韩东港
- 作品数：6 被引量：16H指数：3
- 供职机构：南开大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划天津市应用基础与前沿技术研究计划天津市科技攻关项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程更多>>
- 电子束反应蒸发技术生长Mo掺杂In_2O_3薄膜被引量：5
- 2010年
- 利用电子束反应蒸发技术,调制衬底温度200～350℃,详细研究了Mo掺杂In2O3(IMO,In2O3:Mo)薄膜的微观结构以及光电性能的变化。随着衬底温度增加,原子力显微镜(AFM)与扫描电子显微镜(SEM)图像均证明IMO薄膜表面趋于粗糙,透过率和Hall测试表明其光学和电学性能逐渐提高。在衬底温度为350℃时,获得薄膜最小电阻率为2.1×10-4Ωcm,载流子迁移率为34.2cm2/Vs,其可见光区及近红外区的平均透过率为78%。衬底温度为200℃时,薄膜表现为黑褐色,经分析X射线光电子能谱(XPS)结果认为与薄膜中钼的低价氧化有关,提高衬底温度可改善薄膜氧化状态。
- 韩东港陈新亮孙建赵颖耿新华
- 关键词：衬底温度
- 厚度对电子束蒸发制备IMO薄膜性能的影响被引量：2
- 2010年
- 通过电子束蒸发法制备In2O3:Mo(IMO)薄膜,详细研究了厚度对薄膜光电性能的影响.当薄膜厚度为=35 nm时,XRD谱与SEM图像均证明薄膜基本上处于非晶态(存在少许纳米晶粒),其光学特性优良而电学特性较差;随着薄膜厚度增加,薄膜的晶体结构变得较完善,晶粒增大,薄膜电学性能取得到了改善,在薄膜厚度=150 nm时获得最小电阻率～2.1×10-4 cm,而光学特性有所恶化.通过性能指数比较,d=110 nm厚度的IMO薄膜光电性能较好.
- 韩东港陈新亮杨瑞霞赵颖
- 关键词：薄膜厚度晶体结构
- 电子束沉积生长高迁移率IMO透明导电薄膜的研究被引量：9
- 2009年
- 研究了利用电子束反应蒸发技术梯度速率生长高迁移率In2O3:Mo(IMO)薄膜的微观结构、光学和电学性能。高纯度In2O3:MoO3陶瓷靶和O2作为源材料。首先,利用低沉积速率(约0.01nm/s)生长一层厚度约为30nm的IMO薄膜,作为缓冲层,其次,提高生长速率至0.04nm/s,高速率生长IMO薄膜,薄膜厚度约50nm。典型薄膜电阻率ρ约为2.5×10-4Ωcm,方块电阻Rs约为22.5Ω,载流子浓度n～5.8×1020cm-3,电子迁移率μ约为47.1cm2V-1s-1,可见光和近红外区域平均透过率约为80%。获得的IMO薄膜光电性能和直接利用低速率生长的薄膜特性相当或更好,并且极大地降低了薄膜生长时间。
- 陈新亮韩东港孙建赵颖耿新华
- 关键词：太阳电池
- IMO(In<,2>O<,3>：Mo)透明导电薄膜及其在硅基薄膜太阳能电池应用研究
- 本文利用电子束蒸发的方法，以掺杂Mo的In2O3 陶瓷靶为靶材，在普通玻璃衬底上制备了可用于硅薄膜太阳电池的前电极的IMO(In2O3:Mo)透明导电薄膜。研究了衬底温度、氧流量、掺杂浓度、薄膜厚度、生长速率等沉积条件对...
- 韩东港
- 关键词：衬底温度
- 文献传递
- 电子束反应蒸发制备高迁移率IMO薄膜及其性能研究被引量：1
- 2011年
- 研究了掺杂剂含量对电子束反应蒸发技术生长掺钼氧化铟（In2O3：Mo,IMO）薄膜的微观结构以及光学和电学性能的影响。采用高纯度In2O3：MoO3陶瓷靶和O2作为源材料。随着MoO3掺杂剂含量的增加,IMO薄膜电阻率先降低而后增加,光学性能呈现薄膜透过率下降的趋势。在1.0 wt.%MoO3掺杂剂含量时,获得最佳薄膜性能,薄膜电阻率ρ约为1.97×10^-4Ω.cm,方块电阻Rs约为18Ω/□,载流子浓度n约为6.85×1020cm^-3,电子迁移率μ约为46.3 cm2.V^-1.s^-1,可见光和近红外区域透过率T约为75%-85%（含玻璃衬底）。这种高迁移率的IMO薄膜有望应用于μc-Si：H薄膜太阳电池以及a-Si：H/μc-Si：H硅叠层薄膜太阳电池。
- 陈新亮韩东港张德坤孙建耿新华赵颖
- 关键词：太阳电池
- n-i-p型非晶硅太阳电池中p/ITO界面特性研究被引量：4
- 2010年
- 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,制备n-i-p型非晶硅(a-Si)太阳电池,采用反应热蒸发法制备ITO薄膜作为太阳电池的前电极。通过改变B2H6的掺杂浓度获得了不同晶化率的p层,详细研究了p层性能对p/ITO界面特性以及电池性能的影响。结果表明,在合适晶化率的p层上沉积ITO薄膜有利于优化p/ITO界面的接触特性,将其应用于n-i-p型a-Si太阳电池,能够显著改善电池的开路电压(Voc)和填充因子(FF),最终,在不锈钢(SS)衬底上获得了转换效率为6.57%的单结a-Si太阳电池。
- 倪牮陈新亮曹丽冉张建军薛俊明孙建王先宝韩东港张德坤赵颖耿新华
