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陈峻

作品数:13 被引量:2H指数:1
供职机构:南京大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学天文地球政治法律一般工业技术更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 3篇学位论文

领域

  • 3篇理学
  • 2篇天文地球
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇电子电信
  • 2篇政治法律

主题

  • 4篇晶体
  • 2篇电子显微术
  • 1篇单行
  • 1篇导体
  • 1篇电子显微镜
  • 1篇堆垛
  • 1篇多层膜
  • 1篇刑法
  • 1篇虚假
  • 1篇正长石
  • 1篇双层膜
  • 1篇司法
  • 1篇司法实践
  • 1篇诉讼
  • 1篇碳化硅
  • 1篇陶瓷
  • 1篇透射
  • 1篇透射电子显微...
  • 1篇透射电子显微...
  • 1篇切变

机构

  • 11篇南京大学
  • 2篇中国科学技术...
  • 1篇哈尔滨工业大...
  • 1篇北京有色金属...

作者

  • 11篇陈峻
  • 5篇冯端
  • 2篇严勇
  • 1篇侯建国
  • 1篇闵乃本
  • 1篇姚忠凯
  • 1篇罗谷风
  • 1篇陈坤基
  • 1篇吴自勤
  • 1篇毛国民
  • 1篇曹利

传媒

  • 2篇第五次全国电...
  • 1篇物理学报
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇南京大学学报...
  • 1篇电子显微学报

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇1990
  • 3篇1989
  • 4篇1988
  • 1篇1987
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
论民事诉讼中的自认——兼及虚假自认
文章对自认基本概念及自认效力与虚假自认效力认定等相关问题作了相对深入的探讨。全文共分成三大部分。   第一部分自认界说分成二个部分。   文章首先论述了自认概念的属性和含义。英美法系国家学者主张自认的属性为证据说。大...
陈峻
关键词:民事诉讼自认效力
离子注入aGe/Au双层膜分形区的高分辨电镜观察
<正> 在以前的工作中,我们证明了在aGe/Au退火膜中的Ge结晶区是一种具有空间相关不变性分形结构,本文报道了在离子注入aGe/Au双层膜中出现的分形区的微观结构。样品采用真空蒸积法並在室温下进行离子注入。图1(a)是...
侯建国吴自勤陈峻
文献传递
若干ABO3型复杂氧化物晶体相变与畴结构的透射电子显微术研究
陈峻
关键词:晶体
对我国保安处分制度单行立法的思考
保安处分,是国家刑事法律和行政法规所规定的,对实施了危害行为的无责任能力、限制责任能力人以及其他有相当人身危险性的人所采取的,代替或者补充刑罚而适用的,旨在消除行为者的危险状态、预防犯罪、保卫社会安全的各种治疗、矫正措施...
陈峻
关键词:刑法保安处分制度司法实践
磷化铟晶体的高分辨电子显微术研究
1989年
本文报导了半导体InP材料〔001〕带轴的高分辨结构象主要实验结果。采用400kV电子束,欠焦量为大约650A,同时In及P的结构象的最佳厚度约为260A。当厚度减缩到150A左右,只剩下P的原子象。当厚度增加到370A,只剩有In的原子象。实验得到的高分辨结构象和计算机模拟象是基本一致。当试样发生弯曲时,入射束与〔001〕带轴之间的夹角是0.18度。高分辨结构象代表In原子和P原子的亮点联接在一起。计算机模拟象证实了这一实验结果。
王路春冯端陈峻梁月海
关键词:磷化铟晶体电子显微术
聚片多畴LiNbO3及LiTaO3形成机制的研究
<正> 利用透射电子显微术对聚片多畴铌酸锂及钽酸锂所进行的观测表明片畴畴界有两类,一类是光滑的飘带状的,另一类是粗糙的犬牙交错状的,两间相间排列。对聚片多畴钽酸锂薄膜样品进行的微区X射线谱的测定表明,溶质Y原子的浓度梯度...
陈峻洪静芬邹群王文山闵乃本冯端范诚高
文献传递
钙铁矿晶体中存在的切变结构与堆垛错
形如MO、MO等的氧化物晶体中存在的结晶学切变面已有较多报导。然后钙钛矿结构的晶体中是否存在切变结构尚未有人报导过。钙钛矿结构中,氧原子与金属原子成密堆排列,在接近熔点时,如BaTiO存在着六角相,沿立方<111>方向,...
陈峻冯端
文献传递
非晶态半导体多层膜的TEM及HREM研究
1989年
本文介绍了非晶态半导体多层膜剖面电镜样品的一种制备方法.报导了周期性调制和准周期性调制的非晶态半导体多层膜的剖面透射电了显微像和其对应的电子衍射花样的性质.通过高分辨电子显微像,研究了组成多层膜的子层材料的微观结构特性和异质结的界面性质.
毛国民陈坤基严勇陈峻冯端
关键词:非晶态半导体多层膜TEMHREM
β-SiC晶须缺陷的HREM观察被引量:1
1990年
用高分辨电镜(HREM)观察了β-SiC晶须的微观结构和缺陷,得到了分辨率为2(?)的高分辨象。结果表明,在β-SiC晶须中普遍存在层错,这些层错存在于(111)面和{111}面上。有些层错终止于晶体内部,形成Burgers矢量b=<111>α/3的Frank不全位错,此外还发现了晶须表面的生长附属物和晶须内的多重孪晶;分析了β-SiC晶须的长大机制。
曹利姚忠凯陈峻严勇
关键词:碳化硅晶须金属陶瓷
铌酸钠晶体的TEM研究
NaNbO晶体属畸变钙钛矿结构,早先有关该晶体的研究多限于x射线衍射及光学观测,本文报道对NaNbO(NN)晶体进行TEM研究的若干新结果。1)室温NN除以P相(空间群Pbma)及Q相(空间群Pma)型式存在外,在NN晶...
陈峻冯端
文献传递
共2页<12>
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