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许丹

作品数：68 被引量：1H指数：1
供职机构：天津大学更多>>
相关领域：医药卫生理学一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 65篇专利
  • 2篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇医药卫生
  • 1篇石油与天然气...
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 21篇电极
  • 18篇电容
  • 17篇压控
  • 14篇变容管
  • 13篇溅射
  • 12篇电容器
  • 11篇电容量
  • 11篇温度系数
  • 11篇介电
  • 10篇钛酸
  • 10篇固相烧结
  • 10篇靶材
  • 10篇磁控
  • 9篇金属
  • 9篇金属电极
  • 9篇磁控溅射
  • 8篇钛酸锶
  • 8篇钛酸锶钡
  • 7篇电极性能
  • 7篇调谐

机构

  • 68篇天津大学
  • 1篇天津医科大学

作者

  • 68篇许丹
  • 65篇李玲霞
  • 63篇董和磊
  • 55篇于仕辉
  • 6篇郑浩然
  • 2篇孙正
  • 1篇张燕

传媒

  • 1篇天津护理

年份

  • 2篇2018
  • 3篇2017
  • 13篇2016
  • 11篇2015
  • 34篇2014
  • 4篇2013
  • 1篇2009
共 68 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
高介电常数温度稳定型高频介质陶瓷及其制备方法
本发明公开了一种高介电常数温度稳定型高频介质陶瓷，化学式为(Bi<Sub>1.5</Sub>Zn<Sub>0.1</Sub>Sr<Sub>0.4</Sub>)(Zn<Sub>0.5</Sub>Nb<Sub>1.5</Su...
李玲霞金雨馨董和磊于仕辉许丹
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一种TiO<Sub>2</Sub>/TiO<Sub>2</Sub>Au/Au结构Au电极的制备方法
本发明公开了一种TiO<Sub>2</Sub>/TiO<Sub>2</Sub>Au/Au结构Au电极的制备方法，先将显影后的基片放入多靶共溅磁控溅射腔体中，装上Ti和Au靶材；然后对Ti靶材进行溅射，制备TiO<Sub>...
李玲霞于仕辉董和磊许丹金雨馨
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一种氧化镍压控薄膜变容管的制备方法
本发明公开了一种氧化镍压控薄膜变容管的制备方法：采用金属Ni作为靶材，使用磁控溅射的方法，在FTO衬底上沉积得到NiO薄膜，再于300～700℃进行后退火处理，最后于NiO薄膜上面利用掩膜版制备金属电极，制得氧化镍压控薄...
李玲霞郑浩然于仕辉许丹董和磊金雨馨
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一种高调谐率BMNT薄膜材料的制备方法
本发明公开了一种高调谐率BMNT薄膜材料的制备方法：首先采用Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>,MgO,Nb<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>和TiO<Sub>2</Sub>，以传统的...
李玲霞许丹于士辉董和磊金雨馨
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BST/BMN/BST多层复合薄膜的制备方法
本发明的公开了一种BST/BMN/BST多层复合薄膜，通过在两BST薄膜中间增加一层低损耗的BMN介质层从而降低薄膜介电损耗。首先制备钛酸锶钡及铌酸铋镁的前驱体溶胶，再分别将上述前躯体溶胶滴在基片上制备相应的薄膜，再于5...
李玲霞董和磊于仕辉金雨馨许丹
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一种采用磁控溅射法制备PBZ薄膜用的PBZ靶材的制备方法
本发明公开了一种采用磁控溅射法制备PBZ薄膜用的PBZ靶材的制备方法，先按照PBZ即锆酸铅钡的化合物分子式(Pb<Sub>1‑x</Sub>Ba<Sub>x</Sub>)ZrO<Sub>3</Sub>其中0&lt;x&l...
李玲霞孙正郑浩然于仕辉许丹
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一种全透型薄膜压控变容管及其制备方法
本发明公开了一种全透型薄膜压控变容管及其制备方法，在玻璃衬底(1)上依次设置有ITO薄膜(2)、BST薄膜(3)和ITO电极(4)；所述ITO薄膜(2)的化学式为Sn<Sub>x</Sub>In<Sub>1-x</Sub...
李玲霞于仕辉董和磊许丹金雨馨
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一种水溶性含铌化合物的制备方法
本发明公开了一种水溶性含铌化合物的制备方法，先将五氧化二铌加入氢氟酸中，其摩尔比为1:10，水浴加热至其全部溶解，再向其中加入氨水，生成铌酸沉淀，再经抽滤、洗涤去除F<Sup>-</Sup>与NH<Sub>4</Sub>...
李玲霞董和磊于仕辉金雨馨许丹
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一种柔性BMN薄膜压控变容管的制备方法
本发明公开了一种柔性BMN薄膜压控变容管的制备方法，首先采用固相烧结法制备BMN即Bi<Sub>1.5</Sub>MgNb<Sub>1.5</Sub>O<Sub>7</Sub>靶材和ZnO靶材，以铜箔为衬底，利用磁控溅射...
李玲霞于仕辉许丹董和磊金雨馨
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一种BMN介质薄膜微波压控电容器的制备方法
本发明公开了一种BMN介质薄膜微波压控电容器的制备方法，首先制备底电极，再通过旋涂-热处理的方法制备铌酸铋镁介质薄膜层，再对介质薄膜层图形化，并于其上制备顶电极；器件尺寸为(550～1200)×(250～600)μm<S...
李玲霞董和磊金雨馨于仕辉许丹
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