李德昌
- 作品数：40 被引量：46H指数：4
- 供职机构：西安电子科技大学理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划陕西省科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>
- LDMOS线性微波功率放大器设计被引量：4
- 2007年
- LDMOS以其大功率、高线性度和高效率等优点得到广泛的应用.采用2-tone负载牵引法得到了LDMOS晶体管MRF18030的输入和输出阻抗.在对晶体管绝对稳定性分析的基础上,运用共轭匹配法设计出匹配网络,并将匹配网络转化为MOMENTUM元件运用在电路设计中,大大提高了设计的准确性.采用载波复幂级数法对PA的AM-AM和AM-PM非线性特性进行了准确计算,弥补了传统泰勒级数只能分析AM-AM的不足.得到了用来消除PA非线性的反载波复幂级数.根据所得反载波复幂级数,利用二极管非线性特性设计出一种新的结构简单、易于实现的预失真器,给出其准确的电路模型表达式,得到了幅值、角度等参数的精确值.ADS仿真结果表明,IMD3改善了27dB.最终,成功设计出大功率、高效率、高线性的LDMOS微波功率放大器.
- 韩红波郝跃冯辉冯辉
- 关键词：LDMOSADS负载牵引法共轭匹配
- 图形化SOI LDMOS跨导特性的研究
- 借助ISE软件,以调试后各参数性能优良的图形化SOI LDMOS器件为仿真平台,研究并分析了栅氧化层厚度,漂移区浓度,沟道浓度,SOI层厚度四个结构工艺参数对图形化SOI LDMOS跨导gm的影响。文章指出了对跨导gm有...
- 曲越李德昌
- 关键词：半导体器件栅氧化层漂移区
- 文献传递
- 介质薄膜场致发射的模拟计算
- 本文研究介质薄膜场致发射的模拟计算方法.介绍了场致发射的基本计算公式以及实体模型透射系数的求解,简化模型伏安特性的计算结果.
- 李德昌李存志李平舟
- 关键词：介质薄膜场致发射模拟计算平板显示屏
- 文献传递
- 漂移区的改进对SOI LDMOS频率特性的影响
- 借助ISE软件，以调试后各参数性能优良的图形化SOI LDMOS器件为仿真平台，采用Step LDD结构、层叠LDD结构、阶梯掺杂结构以及“鸟嘴”结构来降低输出电容，提高器件的频率特性。模拟结果表明：这4种方法最多可分别...
- 曲越李德昌习毓姜雨男何琳
- 关键词：漂移区输出电容
- 文献传递
- VDMOS的虚拟栅结构
- 2009年
- 文中设计了一个虚拟栅结构的VDMOS,该结构可以减小漏栅反馈电容Crss,使其接近于零。因此,对于相同的模块电压率,虚拟栅结构可以使MOS器件有一个更短的沟道,同时也因为有一个更大的栅漏交叠区域而使导通电阻减小。这样,器件跨导也可以提高。经过ISE仿真模拟,虚拟栅结构比原始分栅结构的击穿电压提高了近42%,而电流输出特性也更好更稳定。
- 张方媛李德昌
- 关键词：VDMOS击穿电压
- 新型SCR-LDMOS静电放电保护结构
- 研究了一种新的具有ESD自保护结构的SCR-LDMOS,它是通过在漏极加入P+扩散对传统LDMOS结构的改进.模拟了器件的击穿特性并分析了二次电流It2提高的原因。ISE软件模拟结果表明:该结构具有良好的开启态,二次击穿...
- 习毓李德昌曲越
- 关键词：电子器件静电放电
- 文献传递
- 新型双RESURF TG-LDMOS器件结构被引量：2
- 2007年
- 研究了采用双RESURF技术的槽栅横向双扩散MOSFET(DRTG-LDMOS).讨论了双RESURF技术对击穿电压的影响,以及DRTG-LDMOS的电容特性.与传统的槽栅器件结构相比,新结构在相同的漂移长度和导通电阻下,击穿电压提高了30V,并表现出优异的频率特性.
- 许晟瑞郝跃冯晖李德昌张进城
- 关键词：LDMOSRESURF仿真击穿电压电容
- SOI LDMOS功率晶体管自加热分析
- SOI LDMOS功率晶体管中的自加热效应是沟道中电流产生的热量导致器件特性漂移的现象;其产生的机理主要是热传导率相对较低的埋氧层存在,导致产生的热量无法耗散。阐述了在不同的结构和工艺参数下自加热效应的研究进展,以及减弱...
- 李家贵李德昌
- 关键词：自加热效应工艺参数功率晶体管
- 文献传递
- GaAs HEMT低噪声放大器设计
- 分析了低噪声放大器稳定性、噪声系数等重要技术指标，论述了低噪声放大器(LNA)及兰格耦合器的设计方法。根据设计指标选择富士通公司的FHX14LG(GaAs HEMT)低噪声放大管，利用Smith圆图进行了匹配电路的设计。...
- 何琳李德昌姜雨男曲越
- 关键词：LNA平衡放大器低噪声放大器匹配电路噪声系数
- 文献传递
- 一种基于第一性原理的4H-SiC结构缺陷计算模型被引量：1
- 2009年
- 本文运用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法,根据原子尺度上的缺陷特性研究了4H-SiC的位错结构模型,并对4H-SiC基面位错的结构进行分析,建立了一种模型。文章简要介绍了4H-SiC材料中结构缺陷的分子动力学模拟方法,势能模型及主要技术细节。
- 高春燕李德昌张玉明汤晓燕苗瑞霞
- 关键词：4H-SIC第一性原理计算
