伍广亨
- 作品数：14 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中山大学物理科学与工程技术学院光电材料与技术国家重点实验室更多>>
- 发文基金：福建省自然科学基金国家自然科学基金上海市自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- Er3+/Yb3+共掺ZrO2薄膜的介电性能及可调上转换发光
- 氧化锆(ZrO2)薄膜具有良好的介电性能,一定量稀土离子(如Er3+,Yb3+)掺杂既能稳定其相结构又可以使薄膜具有良好的光致发光性能,这种集优良电学性能与可调发光特性于一体的氧化锆薄膜材料在新型多功能光电器件中有着潜在...
- 梁立容周洪伍广亨莫忠包定华
- 关键词：介电性能光致发光
- Zno薄膜的结构和发光性能研究
- 本研究以Zn(CH3CO2)2·2H2O为原材料，用Sol-Gel法在Si衬底上制备了ZnO薄膜，研究了退火条件对Zno薄膜的结晶、微结构及发光性能的影响。研究表明，ZnO薄膜呈多晶特征，随退火温度升高，晶粒尺寸增大，c...
- 陈心满阮凯斌梁通伍广亨包定华
- 关键词：氧化锌薄膜光致发光
- 文献传递
- Pr3+掺杂钛酸铋与ZnO纳米棒复合铁电薄膜的发光性能研究
- 周晓烨周洪伍广亨包定华
- 关键词：光致发光ZNO纳米棒钛酸铋
- Bi_(3.45)Eu_(0.55)Ti_3O_(12)铁电薄膜的光学性能被引量：1
- 2012年
- 采用化学溶液沉积法在石英衬底上制备了Bi3.45Eu0.55Ti3O12(BEuT)铁电薄膜,研究了BEuT薄膜的结构和光学性能。XRD测试结果表明,BEuT薄膜皆形成铋层状钙钛矿型结构,其晶粒尺寸随着退火温度的提高而增加。薄膜的光学透过率曲线显示,在大于500nm的波段BEuT的透过率比较高,而其禁带宽度大约为3.61eV。BEuT薄膜的发光强度随着退火温度的提高,先是增强后减弱,在700℃时达到最大。这与薄膜的结晶状况有关。
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- 关键词：铁电薄膜光致发光
- 有机柔性衬底上室温脉冲激光沉积法制备Er掺杂Bi4Ti3O12薄膜及其介电特性研究
- 莫忠伍广亨包定华
- 关键词：介电性能
- ZnO薄膜的本征缺陷、p型掺杂及其新型功能器件
- 2012年
- ZnO是一种宽禁带半导体材料(3.37eV),具有较高的激子结合能(60meV),室温下激子仍然存在。由于其结构特点及优异的光电性能,ZnO在微电子学、光电子学、集成光学和微电子机械系统等高技术领域有着广阔的应用前景,在国内外引起极大的关注。但本征的ZnO呈n型电导,p型ZnO的获得因较强的自补偿效应,存在较大困难,限制了其应用水平。针对ZnO目前的研究、就其本征缺陷、p型掺杂以及新型功能器件等方面做一简要评述。
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- 关键词：ZNO本征缺陷
- 脉冲激光沉积法制备高取向烧绿石Bi1.9Er0.1Ti2O7薄膜及其光电性能研究
- Bi2Ti2O7薄膜具有较高的介电常数和低的漏电流,可用于动态随机存储器或用作MOS(metal oxidesemiconductor) 器件的栅绝缘层；同时,一定量的稀土离子掺杂既能稳定烧绿石相又可作为发光中心.已有研...
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- 关键词：介电性能上转换发光脉冲激光沉积
- 集成铁电器件用LaNiO_3薄膜电极的结构与电学性能
- 2007年
- 采用化学溶液沉积法在(100)Si,SiO2/Si,(100)Al2O3,(100)MgO,(100)SrTiO3(STO),(100)ZrO2等衬底上制备了LaNiO3(LNO)薄膜,研究了热处理温度对薄膜结构和电性能的影响.结果显示,衬底种类影响LNO薄膜的结晶,其中STO衬底上的LNO薄膜呈高a轴择优取向成长,且其电阻率最低,为0.87 mΩ.cm.而对于Si衬底上的LNO薄膜,随着热处理温度升高,晶粒尺寸增大,电阻率降低,在750℃时电阻率达到最低值(1.52 mΩ.cm),其后热处理温度的升高导致杂相的形成,电阻率反而上升.扫描电镜观察证实这些LNO薄膜光滑、致密、均匀且无裂纹.结果表明,制得的LNO薄膜可用作集成铁电薄膜器件的底电极.
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- 关键词：化学溶液沉积法电阻率
- 脉冲激光沉积法制备高取向烧绿石Bi1.9Er0.1Ti2O7薄膜及其光电性能研究
- 莫忠伍广亨梁立容包定华
- 关键词：介电性能上转换发光脉冲激光沉积
- NiFe2O4薄膜电致电阻开关性能研究
- 胡伟秦霓伍广亨包定华
- 关键词：NIFE2O4
