丁国建
- 作品数：3 被引量：7H指数：1
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- MOCVD方法生长的InN及InGaN薄膜的特性研究
- 利用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长了InN和InGaN薄膜。室温InN样品的荧光峰在0.7eV左右,证实了InN具有小的带隙。通过插入GaN缓冲层,InN薄膜(0002)摇摆曲线半高宽从1.09°降到0.36°,载流子...
- 朱学亮郭丽伟彭铭曾张洁丁国建贾海强陈弘周均铭
- 关键词：半导体薄膜INGANMOCVD
- 文献传递
- 使用AlN/GaN超晶格势垒层生长高Al组分AlGaN/GaN HEMT结构
- 2010年
- 在蓝宝石衬底上生长了以AlN/GaN超晶格准AlGaN合金作为势垒的HEMT结构材料,并与传统AlGaN合金势垒样品进行了对比.在高Al组分(≥40%)情况下,超晶格势垒样品的表面形貌明显改进,电学性能特别是2DEG面电子浓度也有所改进.对超晶格势垒生长参数进行了初步优化,使得HEMT结构薄层电阻进一步降低,最后获得了251Ω/□的薄层电阻.
- 丁国建郭丽伟邢志刚陈耀徐培强贾海强周均铭陈弘
- 关键词：二维电子气高电子迁移率晶体管
- AlGaN/AlN/GaN结构中二维电子气的输运特性被引量：7
- 2007年
- 对使用金属有机物汽相沉积法生长的AlGaN/AlN/GaN结构进行的变温霍尔测量,测量结果指出在AlN/GaN界面处有二维电子气存在且迁移率和浓度在2K时分别达到了1.4×104cm2.V-1.s-1和9.3×1012cm-2,且在200K到2K范围内二维电子气的浓度基本不变,变磁场霍尔测量发现只有一种载流子(电子)参与导电.在2K温度下,观察到量子霍尔效应,Shubnikov-de Haas(SdH)振荡在磁场约为3T时出现,证明了此结构呈现了典型的二维电子气行为.通过实验数据对二维电子气散射过程的半定量分析,推出量子散射时间为0.23ps,比以往报道的AlGaN/GaN结构中的散射时间长,说明引入AlN层可以有效减小合金散射,进一步的推断分析发现低温下以小角度散射占主导地位.
- 周忠堂郭丽伟邢志刚丁国建谭长林吕力刘建刘新宇贾海强陈弘周均铭
- 关键词：二维电子气高电子迁移率晶体管
