刘正民
- 作品数：26 被引量：37H指数：4
- 供职机构：兰州大学核科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学核科学技术电子电信金属学及工艺更多>>
- 快重离子束引起的Cu-Si膜系的两种不同类型的增强附着效应
- 1990年
- 对沉积在N型半导体硅上的Cu薄膜用几MeV的Cl离子进行了不同剂量的辐照实验以观测其增强附着行为。结果表明,Cu-Si膜系存在两种不同类型的增强附着效应。用扫描电镜对低剂量轰击出现附着增强区域的硅基底表面进行观察,未发现任何微裂现象。这与人们在解释Au-SiO_2膜系出现类似增强附着时提出的微裂观点不相符合。
- 刘正民杨坤山杨化中裘元勋
- 关键词：阈值半导体
- Cu离子和Al离子注入M2钢表面改性研究被引量：13
- 2001年
- 报道了M 2型高速工具钢在Cu、Al离子注入后表面硬度及抗磨损性的变化。对注入样品进行了显微硬度及抗磨损性的测量和XRD与RBS分析 ,观察了表面强化与离子注入条件之间的关系。结果显示 ,注入样品与未注入样品相比 ,表面硬度及抗磨损性均有显著提高。分析结果表明 ,Cu、Al离子注入后样品中产生了不同的相 。
- 王超刘正民
- 关键词：M2钢离子注入显微硬度铜离子铝离子
- 料面位置或高度的测量方法及装置
- 本发明涉及一种用γ射线测定液面或粉、粒状物料料面位置的装置及测定方法。本发明的方法是检测背散射γ计数率，将γ计数率转变为电信号，并用此信号与预先设定的信号值比较。当所述电信号与预定信号值不等时，控制电动机正转或反转，带动...
- 刘正民刘兆远陈子纯杨坤山陈熙萌蔡晓红
- 文献传递
- 1.30-2.21MeV质子在硅上的160°散射截面测量被引量：1
- 2002年
- 采用薄靶对能量 1.30 - 2 .2 1MeV质子在纯度为 99.99%硅上的非卢瑟福弹性背散射截面(16 0°背散射角 )进行了测量 .质子束由 2× 1.7MV串列加速器提供 ,测量仪器采用金硅面垒探测能谱仪 .实验中最低能区进入卢瑟福弹性散射能区 ,测量结果与以前发表的结果进行了比较 .所测量数据可供从事背散射分析技术的有关人员参考 .
- 李公平张小东刘正民
- 关键词：质子背散射截面硅
- 0.15～2.00MeV质子在硼上的160°散射截面测量
- 1998年
- 采用相对测量法对能量０．１５～２．００ＭｅＶ质子在天然硼上的非卢瑟福弹性背散射截面（１６０°背散射角）进行了测量．质子束由本单位引进的２×１．７ＭＶ串列加速器提供；测量仪器采用ＯＲＴＥＣ公司金硅面垒探测能谱仪．实验中最低能区进入卢瑟福弹性散射能区，测量结果用图表形式给出，并与以前发表的结果进行了比较．所测数据可供从事背散射分析技术的有关人员参考．
- 王荣刘正民张小东
- 关键词：质子背散射截面核反应
- 离子束引起金属膜和白云母界面附着力的改变
- 1990年
- 本文叙述了用能量为1—4MeV的Cl离子轰击有Au和Ag薄膜的天然白云母,使金属膜与白云母界面之间的附着力发生了变化。用胶带法测试了不同离子能量下的增强附着剂量阈D_(th)。入射Cl离子的剂量在增强附着剂量阈以上时,界面之间有增强附着力的存在,而在剂量阈以下,发现了附着力的减弱现象。金和白云母系统只测到了一个剂量阈;而银和白云母系统测出了两个剂量阈,用王水腐蚀白云母上的金属膜时,腐蚀时间随照射剂量的增加而延长。
- 杨化中刘正民杨坤山裘元勋
- 关键词：辐照金属膜白云母
- 0.96-2.74MeV质子在铝上的160°散射截面测量
- 2003年
- 采用薄靶对能量0.962.74MeV质子在纯度为99.99%铝上的160非卢瑟福弹性背散射截面进行了测量。质子束由21.7MV串列加速器提供,测量仪器采用金硅面垒探测能谱仪。实验中最低能区进入卢瑟福弹性散射能区,测量结果用图表形式给出,并与以前发表的结果进行了比较。所测量数据可供从事背散射分析技术的有关人员参考。
- 李公平张小东徐进章刘正民
- 关键词：质子背散射截面轻核铝
- MeV重离子轰击引起金属膜抗蚀性的研究被引量：1
- 1989年
- 对以Ｎ型硅为基底的 Ｃｕ、Ｓｎ和 Ａｕ膜用能量 ２．０～４．５ＭｅＶ的 Ｃｌ＋＋离子进行了 轰击。酸液浸泡实验表明，当 ＣＩ＋＋离子注入剂量达到 ５×１０１５／ｃｍ２时，轰击区薄膜耐酸腐蚀能力发生突变。对这种突变的原因给出了一种初步的、定性的解释。
- 刘正民杨坤山杨化中裘元勋
- 关键词：耐腐蚀性金属膜
- 应用ITO膜作电荷收集极的位置灵敏探测器被引量：1
- 2002年
- 首次尝试将ITO(IndiumTinOxide)膜与微通道板 (MicrochannelPlate)结合用作位置灵敏探测器 ,并对该探测器的线性、位置分辨及探测效率作了测试 。
- 白云刘正民张晓东
- 关键词：ITO膜位置灵敏探测器
- 铜团簇束在硅上碰撞沉积的薄膜表面能谱分析被引量：2
- 2004年
- 用一种新型磁控溅射气体凝聚团簇源产生Cu-n(n是团簇原子个数)团簇束,当团簇束分别在偏压为:0,1,3,5,10kV的电场中加速后,在真空中,沉积在室温下的P型Si(111)衬底上,获得Cu/P-Si(111)薄膜样品。用X射线光电子能谱(XPS)分析薄膜,结果表明:薄膜本身不含C和O等杂质;当Cu/P-Si(111)样品暴露在空气中时,样品表面会氧化和碳污染,铜的特征电子峰几乎被湮没。用能量3keV流强为4～6μA/cm2Ar+束,预溅射处理样品表面后,用XPS分析,常规磁控溅射室温下得到的Cu/P-Si(111)样品和铜团簇束沉积,偏压分别为0,1,3,5,10kV的样品XPS谱和块状Cu标样谱基本一样,Cu2P1、Cu2P3、CuLMM特征峰位没有移动,反映不出原子结合能差异。
- 李公平丁宝卫张小东丁印锋刘正民朱德彰包良满
- 关键词：单晶硅
