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刘力锋

作品数：189 被引量：20H指数：2
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信电气工程文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 185篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 34篇自动化与计算...
  • 7篇电子电信
  • 6篇电气工程
  • 5篇文化科学
  • 3篇理学
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇医药卫生

主题

  • 74篇存储器
  • 37篇电路
  • 35篇电极
  • 29篇半导体
  • 26篇电压
  • 21篇晶体管
  • 20篇电池
  • 19篇染料敏化
  • 19篇敏化
  • 18篇衬底
  • 17篇太阳能电池
  • 16篇染料敏化太阳...
  • 16篇敏化太阳能电...
  • 15篇集成电路
  • 14篇电阻
  • 12篇电流
  • 12篇信号
  • 10篇氧化物
  • 10篇脉冲
  • 9篇隔离层

机构

  • 189篇北京大学

作者

  • 189篇刘力锋
  • 169篇康晋锋
  • 65篇高滨
  • 58篇王漪
  • 54篇陈冰
  • 53篇黄鹏
  • 43篇张兴
  • 42篇韩德栋
  • 39篇韩汝琦
  • 30篇张飞飞
  • 23篇陈沅沙
  • 20篇王旭
  • 17篇于迪
  • 14篇韩润泽
  • 13篇张天舒
  • 10篇孙兵
  • 9篇李悦
  • 9篇张盛东
  • 8篇王琰
  • 8篇范志伟

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇2008中国...

年份

  • 9篇2024
  • 12篇2023
  • 13篇2022
  • 8篇2021
  • 9篇2020
  • 7篇2019
  • 3篇2018
  • 8篇2017
  • 9篇2016
  • 10篇2015
  • 21篇2014
  • 19篇2013
  • 23篇2012
  • 16篇2011
  • 7篇2010
  • 2篇2009
  • 8篇2008
  • 2篇2007
  • 2篇2006
  • 1篇2005
共 189 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于阻变存储器三维交叉阵列的卷积、池化和激活电路
本发明公开了一种基于阻变存储器三维交叉阵列的卷积、池化和激活电路，包括：卷积级，其包括阻变存储器三维交叉阵列；层池化级，其包括N个层池化级输入端、层求和电路和层池化级输出端，N个层池化级输入端连接至同一水平层中的N个层卷...
康晋锋董镇黄鹏刘晓彦刘力锋
一种薄膜晶体管及其制备方法
本发明提供了一种玻璃衬底或者塑料衬底上制备薄膜晶体管的方法，属于半导体行业、平板显示领域。该薄膜晶体管采用氧化锌锡/氧化铟锡/氧化锌锡三层沟道，可有效提高薄膜晶体管的性能，降低了工业制造成本，使制备工艺更加绿色环保。而且...
韩德栋陈卓发赵楠楠王漪丛瑛瑛吴静赵飞龙董俊辰黄伶灵张翼张盛东刘力锋刘晓彦康晋锋
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一种电阻式随机存取存储器的存储单元及其制备方法
本发明提供一种电阻式随机存取存储器的存储单元及其制备方法，属非挥发性存储器件技术领域。该存储单元包括：衬底和金属－绝缘－金属(MIM)结构电阻器，MIM结构电阻器中两金属作为顶电极和底电极，绝缘体为掺杂金属元素的二氧化钛...
刘力锋康晋锋唐浩王漪刘晓彦张兴韩汝琦
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一种基于RRAM在FPGA中应用的1T1R阵列及其制作方法
本发明提供信息存储技术领域中的一种基于RRAM在FPGA中应用的1T1R阵列及其制作方法。本发明包括逻辑电路，用于实现设定的逻辑功能；信号输入电路，和所述逻辑电路连接，为所述逻辑电路提供信号；信号输出电路，用于输出所述逻...
刘力锋王逸然陈冰王琰韩德栋王漪刘晓彦康晋锋
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双极性阻变存储器及其制备方法
本发明提供了一种双极性阻变存储器及其制备方法，其中，该制备方法包括：在衬底上形成底电极；采用等离子增强的化学气相沉积法，通过调节射频功率和/或腔室压强，在底电极上形成阻变介质层；在阻变介质层上形成活性电极，以构成双极性阻...
黄鹏丁向向田明刘力锋刘晓彦康晋锋
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阻变随机访问存储器件及制造方法
本申请公开了一种阻变随机访问存储器件及其制造方法，该阻变随机访问存储器件包括设置在位线和字线之间的存储单元，所述存储单元包括阻变元件，以及肖特基二极管，所述肖特基二极管与所述阻变元件串联连接，其中，所述肖特基包括彼此接触...
康晋锋高滨陈沅沙孙兵刘力锋刘晓彦韩汝琦
阻变存储器及其操作方法和制造方法
提供了一种阻变存储器，包括存储阵列，所述存储阵列包括：衬底；衬底隔离层，设置在衬底上；多个叠层结构，设置在衬底隔离层上；多个梳状金属层，沿所述叠层结构的长度方向设置在衬底隔离层和所述多个叠层结构上，每个梳状金属层的梳齿夹...
康晋锋张飞飞高滨陈冰刘力锋刘晓彦
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一种具有稳定阻变特性的材料及阻变存储器
本发明公开了一种具有稳定阻变特性的材料及阻变存储器，属于半导体非挥发性存储器技术领域。该材料为掺入+3价金属元素离子的HfO<Sub>2</Sub>、ZrO<Sub>2</Sub>或CeO<Sub>2</Sub>薄膜。阻...
康晋锋杨竞峰刘力锋孙兵刘晓彦王漪韩汝琦王阳元
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具有交叉阵列结构的阻变存储器及制备方法
本发明公开了一种具有交叉阵列结构的阻变存储器及制备方法，涉及半导体集成电路及其制造技术领域，所述存储器包括：硅衬底，在所述硅衬底上设有第一隔离层，在所述第一隔离层上设有至少一个与其垂直的纳米柱，绕所述纳米柱的侧壁一周设有...
高滨康晋锋刘力锋刘晓彦
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染料敏化太阳能电池的封装方法
本发明公开了一种染料敏化太阳能电池的封装方法，其包括步骤：采用丝网印刷技术将TiO<Sub>2</Sub>纳米颗粒浆料印在制作工作电极的FTO导电玻璃上，形成若干相互隔离的矩形片状TiO<Sub>2</Sub>薄膜；将S...
康晋锋范志伟张天舒刘力锋王旭刘晓彦韩汝琦
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