杨坤山
- 作品数:16 被引量:4H指数:1
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- 质子轰击Gd、Eu和Nd引起的L亚壳层电离
- 1991年
- 用0.4—2.75MeV质子轰击稀土元素Gd、Eu和Nd靶,测得L亚壳层的X射线产生截面。利用亚壳层的荧光产额和Coster-Kronig跃迁几率的半经验值,求得2S_(1,2)、2P_(1/2)和2P_(3/2)三个亚壳层的电离截面。实验测得的电离截面以及它们的比值与ECPSSR理论预言值进行了比较。
- 刘兆远张华林马树勋杨坤山
- 关键词:GDEUND电离截面
- 料面位置或高度的测量方法及装置
- 本发明涉及一种用γ射线测定液面或粉、粒状物料料面位置的装置及测定方法。本发明的方法是检测背散射γ计数率,将γ计数率转变为电信号,并用此信号与预先设定的信号值比较。当所述电信号与预定信号值不等时,控制电动机正转或反转,带动...
- 刘正民刘兆远陈子纯杨坤山陈熙萌蔡晓红
- 文献传递
- 脊髓损伤并截瘫患者脑脊液中微量元素的测定被引量:1
- 1998年
- 用质子诱发X-射线分析法测定脊髓损伤并截瘫患者行胚胎脊髓组织移植前后脑脊液(CSF)中微量元素锌、铁、铜、铬、铅、锰的含量。结果表明CSF中锌、铬、铅含量患者术前及术后组均较对照组升高,铁含量患者术后组较术前组及对照组均升高。铜、锰含量各组之间无明显差别。
- 荔志云暴连喜雷鹏雷鹏白洪涛翁潮弟刘兆远
- 关键词:微量元素脑脊液脊髓移植脊髓损伤截瘫
- 快重离子束诱发金属薄膜在基底上的附着增强效应
- 1991年
- 用 MeV能量的 Cl离子束辐照金属薄膜/绝缘体和硅基底。测量到薄膜在基底上附着增强的阈值剂量,在铜/硅体系中观测到低剂量和高剂量阈值。
- 杨坤山刘正民杨化中
- 关键词:金属薄膜
- 能量为0.2—1.2MeV质子轰击Tb,Er和Lu引起的L亚壳电离
- 1991年
- 本文以能量为0.2—1.2MeV质子轰击稀土元素Tb,Er和Lu的薄靶,测得L亚壳层电离截面及其比值,将其与ECPSSR理论值进行了比较,实验结果与理论符合得较好。
- 马树勋杨坤山张华林陈熙萌刘兆远
- 关键词:质子轰击电离
- 用PIXE方法测定化石中的微量元素被引量:1
- 1991年
- 化石是研究地球历史与演变、生物进化等的重要依据,运用多种分析方法或许可以从中得到更多有价值的信息,提高和加深人们的认识。本文采用的PIXE(Proton induced X-rayemission)方法具有快速、准确和多元素等特点,已广泛用于多种学科中。 应用这一方法,
- 杨坤山王醒谦冯嘉祯马树勋李兰亭
- 关键词:化石微量元素PIXE
- 离子束引起金属膜和白云母界面附着力的改变
- 1990年
- 本文叙述了用能量为1—4MeV的Cl离子轰击有Au和Ag薄膜的天然白云母,使金属膜与白云母界面之间的附着力发生了变化。用胶带法测试了不同离子能量下的增强附着剂量阈D_(th)。入射Cl离子的剂量在增强附着剂量阈以上时,界面之间有增强附着力的存在,而在剂量阈以下,发现了附着力的减弱现象。金和白云母系统只测到了一个剂量阈;而银和白云母系统测出了两个剂量阈,用王水腐蚀白云母上的金属膜时,腐蚀时间随照射剂量的增加而延长。
- 杨化中刘正民杨坤山裘元勋
- 关键词:辐照金属膜白云母
- 快重离子束引起的Cu-Si膜系的两种不同类型的增强附着效应
- 1990年
- 对沉积在N型半导体硅上的Cu薄膜用几MeV的Cl离子进行了不同剂量的辐照实验以观测其增强附着行为。结果表明,Cu-Si膜系存在两种不同类型的增强附着效应。用扫描电镜对低剂量轰击出现附着增强区域的硅基底表面进行观察,未发现任何微裂现象。这与人们在解释Au-SiO_2膜系出现类似增强附着时提出的微裂观点不相符合。
- 刘正民杨坤山杨化中裘元勋
- 关键词:阈值半导体
- MeVF离子辐照引起的Sb、Ag、Cu、Pd、Ni薄膜在Si基底上的增强附着
- 1991年
- 用6MeV F离子束辐照了淀积在Si单晶基底上的Sb、Ag、Cu、Pd和Ni金属薄膜,并用胶带法对不同辐照剂量的各点进行了增强附着阈剂量的测量。结果表明,金属薄膜增强附着阈剂量的大小可能和膜材料的弹性模量有关。弹性模量大的金属薄膜对应的增强附着的阈剂量也大。对这一现象,应用离子束轰击前后薄膜内部应力改变的观点给予了定性解释。
- 刘正民钟鹤立杨坤山
- 关键词:辐照
- 质子诱发u和Th原子L亚壳层电离
- 1990年
- 离子—原子碰撞引起的L-亚壳层电离截面数据,将对离子—原子碰撞理论模型给出更精确的验证,本文利用0.8-3.4Mev质子轰击和Th靶,测得L-亚壳层的X-射线产生截面,借助亚壳层荧光产额和Coster-Kronig跃迁率,得到各L亚壳层的电离截面和L-壳总是离截面,实验结果与ECPSSH理论预言值作了比较。 实验测量中,质子束由兰州大学2×1.7Mv串列静电加速器提供,束流经开关磁铁偏转20度角后,由两个相距1.5M的精密光栏准直。
- 马树勋杨坤山刘兆远张华林
- 关键词:壳层TH串列静电加速器开关磁铁原子碰撞质子束