严勇
- 作品数：7 被引量：1H指数：1
- 供职机构：南京大学更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 硅中离子注入硼的异常扩散
- 1989年
- 本工作用不同的Si^+预注入能量,改变注入损伤分布与离子注入硼杂质分布的相对位置,观察快速热退火中注入损伤对硼异常扩散的影响.结果表明,引起注入硼异常扩散的是点缺陷,而不是硼间隙原子的快扩散.而注入损伤中的点缺陷和簇团分解释放的点缺陷是驱动硼异常扩散的因素之一.如果注入损伤形成了扩展缺陷,那么扩展缺陷重构和分解将发射点缺陷,这是驱动硼异常扩散的另一个因素.
- 郭强鲍希茂严勇冯端
- 关键词：离子注入扩散退火
- Er^+注入单晶硅中非晶层晶化过程的TEM研究
- 1990年
- 剖面透射电镜的变温观察及高分辨电子显微镜(HREM)象表明,Er^+注入(注入能量350kev,注入剂量1×10^(15)cm^(-2))硅单晶后,在表面可形成一连续非晶层。热退火过程中,非晶层可以从非晶/单晶界面处进行固相外延和在内部成核两种方式进行再结晶以至形成多晶层。再结晶的晶粒中存在大量微孪晶和堆垛层错。
- 严勇王培大胡梅生孙慧龄李齐冯端
- 关键词：离子注入单晶硅晶化TEM
- 单晶硅中磷离子注入缺陷的HREM研究
- 1989年
- 单晶硅中磷离子注入的剖面透射电镜(X-TEM)及HREM研究表明:能量为150keV,剂量为1×10^(13)cm^(-2)的磷离子注入后,在未经退火时,单晶硅表面以下1100A处可产生厚度为1000A的非晶层,非晶区与单晶区的边界为粗糙界面.在非晶区两侧,存在着大量不同类型的缺陷:{311}面缺陷和{111}堆垛层错.它们分布在不同的层区内,对于非晶区而言,形成大体对称的分布状态.接近非晶区,{111}堆垛层错密度较大,远离非晶区,{311}面缺陷密度较大,深层的完整晶体中,上述面缺陷的密度均很小.
- 严勇李齐冯端孙慧龄王培大
- 关键词：单晶硅离子注入堆垛层错
- 非晶态半导体多层膜的TEM及HREM研究
- 1989年
- 本文介绍了非晶态半导体多层膜剖面电镜样品的一种制备方法.报导了周期性调制和准周期性调制的非晶态半导体多层膜的剖面透射电了显微像和其对应的电子衍射花样的性质.通过高分辨电子显微像,研究了组成多层膜的子层材料的微观结构特性和异质结的界面性质.
- 毛国民陈坤基严勇陈峻冯端
- 关键词：非晶态半导体多层膜TEMHREM
- 准周期a-Si:H/a-SiNx:H超晶格的HREM观察
- 一维准周期a-Si:H/a-SiN:H超晶格已由辉光放电汽相淀积技术制成。本文首次报导了这种准周期多层调制结构的HREM观察结果。图1是这种新型超晶格的剖面透射电子显微像。图中较暗衬度的为a-SiN:H子层,而极明亮衬度...
- 严勇陈坤基毛国民陈峻冯端
- 文献传递
- β-SiC晶须缺陷的HREM观察被引量：1
- 1990年
- 用高分辨电镜(HREM)观察了β-SiC晶须的微观结构和缺陷,得到了分辨率为2(?)的高分辨象。结果表明,在β-SiC晶须中普遍存在层错,这些层错存在于(111)面和{111}面上。有些层错终止于晶体内部,形成Burgers矢量b=<111>α/3的Frank不全位错,此外还发现了晶须表面的生长附属物和晶须内的多重孪晶;分析了β-SiC晶须的长大机制。
- 曹利姚忠凯陈峻严勇
- 关键词：碳化硅晶须金属陶瓷
- GaAs/Si异质外延的新进展
- 1991年
- 本工作从原理和实验技术上证实了氯化物VPE技术可用于CaAs/Si异质外延.CaAs/Si外延层表面平整光亮.对外延层进行了组分测量、高分辨率电镜和X-射线衍射分析.结果表明,外延层是符合化学计量比的CaAs单晶,外延层浓度可控范围为10^(14)～10^(17)cm^(-3),纵向掺杂分布平坦.用这种材料制成MESFET样管,跨导为40mS/mm.
- 黄善祥林金庭陆正沈浩瀛王翠莲郑有(火斗张荣严勇冯端
- 关键词：GAAS/SI
