习毓
- 作品数：5 被引量：4H指数：2
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- 新型SCR-LDMOS静电放电保护结构
- 研究了一种新的具有ESD自保护结构的SCR-LDMOS,它是通过在漏极加入P+扩散对传统LDMOS结构的改进.模拟了器件的击穿特性并分析了二次电流It2提高的原因。ISE软件模拟结果表明:该结构具有良好的开启态,二次击穿...
- 习毓李德昌曲越
- 关键词：电子器件静电放电
- 文献传递
- 新型SCR-LDMOS输出端的静电放电保护结构
- 2007年
- 研究了一种新的具有ESD自保护结构的SCR-LDMOS,它是通过在漏极加入P+扩散对传统LDMOS结构的改进.模拟了器件的击穿特性并分析了二次电流It2提高的原因.ISE软件模拟结果表明:该结构具有良好的开启态,二次击穿电流和ESD耐压是传统LDMOS的8.5倍;关闭态有比较高的BVDB可以满足使用的要求.
- 习毓李德昌曲越
- 关键词：LDMOSESD
- 射频LDMOS的击穿电压与静电保护
- 横向高压功率器件LDMOS/(Lateral Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor/)以其高耐压、高增益、高跨导、宽动态范围、低失真和易于与...
- 习毓
- 关键词：RESURF静电放电二次电流
- 文献传递
- 漂移区的改进对SOI LDMOS频率特性的影响
- 借助ISE软件，以调试后各参数性能优良的图形化SOI LDMOS器件为仿真平台，采用Step LDD结构、层叠LDD结构、阶梯掺杂结构以及“鸟嘴”结构来降低输出电容，提高器件的频率特性。模拟结果表明：这4种方法最多可分别...
- 曲越李德昌习毓姜雨男何琳
- 关键词：漂移区输出电容
- 文献传递
- 图形化SOI LDMOS跨导特性的研究被引量：2
- 2007年
- 借助ISE软件,以调试后各参数性能优良的图形化SOI LDMOS器件为仿真平台,研究并分析了栅氧化层厚度,漂移区浓度,沟道浓度,SOI层厚度四个结构工艺参数对图形化SOI LDMOS跨导gm的影响.文章指出了对跨导gm有影响的因素,并为降低跨导应该进行的参数调节提供了参考.
- 曲越李德昌习毓
- 关键词：LDMOS跨导栅氧化层漂移区
