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丁宏林

作品数：19 被引量：17H指数：3
供职机构：紫琅职业技术学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金全球变化研究国家重大科学研究计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：文化科学理学电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇文化科学
  • 4篇理学
  • 3篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇经济管理
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇纳米
  • 3篇教学
  • 3篇发光
  • 3篇浮栅
  • 2篇多层膜
  • 2篇多层膜结构
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇多晶硅栅
  • 2篇新能源
  • 2篇院校
  • 2篇折射率
  • 2篇直径尺寸
  • 2篇能源
  • 2篇谐振波长
  • 2篇纳米SI
  • 2篇纳米硅
  • 2篇晶粒
  • 2篇晶粒尺寸
  • 2篇技能型

机构

  • 10篇南京大学
  • 7篇紫琅职业技术...
  • 5篇韩山师范学院

作者

  • 19篇丁宏林
  • 9篇陈坤基
  • 7篇李伟
  • 6篇王祥
  • 6篇刘奎
  • 6篇徐骏
  • 6篇黄信凡
  • 5篇张贤高
  • 4篇马忠元
  • 4篇徐岭
  • 4篇宋捷
  • 4篇黄锐
  • 4篇余林蔚
  • 3篇郭艳青
  • 2篇吴良才
  • 2篇王旦清
  • 2篇王久敏
  • 2篇钱波
  • 2篇顾拥军
  • 2篇岳云峰

传媒

  • 5篇物理学报
  • 2篇职业教育研究
  • 1篇中国市场
  • 1篇微电子学
  • 1篇韩山师范学院...
  • 1篇第四届全国掺...
  • 1篇2011无锡...

