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于仕辉

作品数：154 被引量：0H指数：0
供职机构：天津大学更多>>
相关领域：化学工程电气工程一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 154篇中文专利

领域

  • 7篇化学工程
  • 6篇电气工程
  • 3篇自动化与计算...
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇电子电信
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇理学

主题

  • 41篇介电
  • 28篇预烧
  • 28篇陶瓷
  • 24篇电损耗
  • 24篇介电损耗
  • 24篇化学计量
  • 23篇电极
  • 22篇溅射
  • 21篇电容
  • 21篇变容管
  • 20篇介电常数
  • 19篇磁控
  • 18篇磁控溅射
  • 17篇钛酸
  • 17篇介质材料
  • 16篇压控
  • 16篇生坯
  • 16篇靶材
  • 13篇金属
  • 13篇金属电极

机构

  • 154篇天津大学

作者

  • 154篇于仕辉
  • 130篇李玲霞
  • 55篇许丹
  • 53篇董和磊
  • 28篇孙正
  • 28篇杜明昆
  • 25篇郑浩然
  • 9篇龚宝明
  • 9篇丁千
  • 9篇王斌
  • 9篇孙建桥
  • 7篇王瑞杰
  • 3篇王文波
  • 3篇张宁
  • 3篇杨林
  • 2篇秦国轩
  • 2篇张春梅
  • 1篇曹树谦
  • 1篇王栋

年份

  • 18篇2020
  • 30篇2019
  • 43篇2018
  • 8篇2017
  • 11篇2016
  • 12篇2015
  • 28篇2014
  • 4篇2013
共 154 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种高熵合金蜂窝夹层板结构
本实用新型公开了一种高熵合金蜂窝夹层板结构，包括上面板、下面板及位于中间层的蜂窝夹芯，所述蜂窝夹芯为正四边形高熵合金蜂窝结构，由横向壁板和纵向壁板嵌套组合而成；所述上面板、下面板及蜂窝夹芯均由Al<Sub>20</Sub...
孙永涛丁千于仕辉孙建桥王斌龚宝明
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高介电常数温度稳定型高频介质陶瓷及其制备方法
本发明公开了一种高介电常数温度稳定型高频介质陶瓷，化学式为(Bi<Sub>1.5</Sub>Zn<Sub>0.1</Sub>Sr<Sub>0.4</Sub>)(Zn<Sub>0.5</Sub>Nb<Sub>1.5</Su...
李玲霞金雨馨董和磊于仕辉许丹
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一种超低插入损耗的陶瓷基交叉耦合发夹型滤波器
本发明公开了一种超低插入损耗的陶瓷基交叉耦合发夹型滤波器，其陶瓷介质基板是MgTiO<Sub>3</Sub>陶瓷基板，背面设置有金属接地板；陶瓷基板正面的中间偏下部位由左向右依次设置有第一发夹谐振器、第二发夹谐振器和第三...
李玲霞倪立争于仕辉杜明昆许振鹏
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通过镁铌组分调控微波介电性能的钛酸锂基微波介质材料
本发明公开了一种通过镁铌组分调控微波介电性能的钛酸锂基微波介质材料，目标合成物表达式为Li<Sub>2</Sub>Ti<Sub>1‑z</Sub>(Mg<Sub>x</Sub>Nb<Sub>y</Sub>)<Sub>z<...
李玲霞杜明昆于仕辉许振鹏乔坚栗
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一种中温烧结高Q值微波介质材料
本发明公开了一种中温烧结高Q值微波介质材料，目标合成物表达式为Li<Sub>2</Sub>TiO<Sub>3</Sub>‑x w.t.％MgF<Sub>2</Sub>，其中x＝2～8。先将Li<Sub>2</Sub>CO...
李玲霞杜明昆于仕辉孙正乔坚栗
钛酸锶钡介质薄膜的制备方法
本发明公开了一种钛酸锶钡介质薄膜的制备方法：将配置好的钡-锶-柠檬酸-乙二醇溶液加入到钛-柠檬酸-乙二醇水溶液中，得到钛酸锶钡前驱体溶胶，再将该前躯体溶胶均匀涂覆在基底上，得到多层薄膜，再予以干燥，于550～750℃热处...
李玲霞董和磊于仕辉金雨馨许丹
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一种金电极的制备方法
本发明公开了一种金电极的制备方法，首先清洗基片及光刻显影，再将显影后的基片放入多靶共溅磁控溅射腔体中，分别装上金属铬与金靶材；在真空度&lt;1.0×10<Sup>‑3</Sup>Pa条件下，首先溅射沉积铬层厚度为5nm...
李玲霞于仕辉许丹董和磊金雨馨
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一种具有较厚Au电极的制备方法
本发明公开了一种具有较厚Au电极的制备方法，电极结构为Ti/TiAu/Au，先将显影后的基片放入多靶共溅磁控溅射腔体中，装上Ti和Au靶材；然后对Ti靶材进行溅射，再同时对Ti和Au靶材进行溅射，再对Au靶材进行单独溅射...
李玲霞于仕辉许丹董和磊金雨馨
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一种具有高储能密度的锆钛酸钡电介质材料及其制备方法
本发明公开了一种具有高储能密度的锆钛酸钡电介质材料及其制备方法，其化学式为:Ba<Sub>1‑x</Sub>Sm<Sub>x</Sub>(Zr<Sub>0.2</Sub>Ti<Sub>0.8</Sub>)O<Sub>3<...
李玲霞孙正于仕辉陈思亮乔坚栗
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高调谐埋入式插指电极BMN/BST双层薄膜电容器
本发明公开了一种高调谐埋入式插指电极BMN/BST双层薄膜电容器，首先在清洗好的基底上采用溶胶-凝胶法沉积BMN薄膜，再在BMN薄膜上采用光刻技术结合磁控溅射工艺制备插指电极，再在制备有插指电极的BMN薄膜上沉积BST薄...
李玲霞董和磊于仕辉金雨馨许丹
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