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郑浩然

作品数：36 被引量：0H指数：0
供职机构：天津大学更多>>
相关领域：化学工程电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 35篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 18篇介电
  • 14篇预烧
  • 12篇介电常数
  • 11篇陶瓷
  • 10篇电损耗
  • 10篇介电损耗
  • 10篇化学计量
  • 9篇电容
  • 9篇介质材料
  • 9篇高介电常数
  • 8篇溅射
  • 8篇磁控
  • 7篇坯体
  • 7篇磁控溅射
  • 6篇掩膜
  • 6篇掩膜版
  • 6篇中温烧结
  • 6篇主晶相
  • 6篇晶相
  • 6篇靶材

机构

  • 36篇天津大学

作者

  • 36篇郑浩然
  • 35篇李玲霞
  • 25篇于仕辉
  • 23篇孙正
  • 6篇许丹
  • 4篇董和磊
  • 4篇杜明昆

年份

  • 6篇2019
  • 11篇2018
  • 8篇2017
  • 6篇2016
  • 3篇2015
  • 2篇2014
共 36 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种提高柔性电容器电容量的方法
本发明公开了一种提高柔性电容器电容量的方法，清洗柔性衬底后将聚酰亚胺、环氧树脂和乙二醇甲醚按质量比为1：0.65：0.35配制成混合溶液；再将硅烷偶联剂KH550、无水乙醇和去离子水按质量比为0.01：0.8：0.19配...
李玲霞郑浩然于仕辉陈思亮孙正
一种氧化锌压控变容管的制备方法
本发明公开了一种氧化锌压控变容管的制备方法，先将ZnO粉末压制成型，采用固相烧结法于1100℃烧制ZnO靶材；再将Pt-Si衬底清洗干净，利用磁控溅射沉积技术，沉积得到ZnO薄膜，溅射功率100～200W；再于氧气气氛炉...
李玲霞郑浩然于仕辉许丹董和磊金雨馨
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一种钡基钙钛矿结构的陶瓷电介质材料
本发明公开了一种钡基钙钛矿结构的陶瓷电介质材料及其制备方法，其化学式为Ba<Sub>1‑x</Sub>Sm<Sub>x</Sub>(Zr<Sub>0.1</Sub>Ti<Sub>0.9</Sub>)O<Sub>3</Su...
李玲霞孙正于仕辉郑浩然乔坚栗
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一种中温烧结高介电常数介质陶瓷材料
本发明公开了一种中温烧结高介电常数介质陶瓷材料，其化学式为：Ba(Zr<Sub>0.2</Sub>Ti<Sub>0.8</Sub>)O<Sub>3</Sub>+xwt％Li<Sub>2</Sub>CO<Sub>3</Su...
李玲霞孙正郑浩然
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一种高Q值高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法
本发明公开了一种高Q值高介电常数微波介质陶瓷材料，化学式为Sr<Sub>1‑x</Sub>La<Sub>2x/3</Sub>TiO<Sub>3</Sub>，其中0＜x＜1.0。先将原料SrCO<Sub>3</Sub>、L...
李玲霞陈思亮于仕辉郑浩然
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一种中温烧结高介电常数电介质材料制备方法
本发明公开了一种中温烧结高介电常数电介质材料的制备方法，其化学式Ba<Sub>1‑x</Sub>Sm<Sub>2x/3</Sub>(Zr<Sub>0.15</Sub>Ti<Sub>0.85</Sub>)O<Sub>3</...
李玲霞孙正杜明昆郑浩然乔坚栗
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一种低损耗高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法
本发明公开了一种低损耗高介电常数微波介质陶瓷材料，化学式为Sr<Sub>0.4</Sub>Ce<Sub>0.4</Sub>Ti<Sub>1‑x</Sub>(Al<Sub>0.5</Sub>Nb<Sub>0.5</Sub>...
李玲霞陈思亮于仕辉郑浩然
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一种采用磁控溅射法制备PBZ薄膜用的PBZ靶材的制备方法
本发明公开了一种采用磁控溅射法制备PBZ薄膜用的PBZ靶材的制备方法，先按照PBZ即锆酸铅钡的化合物分子式(Pb<Sub>1‑x</Sub>Ba<Sub>x</Sub>)ZrO<Sub>3</Sub>其中0&lt;x&l...
李玲霞孙正郑浩然于仕辉许丹
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一种MLCC用高介电常数陶瓷材料及其制备方法
本发明公开了一种MLCC用高介电常数陶瓷材料，其化学式为：Ba(Zr<Sub>0.2</Sub>Ti<Sub>0.8</Sub>)O<Sub>3</Sub>+xmol％Nb<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub...
李玲霞孙正郑浩然
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一种计算锆钛酸钡基块体材料介电常数的方法
本发明公开了一种计算锆钛酸钡基块体材料介电常数的方法，先将原料BaCO<Sub>3</Sub>、Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、ZrO<Sub>2</Sub>和TiO<Sub>2</Sub>按照B...
李玲霞郑浩然于仕辉杨盼陈思亮
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