年份

  • 6篇2012
  • 2篇2011
  • 3篇2010
  • 3篇2009
  • 4篇2008
  • 1篇2007
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
硅基光子分子的设置与制备方法
硅基光子分子的设置方法，以气相共形薄膜生长制备的光子分子，在玻璃和硅衬底设有直径尺寸为0.5－5μm，高度为0.4－2μm的柱形平台，并以共形薄膜生长方法制备含两个或多个有源层为a－SiN<Sub>z</Sub>的三维限...
钱波陈三陈坤基张贤高刘奎丁宏林李伟徐岭徐骏马忠元黄信凡
文献传递
基于纳米硅量子点的浮置栅MOSFET存储器研制
在微电子器件逐渐过渡到纳电子器件的过程中，随着器件特征尺寸的不断缩小，基于纳米硅(nc-Si)量子点的浮置栅存储器由于具有工作电压低、编程速度快、存储时间长等优点被认为是最具有应用前景的新一代高密度非挥发性半导体存储器。...
丁宏林
关键词：半导体存储器
量子点浮置栅量子线沟道三栅结构单电子场效应管存储特性的数值模拟
2008年
通过建立二维薛定谔方程和泊松方程数值模型,对基于硅量子点浮置栅和硅量子线沟道三栅结构单电子场效应管(FET)存储特性进行了研究.通过在不同尺寸、栅压和不同写入电荷条件下,对硅量子线沟道中电子浓度的二维有限元自洽数值求解,研究了在纳米尺度下硅量子线沟道中量子限制效应和电荷分布对于器件特性的影响.模拟结果发现,沟道的导通阈值电压随着尺寸的缩小而提高,并随浮置栅内存储的电子数目的增加而明显升高.然而,这样的增加趋势在受到纳米尺度沟道中高电荷密度的影响下将出现非线性饱和趋势.进一步研究发现,当沟道尺寸较小时,沟道内的强量子限制效应能够有效地抑制非线性饱和趋势.另外,由于沟道阈值电压偏移量能灵敏地反映出浮置栅内电子数目的变化,这也为多值存储功能提供了可能.
刘奎丁宏林张贤高余林蔚黄信凡陈坤基
关键词：量子效应薛定谔方程泊松方程
基于双层纳米硅结构的非挥发性浮栅存储器及制备方法
基于双层纳米硅结构的半导体非挥发性浮栅存储器，以p型硅(电阻率为1-10Ω·cm)作为衬底(20)，源漏极(22、28)在衬底的两侧，在衬底上先设有第一层隧穿介质层形成的SiO<Sub>2</Sub>层(23)，厚度为1...
陈坤基吴良才王久敏余林蔚李伟徐骏丁宏林张贤高刘奎王祥徐岭黄信凡
文献传递
控制氧化层对双势垒纳米硅浮栅存储结构性能的影响被引量：3
2008年
在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中,利用逐层淀积非晶硅(a-Si)和等离子体氧化相结合的方法制备二氧化硅(SiO2)介质层.电容电压(C-V)和电导电压(G-V)测量结果表明:利用该方法在低温(250℃)条件下制备的SiO2介质层均匀致密,其固定氧化物电荷和界面态密度分别为9×1011cm-2和2×1011cm-2.eV-1,击穿场强达4.6MV/cm,与热氧化形成的SiO2介质层的性质相当.将该SiO2介质层作为控制氧化层应用在双势垒纳米硅(nc-Si)浮栅存储结构中,通过调节控制氧化层的厚度,有效阻止栅电极与nc-Si之间的电荷交换,延长存储时间,使存储性能得到明显改善.
丁宏林刘奎王祥方忠慧黄健余林蔚李伟黄信凡陈坤基
关键词：二氧化硅纳米硅
基于Si-rich SiN_x/N-rich SiN_y多层膜结构的量子点构筑及发光特性被引量：3
2010年
利用等离子体增强化学气相沉积法制备Si-rich SiNx/N-rich SiNy多层膜,分别使用热退火和激光辐照技术对多层膜进行退火,以构筑三维限制、尺寸可控、有序的硅纳米晶.实验结果表明,经退火后,纳米硅晶粒在Si-rich SiNx子层内形成,其尺寸可由Si-rich SiNx子层厚度调控.实验还发现,激光辐照技术相比于热退火能更有效地改善多层膜的微结构,提高多层膜的晶化率,以激光技术诱导晶化的Si-rich SiNx/N-rich SiNy多层膜作为有源层构建电致发光器件,在室温下观察到了增强的电致可见发光,并且发光效率较退火前提高了40%以上.
黄锐王旦清宋捷丁宏林王祥郭艳青陈坤基徐骏李伟马忠元
关键词：多层膜
镶嵌于氮化硅的高密度硅纳米结构的发光特性研究
黄锐宋捷王祥郭艳青宋超丁宏林
纳米硅单电子存储器研究进展
2011年
纳米硅单电子存储器与现有微电子存储器相比,由于具有更低的功耗、更快的开关速度、更高的存储密度以及更高的集成度,被认为是在非挥发性存储器的研究中最有可能成为未来快闪存储器的候选者之一。文章论述了纳米硅单电子存储器的工作原理、研究现状及发展趋势。
丁宏林岳云峰顾拥军陈坤基
关键词：单电子存储器纳米硅
高职经管类会计专业工学结合教学模式研究
2012年
工学结合是高职院校教学模式的重要特色,为使高职会计专业适应新会计准则目标,培养符合需要的会计人才,围绕会计专业工学结合教学模式,对高职会计人才培养目标、课程体系、课程设置、工学结合教学模式的内容、流程与途径,以及需要解决的问题进行了阐述。
包耀东王昌国丁宏林
关键词：工学结合教学模式高职经管专业
α-SiN_x/nc-Si/α-SiN_x双势垒结构的电荷存储特性
2010年
利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术,采用NH_3等离子体预氮化法淀积α-SiN_x介质膜,同时结合layer by layer生长nc-Si的方法一次性原位制备了α-SiN_x/nc-Si/α-SiN_x双势垒结构样品.通过原子力显微镜(AFM)测量,估算了nc-Si的密度为1.2×10^(11)cm^(-2).通过C-V测量研究镶嵌在SiN_x双势垒层中的nc-Si颗粒的电荷存储现象.C-V曲线出现明显的迥滞现象,迴滞窗口约为1 V,表明结构中电荷存储特性.根据迴滞窗口,计算了结构中存储电荷的密度,发现存储电荷密度与nc-Si层的晶粒密度具有相同的数量级.
宋捷丁宏林
关键词：NC-SI
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