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黄红娟

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：教育部更多>>
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相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电容
  • 1篇电容特性
  • 1篇原子层沉积
  • 1篇AL2O3
  • 1篇MOS结构
  • 1篇N-GAN

机构

  • 1篇教育部

作者

  • 1篇李丽莎
  • 1篇焦晋平
  • 1篇黄红娟
  • 1篇闫大为
  • 1篇顾晓峰
  • 1篇任舰

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
原子层沉积Al2O3／n-GaN MOS结构的电容特性：
2013年
利用原子层沉积技术制备了具有圆形透明电极的Ni/Au/Al2O3/n-GaN金属-氧化物-半导体结构,研究了紫外光照对样品电容特性及深能级界面态的影响,分析了非理想样品积累区电容随偏压增加而下降的物理起源.在无光照情形下,由于极长的电子发射时间与极慢的少数载流子热产生速率,样品的室温电容-电压扫描曲线表现出典型的深耗尽行为,且准费米能级之上占据深能级界面态的电子状态保持不变.当器件受紫外光照射时,半导体耗尽层内的光生空穴将复合准费米能级之上的深能级界面态电子,同时还将与氧化层内部的深能级施主态反应.非理想样品积累区电容的下降可归因于绝缘层漏电导的急剧增大,其诱发机理可能是与氧化层内的缺陷态及界面质量有关的"charge-to-breakdown"过程.
闫大为李丽莎焦晋平黄红娟任舰顾晓峰
关键词：原子层沉积电容特性
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