陈辉
- 作品数：33 被引量：9H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划中国科学院知识创新工程重要方向项目中科院重大科研装备研制项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程化学工程更多>>
- 无损伤、高平面度单晶碳化硅平面光学元件及其制备方法
- 本发明公开一种无损伤、高平面度单晶碳化硅平面光学元件及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤：（1）挑选零微管道的整块单晶碳化硅晶锭；（2）对该单晶碳化硅晶锭进行切割，得到粗坯；（3）对粗坯进行双面研磨，得到两个平行的粗磨...
- 黄维陈辉忻隽王乐星卓世异孔海宽施尔畏
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- 大应力碳化硅晶体的初加工方法
- 本发明涉及一种大应力碳化硅晶体的初加工方法，包括：对碳化硅晶锭的顶部和底部进行端面灌胶处理以使所述碳化硅晶锭的顶部和底部分别具有平整的表面的整形工序；将经整形的晶锭滚圆至所需尺寸；以及将所得晶锭切割成所需尺寸的晶片的切割...
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- 化学计量比铌酸锂晶体的理论与实验研究
- 铌酸锂晶体由于具有良好的压电、电光、声光及非线形光学特性,被广泛应用于制备各种功能器件领域。近期的研究表明,化学计量比铌酸锂晶体由于具有完整的晶格,其诸多性能较之同成分铌酸锂晶体有了很大程度的改进,例如:其180°畴的反...
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- Ca3TaAl3Si2O14晶体的理论和实验研究
- 石英晶体凭借其低廉的价格长期主导着非铁电压电材料领域的市场,但是,随着无线通讯技术的不断发展,石英晶体压电性能较差的缺点逐渐成为了技术发展的瓶颈所在。因此,寻找石英晶体的替代品已经成为迫切需要解决的问题。近年来,硅酸鎵镧...
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- 气囊式晶片粘结助压手柄
- 本发明提供一种气囊式晶片粘结助压手柄，包括：内置通气管道的握柄；能装卸地安装于所述握柄的梢端的气囊；和设于所述通气管道上的气阀；所述通气管道的一端与所述气囊连通，所述通气管道的另一端与供气单元相连通。本发明用于晶片粘结后...
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- 一种用于碳化硅晶体偏角整形的装置
- 本实用新型提供了一种用于碳化硅晶体偏角整形的装置，包括：夹持晶锭的夹具；调节偏角方向的偏角调节模块；以及吸附于磨床的基底；其中，所述偏角调节模块为双正弦模块。本实用新型可保证碳化硅晶体偏角晶面的一次定向成型，避免了常规偏...
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- A3BC3D2O14结构类压电晶体的理论与实验研究
- 以La3Ga5SiO14晶体为代表的A3BC3D2O14结构类压电晶体由于具有与人工水晶相媲美的温度稳定性以及更高的机电耦合系数,受到了广泛的关注与研究。此结构类晶体具有一百多种以上的同构异质体,由于已发现并实现大尺寸单...
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- 碳化硅晶体的定型定向的切割方法
- 本发明涉及一种碳化硅晶体的定型定向的切割方法，至少包括：对多个碳化硅晶锭进行整形处理并滚圆至所需尺寸的预处理工序；以及将多个所得碳化硅晶锭依次粘接成一个整体后同时进行切割的切割工序。本发明将多个碳化硅晶锭粘接成一个整体，...
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- 近化学计量比铌酸锂晶体(S-LN)生长技术攻关
- 王绍华郑燕青施尔畏路治平崔素贤陈辉李贇孔令忠
- 该项目自主设计并采用双坩埚排液技术，成功生长出了高质量的2英寸S-LN晶体，取得了技术上的突破。对原料合成和预处理的科学和工艺技术进行了研究，同时对生长工艺参数的优化进行了研究。研究了S-LN晶体的生长习性和生长缺陷，并...
- 关键词：
- 关键词：近化学计量比
- Sr3NbGa3Si2O14压电晶体的生长与电弹常数表征
- 近年来,硅酸镓镧(La3Ga5SiO14、LGS)晶体由于其优异的压电性能而被广泛关注,该晶体具有较大的压电系数和三倍于石英晶体的机电耦合系数,同时具有零温度频率系数切型、高温无相变等优点。其晶体结构式可表达为A3BC3...
- 孔海宽陈建军郑燕青忻隽陈辉
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