5篇王有钧
  • 4篇刘俊刚
  • 3篇谭昌瑶
  • 3篇徐榕青
  • 3篇邓宏
  • 2篇陆海鹏
  • 2篇张利华
  • 2篇沈思特
  • 2篇何莉
  • 2篇叶芝祥
  • 2篇张其翼
  • 1篇朱卓娅

传媒

  • 7篇硅酸盐学报
  • 5篇电子学报
  • 4篇电子元件与材...
  • 3篇电子科技大学...
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  • 2篇金属热处理
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  • 1篇红外与激光工...
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  • 1篇物理化学学报
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇激光与红外
  • 1篇电子科技导报
  • 1篇第二届中国功...
  • 1篇第三次全国功...

年份

  • 1篇2008
  • 3篇2004
  • 1篇2003
  • 7篇2002
  • 10篇2001
  • 6篇2000
  • 3篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1992
  • 3篇1991
  • 1篇1990
  • 1篇1989
40 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
纳米级PtSi/P-Si(100)薄膜形成工艺研究被引量:1
2001年
用XRD、XPS、TEM分析手段研究了在P Si( 10 0 )上溅射的Pt膜 ,经不同工艺形成PtSi薄膜的物相及连续性。通过分析硅衬底预处理以及退火条件、气氛等对成膜质量的影响 ,找到形成超薄PtSi膜的工艺方法 ,制备出 4nm连续薄膜。
刘爽宁永功陈艾刘俊刚杨家德李昆
关键词:红外探测器纳米级退火
水热晶化法合成TiO_2晶须被引量:25
2001年
以TiCl4为原料 ,KOH为矿化剂 ,采用水热晶化法合成了金红石结构的TiO2 晶须 .采用X射线衍射 (XRD)、透射电镜 (TEM )等对所得产物进行了表征 .实验考察了前驱物粉体Ti(OH) 4用量、反应温度、反应时间及pH值等条件对产物结构和形貌的影响 ,并探讨了金红石结构TiO2 晶须的形成机理 .研究结果表明 ,增大 pH值、提高反应温度及延长反应时间 ,都有利于金红石结构的TiO2 的形成并取向于 ( 110 )面方向生长 ;在本文所建立的强碱性介质中氨分子对TiO2 晶须的生长无显著的影响 .在优化的水热反应条件下 ,即原粉用量为 2 0~ 6 0 g/L ,反应介质pH为 12~ 14 ,反应温度为 14 0~ 180℃ ,反应时间为 6~ 10h ,可获得尺寸均匀、形貌规则、结晶性好的金红石结构TiO2 晶须 .
吴孟强陈艾周旺徐榕青
关键词:水热晶化法
掺杂Mo^(6+)、Cr^(6+)灵巧膜α-WO_3的电致变色效应被引量:10
1998年
本文介绍了单掺杂Mo6+及双掺杂Mo6+、Cr6+的溶胶-凝胶膜α-WO3的电致变色特性,实验结果与价间电荷跃迁理论所预言的复合膜透射率谱吸收峰移动规律一致,文章还采用晶体结构的离子配位场理论,解释了该复合膜是一种吸收型电致变色材料,其变色机理可归结为膜层中“小极子”跃迁而产生的光吸收.
陈艾高能武朱卓娅
关键词:电致变色透射率掺杂
凝胶-燃烧法合成纳米晶SnO_2粉体被引量:35
2002年
