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康晋锋

作品数：313 被引量：225H指数：7
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信电气工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 262篇专利
  • 30篇期刊文章
  • 11篇会议论文
  • 5篇科技成果
  • 2篇学位论文

领域

  • 53篇自动化与计算...
  • 52篇电子电信
  • 9篇电气工程
  • 4篇一般工业技术
  • 4篇文化科学
  • 4篇理学
  • 2篇医药卫生
  • 1篇建筑科学
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 88篇存储器
  • 64篇电路
  • 56篇晶体管
  • 52篇半导体
  • 37篇电压
  • 34篇集成电路
  • 33篇电极
  • 22篇电池
  • 21篇阵列
  • 20篇薄膜晶体
  • 20篇薄膜晶体管
  • 19篇电阻
  • 19篇太阳能电池
  • 19篇染料敏化
  • 19篇敏化
  • 17篇电流
  • 17篇半导体集成
  • 17篇半导体集成电...
  • 14篇氧化物
  • 13篇纳米

机构

  • 310篇北京大学
  • 2篇中国科学院
  • 1篇电子科技大学

作者

  • 310篇康晋锋
  • 168篇刘力锋
  • 98篇黄鹏
  • 79篇王漪
  • 72篇韩汝琦
  • 68篇高滨
  • 65篇韩德栋
  • 57篇陈冰
  • 48篇张兴
  • 30篇张飞飞
  • 30篇张盛东
  • 26篇韩润泽
  • 23篇陈沅沙
  • 22篇王旭
  • 19篇王阳元
  • 19篇周正
  • 17篇杜刚
  • 17篇于迪
  • 15篇张天舒
  • 14篇王琰

传媒

  • 12篇Journa...
  • 5篇物理学报
  • 3篇北京大学学报...
  • 2篇电子学报
  • 2篇固体电子学研...
  • 2篇第七届全国固...
  • 2篇第十四届全国...
  • 1篇世界科技研究...
  • 1篇物理
  • 1篇中国科学（E...
  • 1篇光电子技术
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  • 1篇科技纵览
  • 1篇2008中国...
  • 1篇第十三届全国...
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  • 1篇第四届全国固...
  • 1篇第十届全国半...
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年份

  • 8篇2024
  • 16篇2023
  • 26篇2022
  • 9篇2021
  • 12篇2020
  • 16篇2019
  • 3篇2018
  • 12篇2017
  • 14篇2016
  • 16篇2015
  • 27篇2014
  • 25篇2013
  • 38篇2012
  • 20篇2011
  • 7篇2010
  • 5篇2009
  • 11篇2008
  • 5篇2007
  • 7篇2006
  • 5篇2005
共 313 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
图像传感单元和阵列结构及像素元间相互作用的实现方法
本公开提供一种图像传感单元和阵列结构及像素元间相互作用的实现方法，图像传感单元包括：阱结构，为P型阱结构或N型阱结构；埋氧层，设置于阱结构上；晶体管，设置于埋氧层上；重掺杂硅层，设置于晶体管四周且位于埋氧层上，其中，重掺...
周正于贵海刘晓彦康晋锋黄鹏
三维垂直阻变存储器阵列及其操作方法、装置、设备及介质
一种三维垂直阻变存储器阵列及其操作方法、装置、设备及介质。该操作方法包括：选中三维垂直阻变存储器阵列中的特定阻变存储器作为选中单元进行编程操作。上述编程操作包括：在选中单元所在的字线、位线和选择线分别对应施加电压V<Su...
黄鹏冯玉林刘力锋刘晓彦康晋锋
文献传递
1T1R和1R阻变存储器集成结构及其实现方法
本发明公开了1T1R和1R阻变存储器集成结构及其实现方法，通过在原有的衬底晶体管的漏极和源极同时分别制作具有MIM结构的阻变存储器结构，最后分别在衬底晶体管的漏极和源极的上方依次形成第一层金属前介质、第一层栓塞、第一层金...
刘力锋张伟兵李悦韩德栋王漪刘晓彦康晋锋张兴
文献传递
氢退火对氧化锌薄膜晶体管性能的影响
本文报道了利用射频磁控溅射方法存室温下制备了氧化锌薄膜晶体管的实验结果.x光衍射谱(XRD)表明所制备的氧化锌薄膜有很好的c轴择优取向.对氧化锌薄膜晶体管的转移特性及输出特性等电学特性进行了测试分析.结果表明,氢气氛退火...
韩德栋王漪韩汝琦康晋锋刘晓彦孙雷杜刚刘力锋张盛东
关键词：氧化锌薄膜晶体管
文献传递
高T_c超导互连线高频传输特性分析被引量：2
1996年
利用能较好描述高温超导体反常温度特征的推广二流体模型和传输线理论，计算和模拟了用于ＶＬＳＩ封装互连的高温超导互连线的传输常数随温度的变化关系和上升时间对温度及互连线宽度与长度的依赖关系，并将之与利用传统二流体模型计算和模拟的结果相比较，指出了传统二流体模型对高温超导互连线传输性质描述的局限性。我们的模型可用于高温超导ＶＬＳＩ互连的系统ＣＡＤ中。
康晋锋韩汝畸王阳元
关键词：高温超导VLSI上升时间传输线
氧化物薄膜、薄膜晶体管及其制备方法
本发明公开了一种氧化物薄膜、薄膜晶体管及其制备方法，涉及薄膜晶体管技术领域。在薄膜晶体管中，氧化物薄膜沟道层的氧化物薄膜的化学通式为Sn-X-Zn-O，X是La或者Y元素；栅电极设置在基底上方；栅极绝缘层设置在栅电极以及...
康晋锋王琰陆自清刘晓彦
文献传递
双极阻变存储器件
本申请公开了一种双极阻变存储器件，包括阻变元件，包括阻变材料层和与阻变材料层接触的至少一个电极，以及反向二极管，包括相反导电类型的两个掺杂区，在两个掺杂区之间的界面上形成pn结，其中，反向二极管与阻变元件串联连接。该双极...
康晋锋张飞飞高滨黄鹏陈冰于迪马龙后羿刘力锋刘晓彦
文献传递
多值存储电路的读取电路及读取方法
本发明公开了一种多值存储电路的读取电路及读取方法，包括：第一灵敏放大器、第二灵敏放大器、第三灵敏放大器、n型MOS晶体管和p型MOS晶体管；所述第一灵敏放大器、第二灵敏放大器和第三灵敏放大器分别接收选中单元和不同参考单元...
王源高晓敏何燕东杜刚康晋锋张兴
文献传递
高k栅介质MOSFET的栅电流模型(英文)被引量：2
2002年
提出了包括有限势垒高度下反型层量子化效应以及多晶硅耗尽效应在内的直接隧穿电流模型 .在该模型的基础上 ,研究了采用不同高介电常数栅介质材料时MOSFET的栅电流与介质材料的介电常数、禁带宽度及和Si导带不连续等参数之间的关系 .所获得的结果能够为新型栅介质材料的选取提供依据 .
刘晓彦康晋锋韩汝琦
关键词：MOSFET直接隧穿栅电流
一种染料敏化电池结构中的纳米复合电极及其制备方法
本发明涉及一种染料敏化电池结构中的纳米复合电极，该电极依次由透明的导电基片、ZnO薄膜和TiO<Sub>2</Sub>薄膜复合而成。本发明还涉及该纳米复合电极的制备方法，包括如下步骤：1)利用溶胶－凝胶法制备纳米ZnO浆...
康晋锋王旭印海友刘力锋王漪刘晓彦张天舒韩汝琦
文献传递
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