鲍云
- 作品数：6 被引量：13H指数：2
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 利用脉冲干涉激光晶化技术制备三维有序的纳米硅晶粒
- 利用准分子脉冲干涉激光晶化技术使非晶硅/非晶氮化硅(a-Si:H/a-SiNX:H)多层膜中的超薄a-Si:H层定域晶化,成功地在超晶格结构的生长平面内定域制备出有序分布的纳米硅(nc-Si)结构.同时,用原子力显微镜(...
- 黄信凡王晓伟王立马忠元鲍云徐骏陈坤基
- 关键词：微结构
- 文献传递
- 镶嵌在超薄SiO_2层中的纳米硅的库仑阻塞现象被引量：5
- 2003年
- 采用等离子体氧化和逐层 (layer by layer)生长技术在等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)系统中原位制备了 Si O2 /nc- Si/Si O2 的双势垒纳米结构 ,从 nc- Si薄膜的喇曼谱中观察到结晶峰 ,估算出该薄膜的晶化成分和平均晶粒尺寸分别约为 6 5 %和 6 nm.通过对该纳米结构的电容 -电压 (C- V)测量 ,研究了载流子的隧穿和库仑阻塞特性 .在不同测试频率的 C- V谱中观测到了由于载流子隧穿引起的最大电容值抬升现象 .通过低温低频 C- V谱 ,计算出该结构中 nc- Si的库仑荷电能为 5 7me V.
- 石建军吴良才鲍云刘嘉瑜马忠元戴敏黄信凡李伟徐骏陈坤基
- 关键词：SIO2库仑阻塞纳米硅超薄氧化层隧穿
- 镶嵌在超薄SiO<,2>层中的纳米硅的电荷存储现象
- 该论文采用等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)生长技术,原位制备了SiO<,2>/nc-Si/SiO<,2>的纳米结构.实验中我们首次采用等离子体氧化的方法,获得了作为隧穿氧化层超薄SiO<,2>层,并利用layer...
- 鲍云
- 关键词：化学气相沉积
- 文献传递
- a-SiN_x/nc-Si/a-SiN_x三明治结构的电荷存储效应
- 2002年
- 采用等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)生长技术结合限制性结晶原理 ,采用与硅平面工艺相兼容的准静态热退火方法 ,使 a-Si:H层晶化 ,制备出了高密度的、尺寸均匀的 nc-Si薄膜 ;利用 Raman散射和透射电镜 (TEM)技术 ,分析了样品的结构特性 ;采用 C-V测量方法 ,通过对退火和未退火样品的对比分析 ,对该三明治样品的电学性质进行了研究 ,观察到 nc-Si薄膜的电荷存储现象 ,并且该现象与 nc-Si层的厚度有着明显的关系。
- 戴敏鲍云石建军张林李伟陈铠王立黄信凡陈坤基
- 关键词：纳米硅退火电容-电压特性
- 等离子体氧化nc-Si/SiO_2多层膜的蓝光发射被引量：2
- 2002年
- 报道了在等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)系统中用交替淀积 a-Si对其进行原位等离子体氧化的方法制备了 a-Si∶H/ Si O2 多层膜。随着 a-Si∶H子层的厚度从 3 .8nm减小到 1 .5 nm,a-Si∶H/ Si O2 多层膜的光吸收边和光致发光 (PL )出现了蓝移。在晶化的 a-Si∶ H/ Si O2 多层膜中不仅观察到室温下的红光带 (80 0nm)的发光峰 ,而且还观察到蓝光发射 (4 2 5 nm) ,结合 Raman,TEM和 PL测试 。
- 马忠元王立陈坤基李伟张林鲍云王晓伟徐俊黄信凡冯端
- 关键词：纳米硅光致发光
- 等离子体氧化制备超薄SiO_2层的性质被引量：6
- 2001年
- 利用等离子体氧化方法在单晶硅片上制备了厚度小于 10 nm的超薄 Si O2 层 .通过傅里叶红外光谱 (FTIR)、X射线光电子谱 (XPS)、透射电子显微镜 (TEM)、椭圆偏振法和电流电压 (I- V)、电容电压 (C- V)
- 鲍云蒋明李伟马忠元黄少云王立黄信凡陈坤基
- 关键词：超薄氧化二氧化硅