通过金属硝酸盐 (氧化剂 )和柠檬酸 (燃料 )的凝胶 -燃烧方法合成了纳米晶SnO2 粉体 .TG -DSC分析得知 ,凝胶的着火温度为 2 5 0℃ .采用XRD ,TEM ,BET及FTIR对粉体进行了表征 ;考察了着火温度、燃料用量和热处理温度对所获得的粉体特性的影响 .研究结果表明 ,晶粒尺寸与颗粒尺寸随热处理温度的上升而增大 ;在柠檬酸与Sn4 + 的摩尔比为 6∶1,热处理温度为 60 0℃时制备的纳米晶SnO2 粉体的平均晶粒尺寸为 12nm ,平均颗粒尺寸为 3 0nm ,比表面积为 2 0~ 2 8m2
吴孟强张其翼陈艾
关键词:二氧化锡纳米晶超微粉
快离子导体氯碘铜化铷电性能的研究
1989年
最近国外报道,在RbCl-CuCl-CuI系统中,发现了离子电导率最高的Cu^+离子导体Rb_4Cu_(16)I_7Cl_(13)。我们采用国产原料,在工艺上作了探索,研制出较纯净的单一相Rb_4Cu_(16)I_7Cl_(13)。其室温电性能:离子电导率达0.44(Ω.cm)^(-1),电子电导率为4.2×10^(-9)(Ω.cm)^(-1),分解电位0.66(V)。此外,还对该材料的x射线衍射谱作了研究,提出了改进电性能的主要依据。
王有鈞陈艾邓宏
关键词:快离子导体电性能
离子注入型超大容量离子电容器
陈艾王有钧陶凤波
关键词:电容器离子注入
离子注入降低PtSi肖特基二极管的势垒高度被引量:6
2000年
Pt Si肖特基二极管的势垒高度制约 Pt Si红外探测器的截止波长和量子效率 .在 Pt Si/Si界面注入 In+ 、B+ ,采用高浓度、浅层注入避免隧穿效应 ,用 Ar气保护热处理消除注入损伤 ,附加掩膜层控制离子注入深度 ,成功地将 Pt Si肖特基二极管的势垒高度降低到 0 .1 5e V.
刘爽宁永功杨忠孝陈艾熊平杨家德
关键词:PTSI肖特基二极管势垒高度离子注入
碳纳米管电极超大容量离子电容器交流阻抗特性被引量:58
2002年
采用碳纳米管作为超大容量离子电容器的电极材料,应用交流阻抗频谱法,研究了超大容量离子电容器的频率响应特性.结果表明,用碳纳米管块作电极,超大容量离子电容器在频率250mHz以下出现“电荷饱和”;而用活性炭块作电极,超大容量离子电容器在频率为100mHz时仍未出现“电荷饱和”,这说明碳纳米管电极超大容量离子电容器的频率响应特性优于活性炭电极超大容量离子电容器的频率响应特性.上述两类超大容量离子电容器的阻抗谱中均出现倾角约为45°的直线段,其相位角均远小于理想电容器的相位角90°.
梁逵陈艾冯哲圣叶芝祥
关键词:交流阻抗谱碳纳米管活性炭超大容量离子电容器电极材料
碳纳米管与活性炭超级离子电容器的频率响应被引量:15
2002年
分别采用碳纳米管和活性炭作为超级离子电容器的电极材料,应用交流阻抗频谱法,研究了两类超级离子电容器的频率响应特性。结果表明,用碳纳米管作电极,超级离子电容器在频率250mHz以下出现“电荷饱和”;而用活性炭作电极,超级离子电容器在频率为100mHz时仍未出现“电荷饱和”,说明碳纳米管超级离子电容器的频率响应特性优于活性炭超级离子电容器的频率响应特性。但是上述两类超级离子电容器的频率响应特性均比传统介质电容器的频率响应特性差。
梁逵陈艾叶芝祥
关键词:碳纳米管活性炭介质电容器
RF气凝胶分形生长过程的计算机模拟被引量:4
2004年
采用分形概念对RF气凝胶的生长过程进行了计算机模拟。在扩散限制簇凝聚(DLCA)模型的基础上,研究了溶胶粒子密度和能量分布对凝胶化过程的影响,以及凝胶分形维数随着凝胶复杂程度的变化关系。利用C++语言编制了模拟凝胶生长过程的软件,并采用origin 6.1处理模拟后的数据,得到凝胶的分形图像。
李悦陈艾吴孟强陆海鹏
关键词:分形计算机模拟
共4页<1234>
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